深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司专利技术

深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司共有62项专利

  • 本实用新型涉及运输设备领域,具体而言,涉及一种转运系统,包括物料插放区,所述物料插放区设置有传输带;所述吸取装置在所述传输带的起始端设置有送板区,所述传输带的终端设置有取板区,所述取板区和所述送板区分别设置有提篮,所述提篮在传输带传的输...
  • 本实用新型涉及清洗设备领域,具体而言,涉及一种烧杯清洗装置,包括:容纳槽,所述容纳槽用于容纳清洗液;烧杯夹具,所述烧杯夹具设置在所述容纳槽内并用于固定所述烧杯;用于带动所述烧杯夹具在所述容纳槽内转动的驱动装置,所述驱动装置传动连接所述烧...
  • 本实用新型涉及隔离器技术领域,具体涉及一种隔离器装配治具。本实用新型提供的隔离器装配治具用于装配隔离器,其包括主体和限位凸台,所述主体上设置有相对自身表面凹陷的限位孔,所述限位孔设置成容置隔离器的磁环;所述限位凸台设置于所述限位孔内,在...
  • 本实用新型提供了一种芯片封蜡装置,涉及生产制造领域。包括:加热板,所述加热板上设有相对且间隔设置的顶柱和第一定位组件,所述第一定位组件包括依次层叠设置的第一顶板、第二顶板以及第三顶板,所述第一顶板与所述加热板接触,所述第一顶板、所述第二...
  • 本实用新型提供了一种背入射式阵列光电芯片及其电连接结构,一种背入射式阵列光电芯片,包括多个分光监控单元,每个分光监控单元包括透光槽和光敏区;透光槽向芯片任一表面的方向开口并贯穿芯片的吸收层,光敏区形成于芯片的顶层并一端连接至芯片的吸收层...
  • 一种背入射式共面电极多单元芯片,包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;芯片上包括多个分光单元,每个分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;透光孔贯穿吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;第一电极设于芯片的正面,第一电极与对应的光敏区的另...
  • 本实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其封装结构;一种正入射式共面电极光电芯片包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;芯片上开设主光槽,主光槽贯穿吸收层;顶层内设有光敏区;芯片的正面上还设有收光区和相互绝缘设置...
  • 本实用新型涉及光通信传输技术领域,本实用新型提供了一种正入射式光电芯片及其封装结构,一种正入射光电芯片,包括衬底、吸收层和顶层,吸收层位于衬底和顶层之间,顶层相对衬底更靠近芯片的正面;芯片上开设分光孔,分光孔贯穿吸收层;芯片的正面上还设...
  • 本实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种背入射式光电芯片;本实用新型提供了一种背入射式光电芯片,芯片包括衬底、吸收层和顶层,衬底相对顶层更靠近芯片的背面;芯片上开设有分光槽,分光槽贯穿吸收层;顶层内设有光敏区,光敏区的内端与吸收层...
  • 本实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其封装结构;一种正入射共面电极阵列光电芯片,包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;芯片上还包括多个分光单元,每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极;分光槽向芯片正面的...
  • 本实用新型提供了一种多通道光芯片封装结构,涉及光芯片封装技术领域。包括:TO管座,具有相对的第一端面及第二端面,多个光芯片排列设置于所述TO管座的第一端面上;多个接口端,所述接口端环设于所述TO管座的第一端面上;多个引脚,多个引脚在所述...
  • 本实用新型涉及一种芯片夹具,包括底板、至少一个装片板和盖板;所述底板与所述装片板间、相邻的所述装片板间和所述盖板与所述装片板间分别通过搭接机构连接;所述装片板的第一表面设有至少一个装片槽,所述底板的第一表面设有至少一个装片槽,所述装片槽...
  • 本申请涉及芯片加工技术领域,尤其涉及一种芯片酸洗装置,其包括:操作室和喷淋室,喷淋室设置在所述操作室内且与所述操作室连通,所述喷淋室内设置有旋转载物台、喷淋组件和图像采集组件;所述旋转载物台用于放置待腐蚀的芯片;所述喷淋组件包括设置在所...
  • 本实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种应用阵列光电芯片的光系统,包括激光器阵列、阵列光电芯片和集成光波导,激光器阵列包括多个激光器;阵列光电芯片上设有多个与激光器一一对应的分光监控单元,每个分光监控单元包括分光槽和光敏区;分光槽...
  • 本申请涉及光隔离器生产技术,提供一种光隔离器装配工装,其包括:组装板,包括互为相反面的第一侧表面和第二侧表面,第一侧表面为工装面,该工装面上设有至少一个用于对位光隔离器芯的凸台;第二侧表面为辅助面,辅助面上固定有至少一个用于对位待装配磁...
  • 本实用新型涉及光通讯技术领域,具体涉及一种光波导监测系统,包括光源、集成光波导和光探测器芯片;集成光波导包括基片,基片上设有多个分支光波导;每个分支光波导上还设有光溢出口;光探测器芯片还包括多个监测单元,每个监测单元包括入光区和光电转换...
  • 本实用新型涉及光通讯技术领域,具体涉及一种LD激光器背光监测光路系统,包括监视探测器芯片、激光二极管芯片和基底;监视探测器芯片包括吸收层,监视探测器芯片的背面上设有反光面,监视探测器芯片的侧面设有入光区;监视探测器芯片的正面上设有第一电...
  • 本申请公开了一种雪崩光电探测器以及激光雷达系统中,设置雪崩光电探测器的感光区域为直径范围在100μm~300μm的圆形区域,相对于感光区域为50μm的传统雪崩光电探测器,可以使得探测距离到达200m以上,响应度可以达到20A/W以上,暗...
  • 一种背入射式共面电极多单元芯片,包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层;芯片上包括多个分光单元,每个分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极;透光孔贯穿吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;第一电极设于芯片的正面,第一电极与对应的光敏区的另...
  • 本实用新型公开了一种光芯片清洗设备,包括清洗槽、加热装置、液位监测装置、清洗剂容器、控制装置;清洗槽设有进液口和出液口,且在进液口处设有进液阀,在出液口处设有出液阀;加热装置用于对清洗槽加热;液位检测装置用于检测清洗槽内的液位;清洗剂容...