【技术实现步骤摘要】
闪存参考电流的温度系数的选择方法及装置
本专利技术实施例涉及非易失性存储器
，尤其涉及一种闪存参考电流的温度系数的选择方法及装置。
技术介绍
随着消费电子产品市场的发展，闪存作为主要的存储器在手机、数码相机等产品中得到了广泛应用，市场规模在不断的扩大。现有技术中的读操作实际上是选中要读的存储单元，在其栅极上加一定的电压，在漏极上加一定的电压，再将存储单元的漏极电流和参考电路产生的参考电流作对比，从而得到存储单元是编程状态和擦除状态。由于参考电路产生的参考电流的温度系数和存储单元读取的漏极电流的温度系数不匹配，那么在读操作时，将存储单元的漏极电流和参考电路产生的参考电流作对比，得到存储单元是编程状态和擦除状态也会和存储单元实际的状态有偏差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例里提供了一种闪存参考电流的温度系数的选择方法及装置，以使参考电流的温度系数和存储单元的读取电流的温度系数相同，来得到准确的存储单元的状态。第一方面，本专利技术实施例提供了一种闪存参考电流的温度系数的选择方法，包括：获取读取操作时的读取温度，以及在所述读取温度下，存储单元的读取电流的温度系...
【技术保护点】
1.一种闪存参考电流的温度系数的选择方法，其特征在于，包括：获取读取操作时的读取温度，以及在所述读取温度下，存储单元的读取电流的温度系数；根据所述存储单元在所述读取温度下的读取电流的温度系数，选择参考电流的温度系数，所述参考电流的温度系数与所述读取电流的温度系数相同，所述参考电流通过参考电路产生。
【技术特征摘要】
1.一种闪存参考电流的温度系数的选择方法，其特征在于，包括：获取读取操作时的读取温度，以及在所述读取温度下，存储单元的读取电流的温度系数；根据所述存储单元在所述读取温度下的读取电流的温度系数，选择参考电流的温度系数，所述参考电流的温度系数与所述读取电流的温度系数相同，所述参考电流通过参考电路产生。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取读取操作时的读取温度，以及在所述读取温度下，存储单元的读取电流的温度系数步骤之前还包括：预先对存储单元进行至少一次采样读取操作，记录所述采样读取操作过程中，对所述存储单元施加的栅极电压和漏极电压、所述采样读取操作时的读取温度以及读取电流，并生成所述存储单元的读取电流的温度系数与读取温度的映射关系表。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取读取操作的环境温度和在所述环境温度下，存储单元的读取电流的温度系数具体包括：获取读取操作时的读取温度；根据所述读取温度和所述映射关系表，获取在所述读取温度下，所述存储单元的读取电流的温度系数。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参考电路包括正温度系数电流模块、负温度系数电流模块和控制模块；所述正温度系数电流模块用于产生第一电流，所述第一电流为正温度系数电流；所述负温度系数电流模块用于产生第二电流，所述第二电流为负温度系数电流；所述控制模块的第一端与所述正温度系数电流模块的第一端电连接，所述控制模块的第二端与所述负温度系数电流模块的第一端电连接，所述控制模块的第三端与所述负温度系数电流模块的第二端电连接，所述控制模块用于根据所述第一电流和所述第二电流，产生参考电流由所述控制模块的第四端输出，所述参考电流的温度系数为正温度系数、负温度系数或者零温度系数。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制模块包括第一电流镜像单元、第二电流镜像单元、第三电流镜像单元和运算单元；所述第一电流镜像单元包括第一PMOS管和第二PMOS管；所述第二电流镜像单元包括第三PMOS管和至少一个第四PMOS管；所述第三电流镜像单元包括所述第一PMOS管和至少一个第五PMOS管；所述运算单元包括所述第四PMOS管和所述第五PMOS管；所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS的栅极电连接；所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极电连接；所述第一PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极电连接；所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极、所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极分别与第一电源电连接；所述第一PMOS管的漏极作为所述控制模块的第一端，与所述正温度系数电流模块的第一端电连接；所述第二PMOS管的漏极作为所述控制模块的第二端，与所述负温度系数电流模块的第一端电连接；所述第三PMOS管的漏极作为所述控制模块的第三端，与所述负温度系数电流模块的第二端电连接；至少一个所述第四PMOS管的漏极...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡洪，张建军，陈讲重，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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