OLED显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种OLED显示面板及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供基板；在所述基板上形成彩膜层、缓冲层、有源区、以及覆盖所述有源区的叠层结构，所述叠层结构自下到上依次包括栅极介质层、透明导电层和金属层；形成位于所述有源区上方的栅极叠层和位于所述彩膜层上方的阳极叠层；形成覆盖所述缓冲层、有源区、栅极叠层和阳极叠层的层间介质层；形成源漏金属层、覆盖所述源漏金属层的平坦化层、覆盖所述平坦化层的发光结构。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制作方法
本专利技术涉及电子显示领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示技术发展突飞猛进，OLED产品由于具有轻薄、响应快、广视角、高对比度、可弯折等优点，受到了越来越多的关注和应用，主要应用在手机、平板、电视等显示
由于OLED显示屏的薄膜晶体管层(ThinFilmTransistor,TFT)结构复杂，需要数十道工艺才能完成TFT层的制作。每一层结构的形成都需要提供不同形状的掩膜版，进一步增加了显示屏的制作成本。如何在不影响工艺良率的情况下减少掩膜版的数目以进一步降低成本，成为目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种OLED显示面板及其制作方法，以降低OLED显示面板的制作成本。为解决上述问题，本专利技术提供了一种OLED显示面板的制造方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板包括彩膜层和有源区，所述彩膜层和有源区在水平面上的投影不重合；形成覆盖所述有源区的叠层结构，所述叠层结构自下到上依次包括栅极介质层、透明导电层和金属层；使用同一张掩膜版将所述叠层结构图形化，形成位于所述有源区上方的栅极叠层和位于所述彩膜层上方的第一阳极叠层；去除所述阳极叠层中的金属层，暴露出所述透明导电层，形成阳极叠层；形成覆盖所述缓冲层、有源区、栅极叠层和阳极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有多个通孔；形成源漏金属层，所述源漏金属层通过所述通孔形成与所述源极、漏极和阳极之间的电连接；形成覆盖所述源漏金属层的平坦化层，所述平坦化层上具有暴露出所述阳极叠层的电极区域的通孔；形成覆盖所述平坦化层的发光结构。根据本专利技术的其中一个方面，所述有源区在水平方向的投影与所述彩膜层在水平方向的投影不重合。根据本专利技术的其中一个方面，使用同一张掩膜版将所述叠层结构图形化的方法包括以下步骤：形成覆盖所述叠层结构的光刻胶，所述光刻胶具有第一厚度；采用一张掩膜版将所述光刻胶图形化，形成位于有源区上方的栅极光刻胶和位于彩膜层上方的阳极光刻胶，所述栅极光刻胶的厚度大于所述阳极光刻胶厚度；以所述栅极光刻胶和阳极光刻胶为掩膜，将所述金属层图形化，形成栅极叠层和阳极叠层，暴露出所述缓冲层和有源区。根据本专利技术的其中一个方面，所述掩膜版同时具有用于形成栅极叠层的第一图形和用于形成阳极叠层的第二图形。根据本专利技术的其中一个方面，所述栅极光刻胶的厚度大于或等于所述阳极光刻胶厚度的两倍。根据本专利技术的其中一个方面，所述掩膜版的第一图形和第二图形具有不同的透光率，所述第一图形的透光率大于所述第二图形的透光率。根据本专利技术的其中一个方面，在使用同一张掩膜版将所述叠层结构图形化之后，还包括以下步骤：以所述栅极光刻胶和阳极光刻胶为掩膜，将所述有源区导体化，在栅极叠层两侧的有源区中形成源区和漏区。根据本专利技术的其中一个方面，所述层间介质层的通孔包括：暴露出源极的第一通孔、暴露出漏极的第二通孔、暴露出所述阳极叠层的第一区域的第三通孔、以及暴露出所述阳极叠层的电极区域的第四通孔；其中，所述电极区域紧贴位于所述阳极电极上方的发光结构，所述第一区域位于所述电极区域之外且不与所述电极区域电连接。根据本专利技术的其中一个方面，所述源漏金属层通过第一通孔与源极电连接、通过第二通孔与漏区电连接、通过第二通孔和第三通孔将所漏区与阳极电连接。相应的，本专利技术还提供了一种OLED显示面板，其包括：基板，所述基板包括彩膜层和有源区，所述彩膜层和有源区在水平面上的投影不重合；位于所述有源区上方的栅极叠层和位于所述彩膜层上方的阳极叠层，所述栅极叠层自下到上依次包括栅极介质层、透明导电层和金属层，所述阳极叠层自下到上依次包括栅极介质层和透明导电层；覆盖所述缓冲层、有源区、栅极叠层和阳极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有多个通孔；通过所述通孔与所述源极、漏极和阳极电连接的源漏金属层；覆盖所述源漏金属层的平坦化层，所述平坦化层上具有暴露出所述阳极叠层的电极区域的通孔；覆盖所述平坦化层的发光结构。本专利技术提供的OLED显示面板的制作方法采用一张掩膜版即可同时将栅极叠层和阳极叠层图形化，相比于现有技术通过两张掩膜版分别形成栅极叠层和阳极叠层的技术方案，本专利技术显著的节约了工艺成本、简化了工艺流程。同时，采用本专利技术的制作方法形成的OLED显示面板的阳极叠层与栅极叠层位于同一水平面上，相比于现有技术中阳极叠层高于栅极叠层的设计，本专利技术的OLED显示面板减少了一层绝缘层，能够进一步简化工艺，节约成本。