具有参数校准功能的存储设备及其操作方法技术

一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

Storage device with parameter calibration function and its operation method

An operation method of a storage device including a controller: receiving and reading data from a non-volatile memory; measuring multiple threshold voltage distributions corresponding to multiple storage blocks of a non-volatile memory based on the received read data; measuring distribution changes among multiple storage blocks based on the measured multiple threshold voltage distributions; and measuring distribution changes based on the measured distribution changes. To dynamically determine the operating parameters for non-volatile memory, and to send operation commands, addresses and at least one operating parameter corresponding to the address to non-volatile memory.

【技术实现步骤摘要】
具有参数校准功能的存储设备及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0134811号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及一种存储设备，更具体地说，涉及一种具有参数校准功能的存储设备以及该存储设备的操作方法。
技术介绍
作为非易失性存储器的一种类型，即使当电力被切断时，闪速存储器也维持存储的数据。闪速存储器通过移动存储单元的阈值电压来存储数据，并通过使用预定的读取电平来读取数据。然而，存储单元的阈值电压可能例如由于物理位置或存储单元的劣化而无意地移动。因此，为了防止由阈值电压的无意移动引起读取错误，读取电平应该被动态地移动并存储，导致开销增加。考虑到为编程的存储单元生成多个读取请求的可能性，有必要开发一种用于减少读取操作的开销的操作方法。
技术实现思路
本专利技术构思提供了一种具有参数校准功能的存储设备以及该存储设备的操作方法。根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种存储设备的操作方法，包括：由控制器从非易失性存储器接收读取数据；由控制器基于接收到的读取数据测量分别与非易失性存储器的多个存储单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储设备的操作方法，所述存储设备包括非易失性存储器和控制所述非易失性存储器的控制器，所述操作方法包括：由控制器从非易失性存储器接收读取数据；由控制器基于接收到的读取数据来测量分别与非易失性存储器的多个存储单元块相对应的多个阈值电压分布；由控制器基于所测量的多个阈值电压分布来测量所述多个存储单元块之间的分布变化；由控制器基于所测量的分布变化动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及由控制器向非易失性存储器发送操作命令、地址和与所述地址相对应的至少一个操作参数。

【技术特征摘要】
2017.10.17 KR 10-2017-01348111.一种存储设备的操作方法，所述存储设备包括非易失性存储器和控制所述非易失性存储器的控制器，所述操作方法包括：由控制器从非易失性存储器接收读取数据；由控制器基于接收到的读取数据来测量分别与非易失性存储器的多个存储单元块相对应的多个阈值电压分布；由控制器基于所测量的多个阈值电压分布来测量所述多个存储单元块之间的分布变化；由控制器基于所测量的分布变化动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及由控制器向非易失性存储器发送操作命令、地址和与所述地址相对应的至少一个操作参数。2.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述操作指令为编程指令，且所述至少一个操作参数包括编程开始电压、编程周期计数以及编程验证电压中的至少一个。3.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述操作指令是编程指令，且所述至少一个操作参数包括分别对应于多个编程状态的多个操作参数。4.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述操作命令是擦除命令，并且所述至少一个操作参数包括擦除开始电压、擦除周期计数和擦除验证电压中的至少一个。5.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述多个存储单元块对应于多个芯片、多个存储块或多条字线。6.如权利要求1所述的操作方法，还包括：控制器基于所测量的分布变化将多个存储单元块动态地分组到多个组，其中，所述动态地确定包括由控制器动态地确定用于所述多个组中的每个组的操作参数。7.如权利要求6所述的操作方法，其中：将多个存储单元块动态地分组到多个组进一步基于用于分别确定多个不同编程状态的多个读取电压电平，并且多个存储单元块中的第一存储单元块针对第一读取电压电平被分组到第一组，并且针对第二读取电压电平被分组到第二组，其中，被包括在第一组中的至少一个存储单元块不被包括在第二组中，或被包括在第二组中的至少一个存储单元块不被包括在第一组中。8.如权利要求6所述的操作方法，其中，所述动态地分组包括：查明对应于所测量的分布变化的分布变化度量；以及基于分布变化度量通过聚类将多个存储单元块分组到多个组。9.如权利要求8所述的操作方法，其中，所述分布变化度量包括第一阈值电压电平或第二阈值电压电平，在所述第一阈值电压电平处，多个存储单元块中的每一个中的被编程的存储单元的开启单元的数量对应于第一数量，在所述第二阈值电压电平处，多个存储单元块中的每一个中的被编程的存储单元的关闭单元的数量对应于第二数量。10.如权利要求8所述的操作方法，其中，所述分布变化度量包括在多个存储单元块中的每一个中基于第一字线电压电平被编程的存储单元的开启单元的数量或在多个存储单元块中的每一个中基于第一字线电压电平被编程的存储单元的关闭单元的数量。11.如权利要求8所述的操作方法，其中，所述分布变化度量包括用于使多个存储单元块中的每一个中的比特错误最小化的读取电压电平。12.如权利要求8所述的操作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金灿河，康淑恩，金志秀，卢承京，李东起，李允宑，李镇旭，李熙元，张俊锡，崔永夏，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR