一种超声波电源半桥式IGBT驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超声波电源半桥式IGBT驱动电路，包括驱动板，所述驱动板上设置有放大器OP1、放大器OP2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、功率管Q1、功率管Q2、功率管Q3、功率管Q4、反向驱动器IC1、变压器T1和变压器T2。有益效果：解决脉冲变压器输出时脉冲的上升沿和下降沿产生的交叉损耗，使IGBT迅速关断和开启，降低IGBT的损耗和发热量，有效解决IGBT因过热损坏和效率下降。

A Semi-Bridge IGBT Driving Circuit for Ultrasound Power Supply

【技术实现步骤摘要】
一种超声波电源半桥式IGBT驱动电路
本技术涉及驱动电路
，具体来说，涉及一种超声波电源半桥式IGBT驱动电路。
技术介绍
现有超声波电源多采用IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)功率管作为主功率变换器件，一般低成本采用脉冲变压器作为驱动电路，高成本采用进口IGBT专用驱动模块驱动。普通脉冲变压器驱动对绕线要求高，由于漏感等因素的存在脉冲变压器输出的信号脉冲上升沿和下降沿时间过长对IGBT存在交叉损耗，导致IGBT发热量大而效率下降极易损坏。进口的IGBT专用驱动模块成本高，外部需要复杂隔离电源供电，故障点多。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本技术提出一种超声波电源半桥式IGBT驱动电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。为此，本技术采用的具体技术方案如下：一种超声波电源半桥式IGBT驱动电路，包括驱动板，所述驱动板上设置有放大器OP1、放大器OP2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超声波电源半桥式IGBT驱动电路，包括驱动板，其特征在于，所述驱动板上设置有放大器OP1、放大器OP2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、功率管Q1、功率管Q2、功率管Q3、功率管Q4、功率管Q5、功率管Q6、功率管Q7、功率管Q8、功率管Q9、功率管Q10、功率管Q11、...

【技术特征摘要】
1.一种超声波电源半桥式IGBT驱动电路，包括驱动板，其特征在于，所述驱动板上设置有放大器OP1、放大器OP2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、功率管Q1、功率管Q2、功率管Q3、功率管Q4、功率管Q5、功率管Q6、功率管Q7、功率管Q8、功率管Q9、功率管Q10、功率管Q11、功率管Q12、功率管Q13、功率管Q14、功率管Q15、功率管Q16、反向驱动器IC1、变压器T1和变压器T2；其中，所述电容C4的一端与所述电容C5的一端连接并接地，所述电容C4的另一端分别与所述电容C5的另一端、所述电阻R3的一端及电源正极连接，所述电阻R3的另一端与所述放大器OP1的第二引脚连接，所述放大器OP1的第三引脚与信号输入端正极连接，所述放大器OP1的第五引脚接地，所述放大器OP1的第六引脚分别与所述电阻R4的一端、所述反向驱动器IC1的第一引脚、所述反向驱动器IC1的第三引脚、所述反向驱动器IC1的第五引脚及所述电阻R6的一端连接，所述电阻R4的另一端分别与所述电源正极及所述放大器OP1的第八引脚连接，所述反向驱动器IC1的第二引脚与所述反向驱动器IC1的第四引脚及所述反向驱动器IC1的第六引脚分别均与所述电阻R7的一端连接，所述反向驱动器IC1的第七引脚接地；所述电阻R6的另一端分别与所述功率管Q1的基极及所述功率管Q3的基极连接，所述功率管Q1的集电极与所述电源正极连接，所述功率管Q1的发射极分别与所述功率管Q3的发射极、所述功率管Q2的基极及所述功率管Q4的基极连接，所述功率管Q3的集电极接地，所述功率管Q2的集电极分别与所述电源正极及所述二极管D1的负极连接，所述功率管Q2的发射极分别与所述功率管Q4的发射极、所述二极管D1的正极、所述电容C1的一端及所述二极管D2的负极连接，所述功率管Q4的集电极与所述二极管D2的正极连接并接地，所述电容C1的另一端与所述变压器T1的第一输入端连接；所述电阻R7的另一端分别与所述功率管Q5的基极及所述功率管Q7的基极连接，所述功率管Q5的集电极与所述电源正极连接，所述功率管Q5的发射极分别与所述功率管Q7的发射极、所述功率管Q6的基极及所述功率管Q8的基极连接，所述功率管Q7的集电极接地，所述功率管Q6的集电极分别与所述电源正极及所述二极管D4的负极连接，所述功率管Q6的发射极分别与所述功率管Q8的发射极、所述二极管D4的正极、所述电阻R5的一端及所述二极管D5的负极连接，所述功率管Q8的集电极与所述二极管D5的正极连接并接地，所述电阻R5的另一端与所述变压器T1的第二输入端连接，所述变压器T1的第一输出端分别与所述电阻R1的一端、所述电容C1的一端及所述二极管D3的负极连接，所述电阻R1的另一端分别与所述电容C2的另一端、所述二极管D3的正极及所述电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端通过所述电阻R2与所述变压器T1的第二输出端连接；所述放大器OP2的第二引脚通过所述电阻R8与所述电源正极连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：方绪山，
申请(专利权)人：南京千维电气有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32