晶圆表面的平坦化方法技术

一种晶圆表面的平坦化方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层，所述顶层硅层的边缘厚度大于中心厚度；将所述晶圆在氢气或者氢气和惰性气体的混合气体中退火，退火能促进表面硅原子的重构，从而促进顶层硅的平坦化，并且边缘的重构速率快于中心，从而提高顶层硅层的厚度均匀性。或者对所述顶层硅层采用氢气和HCl的混合气体进行刻蚀，所述刻蚀工艺的边缘的刻蚀速率快于中心，从而提高顶层硅层的厚度均匀性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆表面的平坦化方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆表面的平坦化方法。
技术介绍
SOI是一种广泛应用的新一代硅基材料，无论在低压、低功耗电路，还是微机械传感器、光电集成等方面，都具有重要应用。对于SOI材料而言，顶层硅厚度均匀性是一个关键参数，该参数对器件性能有重要影响。在SOI工艺制程中，对顶层硅的平坦化通常采用化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)的方式来进行，随着对顶层硅均匀性要求的提升，CMP工艺已无法满足工艺要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种晶圆表面的平坦化方法。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种晶圆表面的平坦化方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层，所述顶层硅层的边缘厚度大于中心厚度；将所述晶圆在氢气或者氢气和惰性气体的混合气体中退火，退火能促进表面硅原子的重构，从而促进顶层硅的平坦化，并且边缘的重构速率快于中心，从而提高顶层硅层的厚度均匀性。可选的，采用如下步骤形成所述晶圆：提供第一晶圆和第二晶圆；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆表面的平坦化方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层，所述顶层硅层的边缘厚度大于中心厚度；将所述晶圆在氢气或者氢气和惰性气体的混合气体中退火，退火能促进表面硅原子的重构，从而促进顶层硅的平坦化，并且边缘的重构速率快于中心，从而提高顶层硅层的厚度均匀性。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面的平坦化方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括绝缘埋层以及绝缘埋层表面的顶层硅层，所述顶层硅层的边缘厚度大于中心厚度；将所述晶圆在氢气或者氢气和惰性气体的混合气体中退火，退火能促进表面硅原子的重构，从而促进顶层硅的平坦化，并且边缘的重构速率快于中心，从而提高顶层硅层的厚度均匀性。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用如下步骤形成所述晶圆：提供第一晶圆和第二晶圆；氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层，所述氧化层的中心厚度大于边缘厚度；注入起泡离子，以在所述第一晶圆内形成剥离层；以所述氧化层为中间层，将所述第一晶圆和所述第二晶圆键合，形成键合后晶圆；升温以使键合后晶圆在所述剥离层开裂，开裂后保留在所述氧化层表面的部分第一晶圆即为所述顶层硅层，所述氧化层即为所述绝缘埋层，由于所述起泡离子的注入深度受到所述氧化层厚度的影响，导致所述顶层硅层的边缘厚度大于中心厚度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述起泡离子选自于氢气、氦气、以及氢气和氦气的混合气体中的一种。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火在氢气气氛中进行，退火温度为1000℃至1200℃，退火时间为30分钟至120分钟。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火在氢气和惰性气体的混合气氛中进行，退火温度为950℃至1200℃，退火时间为3...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，高楠，陈猛，苏鑫，徐洪涛，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31