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本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射共面电极阵列光电芯片及其制备方法；一种正入射共面电极阵列光电芯片，包括多个分光单元，每个分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；分光槽贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有第二电极；以芯片的正面为...
该专利属于深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司授权不得商用。

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