半导体装置和设备制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置和设备。半导体层包含开口，并且，在结构之间的接合表面中，在半导体层被层叠在一起的方向上的半导体层与开口之间的部分包含多个导体部分、和在与所述方向正交的方向上位于该多个导体部分之间的绝缘体部分。

Semiconductor devices and equipment

The present disclosure relates to semiconductor devices and devices. The semiconductor layer comprises an opening, and in the interface surface between the structures, the part between the semiconductor layer and the opening in the direction in which the semiconductor layer is stacked comprises a plurality of conductor parts, and the insulator part between the plurality of conductor parts in the direction orthogonal to the said direction.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和设备
实施例的各方面涉及半导体装置，在该半导体装置中，多个半导体层被层叠在一起。
技术介绍
已知如下的半导体装置，其中多个半导体层被层叠在一起，并且多个半导体层之间的多个结构被结合(bond)在一起。在日本专利申请公开No.2012-033878和日本专利申请公开No.2012-256736中，导体和绝缘体被设置在接合(joint)表面上。日本专利申请公开No.2012-033878讨论了一种技术，在该技术中，包含电极和连接部分的电极部分被设置在如下构件中，在该构件中设置有布置有多个光电转换元件的像素部分。在电极部分中，在半导体基板中提供开口。日本专利申请公开No.2012-256736的公开讨论了一种技术，在该技术中，布线层包含层间绝缘膜、嵌入层间绝缘膜中的电极和设置在电极周围的伪电极。在半导体层包含开口的情况下，结构的接合强度在与开口重叠的位置处可能降低，并且半导体装置的可靠性可能降低。
技术实现思路
根据实施例的一个方面，一种半导体装置包括：相互层叠的第一半导体层和第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一结构；以及设置在第一结构和第二半导体层之间的第二结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：相互层叠的第一半导体层和第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一结构；和设置在第一结构和第二半导体层之间的第二结构，第一结构和第二结构相互结合，其中，第二半导体层包含开口，以及其中，在第一结构和第二结构之间的接合表面中，在第一半导体层和第二半导体层被层叠在一起的第一方向上的第一半导体层与开口之间的部分包含在与第一方向正交的第二方向上排列的第一导体部分和第二导体部分、以及包围第一导体部分和第二导体部分中的每一个以包含位于第一导体部分和第二导体部分之间的部分的绝缘体部分。

【技术特征摘要】
2017.11.30 JP 2017-2309881.一种半导体装置，其特征在于，包括：相互层叠的第一半导体层和第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一结构；和设置在第一结构和第二半导体层之间的第二结构，第一结构和第二结构相互结合，其中，第二半导体层包含开口，以及其中，在第一结构和第二结构之间的接合表面中，在第一半导体层和第二半导体层被层叠在一起的第一方向上的第一半导体层与开口之间的部分包含在与第一方向正交的第二方向上排列的第一导体部分和第二导体部分、以及包围第一导体部分和第二导体部分中的每一个以包含位于第一导体部分和第二导体部分之间的部分的绝缘体部分。2.一种半导体装置，其特征在于，包括：相互层叠的第一半导体层和第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一结构；和设置在第一结构和第二半导体层之间的第二结构，第一结构和第二结构相互结合，其中，第二半导体层包含开口，以及其中，在第一结构和第二结构中的一个中，在第一半导体层和第二半导体层被层叠在一起的第一方向上的第一半导体层与开口之间的部分包含在与第一方向正交的第二方向上排列的第一导体部分和第二导体部分、以及包围第一导体部分和第二导体部分中的每一个以包含位于第一导体部分和第二导体部分之间的部分的绝缘体部分，并且，绝缘体部分与包含于第一结构和第二结构中的另一个中的绝缘体构件接触。3.一种半导体装置，其特征在于，包括：相互层叠的第一半导体层和第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一结构；和设置在第一结构和第二半导体层之间的第二结构，第一结构和第二结构相互结合，其中，第二半导体层包含开口，其中，在第一结构和第二结构之间的接合表面中，在第一半导体层和第二半导体层被层叠在一起的第一方向上的第一半导体层与开口之间的部分包含在与第一方向正交的第二方向上排列的第一导体部分和第二导体部分、以及位于第一导体部分和第二导体部分之间的绝缘体部分，其中，半导体装置还包括在第一方向上设置在绝缘体部分与开口之间的电极，其中，第二结构包含在第二方向上与电极并排设置的绝缘体构件，并且在电极与绝缘体构件之间设置沟槽，以及其中，沟槽与第一半导体层之间的距离小于电极与第二半导体层之间的距离。4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中，第一导体部分和第二导体部分包含于第二结构中。5.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体装置，其中，第二导体部分与包含于第一结构中的绝缘体构件接触。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在第一方向上在第一半导体层与第二结构之间，该部分包含第三导体部分、第四导...

【专利技术属性】
技术研发人员：石野英明，荻野拓海，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP