The embodiment of this application discloses a filter circuit and its forming method. By forming a metal groove line in the lower metal layer, the filter circuit has excellent out-of-band rejection. The parameters of the metal groove line can be adjusted by binding the first metal tie line on the metal groove line, thereby improving the out-of-band rejection of the filter circuit. The input and output ports can be harmonized through the defective coupling chip. Vibration element has good coupling degree. The second metal tie on the defect coupling chip can correct the machining error of the defect coupling chip, thus improving the coupling degree between input and output ports and resonant element, and reducing the insertion loss of filter circuit.
【技术实现步骤摘要】
一种滤波电路及其形成方法
本申请涉及半导体领域,特别是涉及一种滤波电路及其形成方法。
技术介绍
滤波电路可以在射频/微波系统中实现选频滤波,具体的,信号在输入滤波电路后,滤波电路可以对信号中的特定频率进行滤除,输出该频率之外的其他频率的信号。现有技术中,利用微机电系统技术加工可以形成在毫米波段具有高Q值、低差损、小体积的滤波电路,该滤波电路可以与常规单片微波集成电路(MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit,MMIC)工艺相兼容等优点,不仅成为各类电子器件的发展趋势,也成为解决毫米波收发组件单片化的最佳手段。然而,在小体积的滤波电路中,加工工艺对滤波电路的性能的影响越专利技术显,如何降低加工误差对滤波电路性能的影响,是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本申请实施例提供一种滤波电路及其形成方法,以准确的提高滤波电路对频率的选择性。本申请实施例提供了一种滤波电路,包括叠层结构,所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层;所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元;所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列;所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列;所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口,所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合,所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合;所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线,所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合 ...
【技术保护点】
1.一种滤波电路,其特征在于,包括叠层结构,所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层;所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元;所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列;所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列;所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口,所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合,所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合;所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线,所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处;所述金属槽线上绑钉有第一金属绑线。
【技术特征摘要】
1.一种滤波电路,其特征在于,包括叠层结构,所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层;所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元;所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列;所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列;所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口,所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合,所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合;所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线,所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处;所述金属槽线上绑钉有第一金属绑线。2.根据权利要求1所述的滤波电路,其特征在于,所述第一缺陷耦合片和/或所述第二缺陷耦合片上绑钉有第二金属绑线。3.根据权利要求1或2所述的滤波电路,其特征在于,所述第一金属绑线和所述第二金属绑线的材质为金。4.根据权利要求1所述的滤波电路,其特征在于,所述第一谐振单元和所述第二谐振单元通过耦合孔连接。5.一种滤波电路,其特征在于,包括叠层结构,所述叠层结构包括衬底、位于所述衬底第一面的上层金属层和位于所述衬底第二面的下层金属层;所述叠层结构上形成有第一谐振单元以及与所述第一谐振单元耦合的第二谐振单元;所述第一谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第一通孔阵列;所述第二谐振单元包括贯穿所述叠层结构的第二通孔阵列;所述上层金属层上形成有第一输入输出端口和第二输入输出端口,所述第一输入输出端口与所述第一谐振单元通过第一缺陷耦合片耦合,所述第二输入输出端口与所述第二谐振单元通过第二缺陷耦合片耦合,所述第一缺陷耦合片和/或所述第二缺陷耦合片上绑钉有第二金属绑线;所述下层金属层上形成有呈缺陷环状的金属槽线,所述金属槽线位于所述第一谐振单元和所述第二谐振单元耦合处。6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:万晶,梁晓新,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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