激光退火方法和阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种激光退火方法和阵列基板，属于显示技术领域。所述方法包括：提供衬底基板；在至少一个非晶硅图案远离衬底基板的一侧设置掩膜组件，掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列；通过激光光源从掩膜组件远离非晶硅图案的一侧照射掩膜组件，激光光源发出的激光透过掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在至少一个非晶硅图案的指定区域。本发明专利技术通过包括掩膜板以及微透镜阵列的掩膜组件来控制激光光源发出的激光，使该激光照射在非晶硅层上的指定区域。限制了进行激光退火的区域，进而缩小了非晶硅层中转化为多晶硅层的面积。解决了相关技术中有源层构成的TFT的漏电流较大的问题。达到了降低有源层构成的TFT的漏电流的效果。

【技术实现步骤摘要】
激光退火方法和阵列基板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种激光退火方法和阵列基板。
技术介绍
显示面板中的薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)通常包括源极、漏极、栅极以及有源层。由迁移率较高的多晶硅来作为有源层的材料能够显著的提高TFT的性能。目前通常通过激光退火技术来形成多晶硅构成的半导体层。相关技术中的一种激光退火方法中，通过激光扫描整个非晶硅层，以对整个非晶硅层进行退火，使其转变为多晶硅层。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现相关技术至少存在以下问题：上述激光退火后的有源层构成的TFT的漏电流可能较大。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种激光退火方法和阵列基板，能够解决相关技术中有源层构成的TFT的漏电流较大的问题。所述技术方案如下：根据本专利技术的第一方面，提供了一种激光退火方法，所述方法包括：提供衬底基板，所述衬底基板上设置有至少一个非晶硅图案；在所述至少一个非晶硅图案远离所述衬底基板的一侧设置掩膜组件，所述掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列；通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件，所述激光光源发出的激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光退火方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底基板，所述衬底基板上设置有至少一个非晶硅图案；在所述至少一个非晶硅图案远离所述衬底基板的一侧设置掩膜组件，所述掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列；通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件，所述激光光源发出的激光透过所述掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在所述至少一个非晶硅图案的指定区域，以对所述至少一个非晶硅图案的指定区域进行退火。

【技术特征摘要】
1.一种激光退火方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底基板，所述衬底基板上设置有至少一个非晶硅图案；在所述至少一个非晶硅图案远离所述衬底基板的一侧设置掩膜组件，所述掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列；通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件，所述激光光源发出的激光透过所述掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在所述至少一个非晶硅图案的指定区域，以对所述至少一个非晶硅图案的指定区域进行退火。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件之前，所述方法还包括：根据每个所述非晶硅图案的电学特性，确定每个所述非晶硅图案对应的指定区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定区域为所述非晶硅图案上的一个连续区域。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定区域包括多个不连续的子区域。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：关峰，王治，许晨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11