一种深紫外LED器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种深紫外LED器件及其制备方法，该LED器件包括LED外延片、N电极和P电极，所述N电极包括在N型AlGaN层上依次设置的4层金属层：接触层、反射层、隔离层和保护层，所述接触层为Cr金属层，且所述Cr金属层的厚度为1nm‑2nm；所述反射层为Al金属层，且所述Al金属层的厚度大于等于100nm；所述隔离层为Ti金属层或者Ni金属层，所述保护层为Au金属层。采用特殊结构的N电极，增强N电极对紫外光的反射率，使得原来在LED芯片内部经反射能到达N电极，被N电极吸收的光能够有大部分通过反射从侧面或者背面逃逸，从而提高整个LED芯片的光提取效率。

A Deep Ultraviolet LED Device and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED器件及其制备方法
本专利技术涉及LED芯片工艺
，特别涉及一种深紫外LED器件及其制备方法。
技术介绍
随着LED技术的不断进步，其发光波段已经由可见光波段拓展至深紫外波段，且紫外和深紫外LED的应用日趋广泛，如紫外固化，消毒杀菌，紫外光通信等等。对比于蓝光LED，紫外LED所面临的最大问题就是光功率低，外量子效率低。如果能够将到达电极处的光有效的反射回去，那么将极大的提高倒装LED的光提取效率。已经有人在关注P型反射电极对光提取效率的提升，但是在N型反射电极方面，研究少之又少。在紫外LED芯片上，占空比一般在50％左右，也就是有很大一部分从有源区发出的光经过内部的多次反射将到达N电极区，被N电极区吸收而造成极大的浪费(如附图2所示，图中的1、2、3、4、5表示光五条逃逸路径，其中2和4路径与N电极区吸收密切相关)，导致深紫外LED的光提取效率极低，成为深紫外LED技术突破的主要门槛。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种深紫外LED器件及其制备方法，采用特殊结构的N电极，在提供稳定电学接触的同时，增强N电极对紫外光的反射率，使得原来在L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外LED器件，其特征在于，包括LED外延片、N电极和P电极，所述LED外延片包括依次叠加设置的蓝宝石衬底、AlN层、i‑AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层，所述P电极设置在P型GaN层上，所述N电极设置在N型AlGaN层上，所述N电极包括在所述N型AlGaN层上依次设置的4层金属层：接触层、反射层、隔离层和保护层，所述接触层为Cr金属层，且所述Cr金属层的厚度为1nm‑2nm；所述反射层为Al金属层，且所述Al金属层的厚度大于等于100nm；所述隔离层为Ti金属层或者Ni金属层，所述保护层为Au金属层。

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED器件，其特征在于，包括LED外延片、N电极和P电极，所述LED外延片包括依次叠加设置的蓝宝石衬底、AlN层、i-AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层，所述P电极设置在P型GaN层上，所述N电极设置在N型AlGaN层上，所述N电极包括在所述N型AlGaN层上依次设置的4层金属层：接触层、反射层、隔离层和保护层，所述接触层为Cr金属层，且所述Cr金属层的厚度为1nm-2nm；所述反射层为Al金属层，且所述Al金属层的厚度大于等于100nm；所述隔离层为Ti金属层或者Ni金属层，所述保护层为Au金属层。2.如权利要求1所述的一种深紫外LED器件，其特征在于，所述隔离层的厚度为30nm-50nm；所述保护层的厚度为50nm-70nm。3.如权利要求1所述的一种深紫外LED器件，其特征在于，所述隔离层的厚度为40nm；所述保护层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高扬，陈长清，戴江南，
申请(专利权)人：华中科技大学鄂州工业技术研究院，华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42