一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺制造技术

本发明专利技术提供一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺，其步骤如下：（1）将两片硅抛光晶圆浸入氢氟酸中，去除表面的氧化层。（2）将第一晶圆与第二晶圆在室温下叠置进行对准预键合。（3）将键合腔内部真空度提高至3x10

A Wafer Bonding Process for Manufacturing Diode Chips

The invention provides a wafer bonding process for manufacturing a diode chip, which comprises the following steps: (1) immersing two silicon polished wafers in hydrofluoric acid to remove the oxide layer on the surface. (2) The first wafer and the second wafer are aligned and pre-bonded at room temperature. (3) Increase the vacuum inside the bonding cavity to 3x10

【技术实现步骤摘要】
一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺
本专利技术涉及二极管领域，尤其涉及一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺。
技术介绍
随着信息社会的快速发展，作为信息产业的最基础的半导体器件也相应地朝着高性能、低成本方向发展。其中半导体二极管的市场规模、电性能大幅度提升。无论市场需求，还是器件制造商都迫切期待新的二极管芯片工艺的出现，以满足低成本、高性能的需要。二极管的简化结构是由P型半导体和N型半导体形成的P-N结构成。二极管最普遍的功能就是单向导电性，应用于所有电子电路，根据不同用途分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、限幅二极管等。最初大规模生产始于上个世纪五十年代初，采用扩散工艺形成PN结。扩散工艺的问题是PN结界面浓度梯度过缓，过渡区太大，造成电学性能差。上个世纪六十年代初期，开始发展外延生长工艺制作PN结。外延生长是指在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。高性能二极管和三极管（MOSFET）都是以外延片为衬底片制作芯片的。经过数十年的发展，外延工艺日渐成熟，但由于掺杂浓度梯度不够陡峭、仍然存在一定厚度的过渡区，并且在后续工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺，其特征在于，其步骤如下：（1）将两片硅抛光晶圆浸入氢氟酸中，去除表面的氧化层；（2）将第一晶圆与第二晶圆在室温下叠置进行对准预键合；（3）将键合腔内部真空度提高至3x10

【技术特征摘要】
1.一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺，其特征在于，其步骤如下：（1）将两片硅抛光晶圆浸入氢氟酸中，去除表面的氧化层；（2）将第一晶圆与第二晶圆在室温下叠置进行对准预键合；（3）将键合腔内部真空度提高至3x10-5Pa；（4）将键合腔内部温度逐渐升高至400--600℃；（5）随后对叠置晶圆施加压力20--100N进行键合2--10分钟；（6）逐渐降低真空度至一个大气压，然后降温至25℃；（7）最后取出键合后的晶圆，工艺完成。2.根据权利要求1所述的一种用于制造二极管芯片的晶片键合工艺，其特征在于：步骤一中，所述氢氟酸的浓度为10%；浸泡时间为10--30秒。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：王伟，
类型：发明
国别省市：上海,31