【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在电子装置中提供经温度补偿参考电流的设备及方法。所述电子装置可以是存储器装置或需要产生针对温度及其它电路制作变化进行补偿的恒定参考电流的任何电子电路。
技术介绍
图1A图解说明常规参考电流产生器电路100的实例。产生器电路100包括p型金属氧化物半导体(PM0S)晶体管102、 PMOS晶体管106、运算放大器(OP-AMP) 110、电阻器& 112、R2 114、R3 116、PNP双极结晶体管(BJT)118及PNP BJT 120。电流Iref是节点108上由电路100基于电阻器R1 112、R2 114及Rg 116的值及0P-AMP110的增益而产生的所需参考电流。 节点104上的电流L与电路100的操作环境的绝对温度(PTAT)成比例。电流^由如下方程式(1)给出 /,(7>2^*,.方程式(1) 在方程式(1)中,kb为波耳兹曼(Boltzmann)常数l. 381 X 10—23焦耳每开尔文(K),T为开尔文绝对温度,q为恒定电荷1. 602 X 10—19库仑,M为BJT 120相对于BJT 118的大小的 ...
【技术保护点】
一种经温度补偿参考电流产生器电路,所述电路包括:第一晶体管,其耦合到具有线性增大的温度依赖电流的节点;第二晶体管,其耦合到所述第一晶体管及所述节点,所述第二晶体管向所述节点提供线性减小的补偿电流且耦合到用于调节所述线性减小的补偿电流的电阻器;大致恒定的参考电流,其由耦合到所述第一晶体管的第三晶体管产生;且其中所述线性增大的温度依赖电流被添加到所述线性减小的补偿电流以用于提供所述大致恒定的参考电流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:马尔科帕塞里尼,斯特凡诺西维罗,米雷拉马尔塞拉,马里亚莫斯托拉,
申请(专利权)人:爱特梅尔公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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