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一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，包括如下步骤：a)在LED芯片表面对ITO接触层的ITO膜层蒸镀；b)高温退火；c)在蒸镀后的ITO接触层上蒸镀ITO粗化层；d)对LED芯片的ITO粗化层进行粗化处理。通过进行两次蒸镀ITO，底...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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