一种晶片及其制造方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶片及其制造方法、电子装置。所述方法包括：提供硅晶锭并进行切片，以得到晶片；在所述切片之前或者之后，依次执行第一退火步骤和第二退火步骤；其中，所述第一退火步骤的温度低于所述第二退火步骤的温度。根据本发明专利技术的晶片的制造方法，在所述硅晶锭进行切割之前或者之后，依次执行第一退火步骤和第二退火步骤；其中，所述第一退火步骤的温度低于所述第二退火步骤的温度。通过所述处理可以从经氮掺杂的硅晶体的不同区域切割后得到的硅晶片的BMD密度的变化降低，其中氮的掺杂浓度也不会在造成不利影响。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片及其制造方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种晶片及其制造方法、电子装置。
技术介绍
单晶硅是制造半导体电子元器件的大部分工艺的起始材料，通常由所谓的直拉单晶制造法(Czochralski，CZ法)制备。现代微电子器件的不断缩小，对硅衬底的质量具有更大的挑战性和限制，硅衬底的质量本质上是由微缺陷的大小和分布决定的。由Czochralski工艺和悬浮区熔法(FloatZone，FZ)工艺形成的硅晶体中形成的大部分微缺陷，都是硅空位(vacancies)和自间隙(self-interstitial)等本征点缺陷的聚集。在半导体器件的制造过程中，氢钝化(Hydrogenpassivation)已经成为一种众所周知、惯例的工艺。在氢钝化过程中，可以消除半导体器件中存在的缺陷。例如，这样的缺陷被描述为半导体器件的活性组分的再结合(recombination)/生成(generation)中心。这些中心被认为是由悬挂键(danglingbonds)引起的，悬挂键会在能量隙中移除器件中带电的载体，或者在器件中添加不需要的电荷载体等问题。由于悬空键主要发生在器件的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供硅晶锭并进行切片，以得到晶片；在所述切片之前或者之后，依次执行第一退火步骤和第二退火步骤；其中，所述第一退火步骤的温度低于所述第二退火步骤的温度。

【技术特征摘要】
1.一种晶片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供硅晶锭并进行切片，以得到晶片；在所述切片之前或者之后，依次执行第一退火步骤和第二退火步骤；其中，所述第一退火步骤的温度低于所述第二退火步骤的温度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅晶锭为氮掺杂的硅晶锭。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行切片之后对所述晶片执行所述第一退火步骤和所述第二退火步骤；所述第一退火步骤和所述第二退火步骤均在包含氘的气氛中进行。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一退火步骤和所述第二退火步骤的温度在1200℃-1380℃之间。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一退火步骤和所述第二退火步骤包括快速热退火。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一退火步骤和所述第二退火步骤在包含氢气和氘气的气氛中进行；或者所述第一退火步骤和所述第二退火步骤在包含氩气和氘气的气氛中进行；或者所述第一退火步骤和所述第二退火步骤在纯的氘气气氛中进行。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行切片...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31