一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺制造技术

一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，包括如下步骤：a)在LED芯片表面对ITO接触层的ITO膜层蒸镀；b)高温退火；c)在蒸镀后的ITO接触层上蒸镀ITO粗化层；d)对LED芯片的ITO粗化层进行粗化处理。通过进行两次蒸镀ITO，底层ITO膜层即ITO接触层在低速率、无氧环境下沉积的膜层表面较为光滑，整体颗粒较小，与外延层表面之间能够形成良好的接触，顶层ITO膜层即ITO粗化层在高速率、有氧环境下进行蒸镀，初步完成粗化过程，然后进行完全粗化形成ITO完全粗化层，实现了不同折射率ITO膜层的堆叠.这样，外延层、ITO接触层、ITO粗化层、空气之间折射率逐渐变化，能够更大幅度的增加整个LED管芯的出光效率，有益于整体亮度的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺
本专利技术涉及LED芯片制造领域，具体涉及一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺。
技术介绍
发光二极管（LightEmittingDiode，LED），是一种电致发光的半导体元件，是由P电极和N电极构成的PN节组成,一般由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制作而成。发光二极管被称为第四代照明光源，因为具有体积小、环保、寿命长、节能、稳定性高等诸多优点，被广泛应用。目前，我国正在逐步成为全球LED产业基地，并且，海外新兴市场正为国内LED企业带来更大的机会，海外新兴市场快速增长将会持续利好国内LED厂商。据《2015-2020年中国LED照明产业市场前瞻与投资战略规划分析报告前瞻》的解析，LED照明市场一直是被认为是LED最重要、最具有发展前景的应用领域之一。那么，LED的发光亮度和其稳定性能就成为了整个LED制程中的重要指标和关键技术。目前，提升LED的亮度主要通过，粗化晶片表面的外延层、粗化晶片表面的电流扩展层、进行制作反射电极、使用高温腐蚀侧壁工艺、制作金属反射镜、进行隐形切割等技术方案，而对晶片表面电流扩展层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：a)在LED芯片生长完成ITO接触层（3）后利用电子束蒸发台在LED芯片表面对ITO接触层（3）的ITO膜层蒸镀，蒸镀速率为0.05埃/秒‑0.5埃/秒，蒸镀厚度为100埃‑600埃；b)将LED芯片放入管式退火炉中进行高温退火，退火温度为600‑650℃。

【技术特征摘要】
1.一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于，包括如下步骤：a)在LED芯片生长完成ITO接触层（3）后利用电子束蒸发台在LED芯片表面对ITO接触层（3）的ITO膜层蒸镀，蒸镀速率为0.05埃/秒-0.5埃/秒，蒸镀厚度为100埃-600埃；b)将LED芯片放入管式退火炉中进行高温退火，退火温度为600-650℃。2.退火时间为5-15min；c)将退火后的LED芯片利用电子束蒸发台在蒸镀后的ITO接触层（3）上蒸镀ITO粗化层（4），蒸镀速率为3埃/秒-5埃/秒，蒸镀厚度为500埃-3000埃；d)对LED芯片的ITO粗化层（4）进行粗化处理，使ITO粗化层（4）变为ITO完全粗化层（5）。3.根据权利要求1所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：所述步骤d)中的粗化处理为湿法腐蚀ITO，将步骤c)中蒸镀完ITO粗化层（4）后的LED芯片置入盐酸与双氧水的混合溶液中进行腐蚀，腐蚀时间为5-15秒，腐蚀后的LED芯片洗净表面的腐蚀液后进行表面干燥处理，所述腐蚀液中盐酸的质量份数为36%-38%，盐酸的密度为1.10-1.25g/ml，所述双氧水的质量份数为30%-32%，双氧水的密度为1.11-1.13g/ml。4.根据权利要求1所述的LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，其特征在于：所述步骤d)中的粗化处理为等离子表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓强，刘琦，闫宝华，汤福国，彭璐，肖成峰，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37