燃料标靶产生器制造技术

本公开部分实施例提供一种燃料标靶产生器。上述燃料标靶产生器包括一缓冲腔体，配置用于接收一标靶燃料。上述燃料标靶产生器还包括一存储腔体，连结至缓冲腔体并配置用于接收来自缓冲腔体的标靶燃料。上述燃料标靶产生器也包括一阀构件，配置用于控制标靶燃料从缓冲腔体到存储腔体的流动。另外，上述燃料标靶产生器包括一喷嘴，连结至存储腔体并配置用于供应标靶燃料。

【技术实现步骤摘要】
燃料标靶产生器
本专利技术部分实施例涉及一种燃料标靶产生器，特别涉及一种在光刻曝光系统中产生液滴的燃料标靶产生器。
技术介绍
半导体集成电路工业已历经蓬勃发展的阶段。集成电路材料及设计在技术上的进步使得每一代生产的集成电路变得比先前生产的集成电路更小且其电路也变得更复杂。在集成电路发展的进程中，功能性密度(例如：每一个芯片区域中内连接装置的数目)已经普遍增加，而几何尺寸(例如：工艺中所能创造出最小的元件(或线路))则是普遍下降。这种微缩化的过程通常可通过增加生产效率及降低相关支出提供许多利益。举例来说，对于使用较高分辨率的光刻工艺的需求成长。一种光刻技术是称为极紫外光刻技术(extremeultravioletlithography,EUVL)，EUVL使用具有约800nm波长的极紫外(EUV)区域的光的扫描仪。一种EUV光源是激光产生等离子体(laser-producedplasma，LPP)。LPP技术通过将高功率激光聚焦到小型燃料液滴上来产生EUV光，以形成高电离等离子体以发射EUV辐射，最大发射峰值为13.5nm。然后EUV光被收集器收集并由光学元件反射到光刻曝光物体，例如晶圆。虽然现有的产生极紫外光的方法及装置已经可足以应付其需求，然而仍未全面满足。因此，仍需要一种从输入能量增加能源转换效率予离子化的解决方案。
技术实现思路
本公开部分实施例提供一种燃料标靶产生器。上述燃料标靶产生器包括一缓冲腔体，配置用于接收一标靶燃料。上述燃料标靶产生器还包括一存储腔体，连结至缓冲腔体并配置用于接收来自缓冲腔体的标靶燃料。上述燃料标靶产生器也包括一阀构件，配置用于控制标靶燃料从缓冲腔体到存储腔体的流动。另外，上述燃料标靶产生器包括一喷嘴，连结至存储腔体并配置用于供应标靶燃料。本公开另一实施例提供一种光刻曝光系统。上述光刻曝光系统包括一燃料标靶产生器。燃料标靶产生器包括一缓冲腔体、一存储腔体及一喷嘴按序排列以导引标靶燃料的流动。缓冲腔体选择性连结至存储腔体。上述光刻曝光系统还包括一激光产生器配置用于产生用于撞击由燃料标靶产生器所产生的标靶燃料。上述光刻曝光系统也包括一控制器。控制器配置用于控制存储腔体与缓冲腔体具有相同气压。并且控制器配置用于控制从缓冲腔体到存储腔体的标靶燃料的流动。本公开另一实施例提供一种在光刻曝光系统产生辐射光的方法。上述方法包括在存储腔体中产生一个既定气压，以经由喷嘴供应在存储腔体中的第一批次标靶燃料。上述方法还包括使用激光照射来自喷嘴的标靶燃料以产生辐射光。上述方法也包括增加缓冲腔体中的气压至既定气压，缓冲腔体中存储第二批次标靶燃料。另外，上述方法还包括在缓冲腔体中产生既定气压后，启动标靶燃料从缓冲腔体到存储腔体的流动。附图说明根据以下的详细说明并配合说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，附图并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明：图1显示根据部分实施例的光刻系统的示意图。图2显示根据部分实施例的光源的示意图。图3显示根据部分实施例中连接到燃料源和控制器的燃料标靶产生器的示意图。图4显示根据部分实施例在光刻曝光制成中用于产生光的方法的流程图。图5显示根据部分实施例一标靶燃料产生器的部分构件的剖面图，其中标靶燃料通过一存储腔体产生。图6显示根据部分实施例一标靶燃料产生器的部分构件的剖面图，其中标靶燃料通过一存储腔体产生一既定时间，并且缓冲腔体填充一批次的标靶燃料。图7显示根据部分实施例一标靶燃料产生器的部分构件的剖面图，其中标靶燃料从缓冲腔体流动至存储腔体。图8显示根据部分实施例一标靶燃料产生器的部分构件的剖面图，其中存储腔体田中有标靶燃料并且缓冲腔体内的标靶燃料用尽。