附图说明图1至图9为本专利技术的一个具体实施例中的处于不同的工艺步骤中的OLED显示面板的结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。为解决上述问题，本专利技术提供一种OLED显示面板及其制作方法，以降低OLED显示面板的制作成本。下面将结合附图对本专利技术进行详细说明。具体的，参见图1至图9，图1至图9为本专利技术的一个具体实施例中的处于不同的工艺步骤中的OLED显示面板的结构示意图。首先，参见图1，提供基板10，并在所述基板10上形成彩膜层12。所述基板10可以为硬质基板，例如玻璃，也可以是柔性基板，例如PI。所述彩膜层由红、绿、蓝三种颜色的彩膜规律性排布组成。之后，参见图2，形成覆盖所述彩膜层12的缓冲层14，并在所述缓冲层14上形成有源区16。所述有源区16用于形成薄膜晶体管的沟道区和源漏区。所述有源区16在水平方向的投影与所述彩膜层12在水平方向的投影不重合。所述有源区可以采用非晶硅形成，也可以采用多晶硅形成，优选的，所述有源区采用低温多晶硅形成。低温多晶硅具有良好的载流子迁移率，同时成本低，可靠性高，是制备OLED显示屏的优选材料。之后，参见图3，形成覆盖所述有源区16的叠层结构，所述叠层结构自下到上依次包括栅极介质层18、透明导电层20和金属层22。之后，参见图4和图5，使用同一张掩膜版将所述叠层结构图形化，形成位于所述有源区16上方的栅极叠层和位于所述彩膜层12上方的第一阳极叠层。具体的，形成覆盖所述叠层结构的光刻胶，所述光刻胶具有第一厚度；之后，采用一张掩膜版将所述光刻胶图形化，形成位于有源区16上方的栅极光刻胶和位于彩膜层12上方的阳极光刻胶24，所述栅极光刻胶26的厚度大于所述阳极光刻胶24厚度，如图4所示。即所述掩膜版同时具有用于形成栅极叠层的第一图形和用于形成阳极叠层的第二图形。优选的，所述栅极光刻胶26的厚度大于或等于所述阳极光刻胶24厚度的两倍。具体的，在此处通过Halftonemask工艺实现。其中，所述掩膜版的第一图形和第二图形具有不同的透光率，所述第一图形的透光率大于所述第二图形的透光率。在实际中，根据对光刻胶的厚度需求调整所述第一图形和第二图形的透光率。Halftonemask技术是本领域的常规技术手段，在此不再赘述。优选的，以所述栅极光刻胶26和阳极光刻胶24为掩膜，将所述有源区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供基板，所述基板包括彩膜层和有源区，所述彩膜层和有源区在水平面上的投影不重合；形成覆盖所述有源区的叠层结构，所述叠层结构自下到上依次包括栅极介质层、透明导电层和金属层；使用同一张掩膜版将所述叠层结构图形化，形成位于所述有源区上方的栅极叠层和位于所述彩膜层上方的第一阳极叠层；去除所述阳极叠层中的金属层，暴露出所述透明导电层，形成阳极叠层；形成覆盖所述缓冲层、有源区、栅极叠层和阳极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有多个通孔；形成源漏金属层，所述源漏金属层通过所述通孔形成与所述源极、漏极和阳极之间的电连接；形成覆盖所述源漏金属层的平坦化层，所述平坦化层上具有暴露出所述阳极叠层的电极区域的通孔；形成覆盖所述平坦化层的发光结构。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供基板，所述基板包括彩膜层和有源区，所述彩膜层和有源区在水平面上的投影不重合；形成覆盖所述有源区的叠层结构，所述叠层结构自下到上依次包括栅极介质层、透明导电层和金属层；使用同一张掩膜版将所述叠层结构图形化，形成位于所述有源区上方的栅极叠层和位于所述彩膜层上方的第一阳极叠层；去除所述阳极叠层中的金属层，暴露出所述透明导电层，形成阳极叠层；形成覆盖所述缓冲层、有源区、栅极叠层和阳极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有多个通孔；形成源漏金属层，所述源漏金属层通过所述通孔形成与所述源极、漏极和阳极之间的电连接；形成覆盖所述源漏金属层的平坦化层，所述平坦化层上具有暴露出所述阳极叠层的电极区域的通孔；形成覆盖所述平坦化层的发光结构。2.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述有源区在水平方向的投影与所述彩膜层在水平方向的投影不重合。3.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，使用同一张掩膜版将所述叠层结构图形化的方法包括以下步骤：形成覆盖所述叠层结构的光刻胶，所述光刻胶具有第一厚度；采用一张掩膜版将所述光刻胶图形化，形成位于有源区上方的栅极光刻胶和位于彩膜层上方的阳极光刻胶，所述栅极光刻胶的厚度大于所述阳极光刻胶厚度；以所述栅极光刻胶和阳极光刻胶为掩膜，将所述金属层图形化，形成栅极叠层和阳极叠层，暴露出所述缓冲层和有源区。4.根据权利要求3所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述掩膜版同时具有用于形成栅极叠层的第一图形和用于形成阳极叠层的第二图形。5.根据权利要求4所述的OLED显示面板的制造方法，其特征在于，所述栅极光刻胶的厚度大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐甲，任章淳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44