TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板技术

一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，包括提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层；在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层；其中，在所述有源层的一侧制备光吸收层。通过在源漏极下方设置黑色光阻或在遮光层上方设置黑色光阻作为吸收层，用以吸收光线，能够避免大部分光线反射到有源层，进而改善TFT器件性能。

Fabrication of TFT Array Substrate and TFT Array Substrate

A method for preparing a TFT array substrate and a TFT array substrate include providing a substrate on which a light shielding layer and a buffer layer are prepared in turn; an active layer, a gate insulating layer, a gate, an interlayer insulating layer and a source-drain metal layer are prepared in turn on the buffer layer; and a light absorbing layer is prepared on one side of the active layer. By setting a black photoresistance under the source and drain poles or a black photoresistance above the shading layer as an absorption layer, the light can be absorbed, and most of the light can be avoided reflecting to the active layer, thereby improving the performance of TFT devices.

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板。
技术介绍
顶栅自对准氧化物由于寄生电容较小，是目前大尺寸显示面板首选的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)背板技术，顶栅自对准氧化物TFT器件通常采用IGZO(indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)作为有源层，这种材料对光照敏感，因此氧化物TFT器件会设计一层遮光层，用以遮挡TFT器件底部的光。但在实际工艺制作过程中，由于TFT器件的栅极、源极、漏极以及遮光层都是由金属材料制作而成的，光线经由器件内部金属的层间反射，一部分光线最终会反射到有源层，进而影响TFT器件性能，影响器件的寿命。
技术实现思路
本专利技术提供一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，以解决现有的TFT阵列基板，由于TFT器件大部分是由金属材料制备，光线经由器件内部金属的层间反射，导致一部分光线最终反射到有源层，进而影响到TFT器件性能，影响器件的寿命的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种TFT阵列基板的制备方法，包括：S10，提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层；S20，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层；其中，在所述有源层的一侧制备光吸收层在本专利技术的至少一种实施例中，在所述遮光层靠近所述有源层的一侧制备光吸收层。在本专利技术的至少一种实施例中，所述S10包括：S101，提供一基板，在所述基板上沉积金属膜层；S102，在所述金属膜层表面涂布黑色光阻，对所述黑色光阻进行曝光、显影，形成光吸收层；S103，对所述金属膜层进行刻蚀，形成图案化的遮光层；S104，在所述光吸收层上制备所述缓冲层。在本专利技术的至少一种实施例中，在所述源漏金属层靠近所述有源层的一侧制备所述光吸收层。在本专利技术的至少一种实施例中，所述S20包括：S201，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极；S202，在所述缓冲层上沉积无机材料；S203，在所述无机材料表面涂布黑色光阻，对所述黑色光阻进行曝光、显影，形成光吸收层；S204，对所述无机材料进行刻蚀，形成图案化的层间绝缘层；S205，在所述光吸收层上制备源漏金属层。在本专利技术的至少一种实施例中，所述栅极和所述栅极绝缘层经过同一道黄光工艺制备。在本专利技术的至少一种实施例中，所述栅极和所述栅极绝缘层的制备过程包括：在所述有源层表面沉积一层栅极绝缘材料；在所述栅极绝缘材料表面沉积一层栅极金属薄膜；在所述栅极金属薄膜表面形成图案化的光刻胶，对所述栅极金属薄膜进行刻蚀，形成图案化的所述栅极；再以所述栅极为自对准，对所述栅极绝缘材料进行刻蚀，形成图案化的栅极绝缘层。本专利技术提供一种TFT阵列基板，包括：基板、形成于所述基板上的遮光层、形成于所述遮光层上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的有源层、形成于所述有源层上的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的栅极、形成于所述栅极上的层间绝缘层、以及形成于所述层间绝缘层上的源漏金属层；其中，所述有源层的一侧设置有光吸收层。