一种具有极性反转层的LED外延结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种具有极性反转层的LED外延结构及制作方法，所述LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上以第一方向依次设置的缓冲层、非掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；其中，所述多量子阱层包括在所述第一方向上依次设置的氮极性反转层、InGaN层、镓极性反转层和第二N型氮化镓层。该LED外延结构具有较高的内量子效率，光电性能较好。

A LED Epitaxy Structure with Polarity Inversion Layer and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
一种具有极性反转层的LED外延结构及制作方法
本专利技术涉及半导体光电子
，更具体地说，涉及一种具有极性反转层的LED外延结构及制作方法。
技术介绍
Ⅲ族氮化物材料是第三代半导体材料，其包括氮化铝、氮化镓、氮化铟及其相关三元和四元化合物，具有直接带隙，是制备高量子效率LED的重要半导体化合物。而氮化镓作为第三代半导体材料的典型代表，已经成为了最具有应用前景的材料之一，引起了人们极大的关注和广泛的兴趣。Ⅲ族氮化物GaN、AlN和InGaN之间组合可形成从0.7ev到6.2ev连续变化的禁带宽度范围，因此可以获得蓝光、绿光和紫外光等的全波段LED，通常利用InGaN或AlInGaN三元或四元系合金中In或Al的含量来获得所要获得的波段，波长越长In组分就越高。因此，制备长波段InGaN/GaN的LED结构中In组分较高，但是随着In组分的提高，InGaN的晶格失配就会变大，因此获得高质量的InGaN就比较困难，不利于电子空穴的辐射复合，限制了其内量子效率的进一步提升。并且，随着In组分的提高，InGaN在外力作用下，由于晶格和热膨胀系数失配等原因产生的自发极化和压电极化就会越大，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有极性反转层的LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上以第一方向依次设置的缓冲层、非掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；其中，所述多量子阱层包括在所述第一方向上依次设置的氮极性反转层、InGaN层、镓极性反转层和第二N型氮化镓层。

【技术特征摘要】
1.一种具有极性反转层的LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构包括：衬底；在所述衬底上以第一方向依次设置的缓冲层、非掺杂氮化镓层、第一N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；其中，所述多量子阱层包括在所述第一方向上依次设置的氮极性反转层、InGaN层、镓极性反转层和第二N型氮化镓层。2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱层的层数为1层-10层，包括端点值，且多层所述多量子阱层在所述第一方向上依次设置。3.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述氮极性反转层为非掺杂的氮化镓层。4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述氮极性反转层为具有掺杂元素的氮化镓层。5.根据权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，所述氮极性反转层的掺杂元素为Si，掺杂浓度为1e18/cm3-5e18/cm3，包括端点值。6.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述氮极性反转层的厚度为0.2nm-10nm，包括端点...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍丽艳，滕龙，周浩，方誉，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36