图9显示根据部分实施例的燃料标靶产生器的方框图。图10显示根据部分实施例的燃料标靶产生器的方框图。图11显示根据部分实施例的燃料标靶产生器的剖面图。附图标记说明：10～光刻系统12～光源13～控制器14～照明器16～掩模平台18～掩模20～投影光学模块22～半导体晶圆24～基板平台26～气体供应模块30、30a、30b、30c～燃料标靶产生器31～壳体310～外壁311～第一端312～第二端313～盖体314～连接元件32～存储腔体33、33a、33b～缓冲腔体34、34a、34c～通道35、35c～阀构件35a～流量控制构件36～燃料出口37～燃料入口38～进气端39～进气端40～调控器41～气体来源42、43～气体流水线44～流量控制构件(下游流量控制构件)45～流量控制构件(上游流量控制构件)46～加热器(下游加热器)47～加热器(上游加热器)48、49～气压检测器50～喷嘴51～过滤器510～过滤通道52～前端件53～液滴驱动元件60～激光产生等离子体收集器70～监测装置71～液滴状况检测器73～分析器80～标靶燃料81～激发区82～液滴83～扩张液滴85～燃料源90～激光产生器91～第一激光源92～预脉冲激光93～窗口95～第二激光源96～主要脉冲激光97～窗口D1～箭头G～加压气体L1～第一延伸轴线L2～第二延伸轴线LP1～照射位置(第一照射位置)LP2～照射位置(第二照射位置)S10～方法S11-S15～操作具体实施方式以下公开内容提供许多不同的实施例或优选范例以实施本公开的不同特征。当然，本公开也可以许多不同形式实施，而不局限于以下所述的实施例。以下公开内容配合附图详细叙述各个构件及其排列方式的特定范例，为了简化说明，使公开得以更透彻且完整，以将本公开的范围完整地传达予同领域熟悉此技术者。在下文中所使用的空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位之外，这些空间相关用词也意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，而在此所使用的空间相关用词也可依此相同解释。必须了解的是，未特别图示或描述的元件可以本领域技术人士所熟知的各种形式存在。此外，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号及/或文字，这些重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。在附图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。本公开所描述的先进光刻工艺，方法和材料可用于许多应用，包括鳍式场效应晶体管(FinFET)。举例而言，本公开内容适合图案化鳍片以在特征之间产生相对紧密之间隔。另外，可以根据本公开公开内容加工用于形成鳍式场效应晶体管的鳍片的隔离物。图1显示根据部分实施例的光刻系统10的示意图。一般而言，光刻系统10也可为可执行光刻曝光工艺的一扫描器，且此光刻曝光工艺具有个别的放射源以及曝光模式。根据部分实施例，光刻系统10包括一光源12、一照明器14、一掩模平台16、一投影光学模块(或投影光学盒模块(projectionopticsbox,POB)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种燃料标靶产生器，包括：一缓冲腔体，配置用于接收一标靶燃料；一存储腔体，连结至该缓冲腔体并配置用于接收来自该缓冲腔体的该标靶燃料；一阀构件，配置用于控制该标靶燃料从该缓冲腔体到该存储腔体的流动；以及一喷嘴，连结至该存储腔体并配置用于供应该标靶燃料。

【技术特征摘要】
2017.11.08 US 62/583,052;2018.06.07 US 16/002,1801.一种燃料标靶产生器，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖政豪，张汉龙，陈立锐，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71