在本专利技术的至少一种实施例中，所述光吸收层设置于所述遮光层靠近所述有源层的一侧，所述光吸收层与所述遮光层对应设置，所述光吸收层为黑色光阻层。在本专利技术的至少一种实施例中，所述光吸收层设置于所述源漏金属层靠近所述有源层的一侧，所述光吸收层与所述源漏金属层对应设置，所述光吸收层为黑色光阻层。本专利技术的有益效果为：本专利技术通过在源漏极下方设置黑色光阻或在遮光层上方设置黑色光阻作为吸收层，用以吸收光线，能够避免大部分光线反射到有源层，进而改善TFT器件性能；另外，吸收层是在其他膜层刻蚀完成后未剥离的黑色光阻形成的，不会产生新的制程，工艺简单，节约成本。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为为本专利技术的TFT阵列基板的制备方法的步骤流程图；图2为本专利技术实施例一的TFT阵列基板的制备方法的步骤流程图；图3为本专利技术实施例一的TFT阵列基板的结构示意图；图4～图6为本专利技术实施例一的TFT阵列基板制备过程中的结构示意图；图7为本专利技术实施例二的TFT阵列基板的制备方法的步骤流程图；图8为本专利技术实施例二的TFT阵列基板的结构示意图；图9～图10为本专利技术实施例二的TFT阵列基板制备过程中的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有TFT阵列基板，由于阵列基板中的栅极、源漏极以及遮光层由金属材料制作，光线经由器件内部金属的层间反射，导致一部分光线最终会反射到有源层，影响TFT器件的性能，进而影响器件寿命的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，本专利技术提供一种TFT阵列基板的制备方法，包括：提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层；在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、以及层间绝缘层、以及源漏金属层；其中，在所述有源层的一侧制备光吸收层。由于有源层对光照敏感，都是由金属材料制作而成的，光线经由TFT器件内部的栅极、源极、漏极以及遮光层层间反射，导致部分光线反射到有源层，对器件性能造成影响，因此本专利技术制备的光吸收层主要针对上述金属层，起到吸收光线的作用，所述光吸收层可制备在所述遮光层靠近所述有源层的一侧，吸收反射到所述遮光层上的光线，也可制备在所述源漏金属层靠近所述有源层的一侧，吸收反射到所述源漏金属层上的光线。下面结合具体实施例，对本专利技术进行详细说明。实施例一如图2～5所示，本专利技术提供一种TFT阵列基板10的制备方法，包括以下步骤：S10，提供一基板11，在所述基板11上沉积金属膜层121；S20，在所述金属膜层121表面涂布黑色光阻131，对所述黑色光阻131进行曝光、显影，形成光吸收层13；S30，对所述金属膜层121进行刻蚀，以形成图案化的遮光层12；S40，在所述基板11上制备缓冲层14，所述缓冲层14覆盖所述光吸收层13；S50，在所述缓冲层14上依次制备有源层15、栅极绝缘层16、栅极17、层间绝缘层18、以及源漏金属层19。下面对所述制备方法进行详细说明。先清洗基板11，基板11可为玻璃基板，也可为柔性基板，如基酰亚胺基板。如图3所示，在所述基板11上通过沉积一层金属膜层121来制备遮光层12，所述金属膜层121的厚度在500～2000埃之间，所述金属膜层121可采用钼、铝、铜、钛中的一种或者两种以上组合而成的合金制备。如图4所示，在所述金属膜层121表面涂布黑色光阻131，利用掩膜板对所述黑色光阻131进行曝光，显影后形成预定图案的光吸收层13，再对所述金属膜层121进行刻蚀，得到图案化的所述遮光层12，在刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：S10，提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层；S20，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层；其中，在所述有源层的一侧制备光吸收层。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：S10，提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层；S20，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层；其中，在所述有源层的一侧制备光吸收层。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述遮光层靠近所述有源层的一侧制备光吸收层。3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述S10包括：S101，提供一基板，在所述基板上沉积金属膜层；S102，在所述金属膜层表面涂布黑色光阻，对所述黑色光阻进行曝光、显影，形成光吸收层；S103，对所述金属膜层进行刻蚀，形成图案化的遮光层；S104，在所述光吸收层上制备所述缓冲层。4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述源漏金属层靠近所述有源层的一侧制备所述光吸收层。5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述S20包括：S201，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极；S202，在所述缓冲层上沉积无机材料；S203，在所述无机材料表面涂布黑色光阻，对所述黑色光阻进行曝光、显影，形成光吸收层；S204，对所述无机材料进行刻蚀，形成图案化的层间绝缘层；S205，在所述光吸收层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：马倩，任章淳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44