一种LED芯片的电极制备方法技术

一种LED芯片的电极制备方法，包括如下步骤：（1）在外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层；（2）在焊接层表面涂正性光刻胶，通过光刻得到正性光刻胶的电极图形；（3）对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀，然后烘烤LED芯片；（4）对缓冲层腐蚀，然后烘烤LED芯片；（5）对粘结层腐蚀；（6）去除正性光刻胶，得到LED芯片的电极。该方法通过腐蚀一层金属后再对正性光刻胶图形进行烘烤的方式，使下一层金属层图形大于上一层金属层，这样既保证电极结构的完整也确保粘结层大于焊接层，避免了焊线是压力过大导致掉电极的问题，提升了芯片的品质。

An Electrode Preparation Method for LED Chips

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的电极制备方法
本专利技术涉及一种LED芯片的电极制备方法，属于光电子

技术介绍
LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。上世纪50年代，在IBMThomasJ.WatsonResearchCenter为代表的诸多知名研究机构的努力下，以GaAs为代表的III–V族半导体在半导体发光领域迅速崛起。之后随着金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术的出现，使得高质量的III–V族半导体的生长突破了技术壁垒，各种波长的半导体发光二极管器件相继涌入市场。由于半导体发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片的电极制备方法，其特征是，包括如下步骤：（1）在LED芯片的外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层；（2）在步骤(1)蒸镀的焊接层表面涂正性光刻胶，通过光刻得到正性光刻胶的电极图形；（3）将LED芯片浸泡在焊接层腐蚀液中，对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀，然后烘烤LED芯片；（4）将LED芯片浸泡在缓冲层腐蚀液中，对缓冲层腐蚀，因光刻胶经过烘烤后会对缓冲层上再进行保护，腐蚀后的缓冲层图形将大于腐蚀后的焊接层图形，然后烘烤LED芯片；（5）将LED芯片浸泡在粘结层腐蚀液中，对粘结层腐蚀，因光刻胶经过烘烤后会对粘结层上再进行保护，腐蚀后的粘结层图形将大于腐蚀后的缓冲层图形...

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的电极制备方法，其特征是，包括如下步骤：（1）在LED芯片的外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层；（2）在步骤(1)蒸镀的焊接层表面涂正性光刻胶，通过光刻得到正性光刻胶的电极图形；（3）将LED芯片浸泡在焊接层腐蚀液中，对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀，然后烘烤LED芯片；（4）将LED芯片浸泡在缓冲层腐蚀液中，对缓冲层腐蚀，因光刻胶经过烘烤后会对缓冲层上再进行保护，腐蚀后的缓冲层图形将大于腐蚀后的焊接层图形，然后烘烤LED芯片；（5）将LED芯片浸泡在粘结层腐蚀液中，对粘结层腐蚀，因光刻胶经过烘烤后会对粘结层上再进行保护，腐蚀后的粘结层图形将大于腐蚀后的缓冲层图形；（6）去除正性光刻胶，得到LED芯片的电极。2.根据权利要求1所述的LED芯片的电极制备方法，其特征是，所述步骤（1）中粘结层为Cr或Au或Ge，厚度为0.02-0.06μm。3.根据权利要求1所述的L...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓明，刘琦，闫宝华，汤福国，肖成峰，郑兆河，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37