TFT基板的制作方法及TFT基板技术

本发明专利技术提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明专利技术的TFT基板的制作方法，首先在栅电极层上沉积形成石墨烯膜层，再对石墨烯膜层整面进行氟摻杂处理，增大其带隙宽度，使石墨烯膜层变成绝缘体，使其作为栅极阻挡层，以防止栅电极层中金属原子的扩散，再在栅极阻挡层上方沉积氧化硅层作为栅极绝缘层；通过在栅电极层上制作掺氟的石墨烯膜层作为栅极阻挡层，能够直接单独使用氧化硅层作为栅极绝缘层，避免了在栅极绝缘层中使用含氢量高的氮化硅层，减少氢对氧化物半导体层的干扰，同时又避免了氧化物半导体层和掺氟的石墨烯膜层直接接触，杜绝了氟离子对氧化物半导体层的干扰，从而提升了金属氧化物TFT的器件特性。

Fabrication of TFT Substrate and TFT Substrate

The invention provides a manufacturing method of a TFT substrate and a TFT substrate. The preparation method of the TFT substrate of the present invention first deposits graphene film on the gate electrode layer, and then fluorinates the whole surface of the graphene film layer to increase its band gap width, so that the graphene film can be transformed into an insulator and used as a gate barrier layer to prevent the diffusion of metal atoms in the gate electrode layer, and then deposits silicon oxide layer above the gate barrier layer as a gate insulation layer. By fabricating fluorine-doped graphene film on gate electrode layer as gate barrier layer, silicon oxide layer can be directly used as gate insulation layer alone, avoiding the use of silicon nitride layer with high hydrogen content in gate insulation layer, reducing the interference of hydrogen on oxide semiconductor layer, and avoiding the direct contact between oxide semiconductor layer and fluorine-doped graphene film layer, thus eliminating fluorine ionization. The interference of sub-elements on oxide semiconductor layer enhances the device characteristics of metal oxide TFT.

【技术实现步骤摘要】
TFT基板的制作方法及TFT基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管有源层的材料也具有多种，其中，金属氧化物薄膜晶体管(metaloxideTFT)具有场效应迁移率高(≥10cm2/V·s)、制备工艺简单、大面积沉积均匀性好、响应速度快及可见光范围内透过率高等特点，被认为是显示器朝着大尺寸及柔性化方向发展的最有潜力的背板技术。随着平板显示技术的发展，人们对显示器尺寸、分辨率和画面刷新速率的追求越来越高，因此业内采用铜(Cu)取代铝(Al)作为TFT器件中的导电金属材料。现有阵列基板的制作工艺中，通常在栅极形成后通过等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅电极层(20)；步骤S2、在所述衬底基板(10)及栅电极层(20)上沉积形成一石墨烯膜层(30)；步骤S3、对所述石墨烯膜层(30)整面进行氟摻杂处理，形成栅极阻挡层(31)；步骤S4、在所述栅极阻挡层(31)上沉积形成栅极绝缘层(40)，所述栅极绝缘层(40)的材料为氧化硅；步骤S5、在所述栅极绝缘层(40)上形成氧化物半导体层(50)。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅电极层(20)；步骤S2、在所述衬底基板(10)及栅电极层(20)上沉积形成一石墨烯膜层(30)；步骤S3、对所述石墨烯膜层(30)整面进行氟摻杂处理，形成栅极阻挡层(31)；步骤S4、在所述栅极阻挡层(31)上沉积形成栅极绝缘层(40)，所述栅极绝缘层(40)的材料为氧化硅；步骤S5、在所述栅极绝缘层(40)上形成氧化物半导体层(50)。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用低温化学气相沉积法沉积形成所述石墨烯膜层(30)，所述石墨烯膜层(30)的厚度为3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述栅电极层(20)为铜膜与钼膜的复合层，其中，所述铜膜位于所述复合层的上层；所述步骤S4中，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积形成所述栅极绝缘层(40)。4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述氧化物半导体层(50)的材料为铟镓锌氧化物。5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5还包括在所述氧化物半导体层(50)及栅极绝缘层(40)上沉积并...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44