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本发明提供了一种深紫外LED器件及其制备方法，该LED器件包括LED外延片、N电极和P电极，所述N电极包括在N型AlGaN层上依次设置的4层金属层：接触层、反射层、隔离层和保护层，所述接触层为Cr金属层，且所述Cr金属层的厚度为1nm‑2n...该专利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学授权不得商用。