【技术实现步骤摘要】
一种蓝宝石复合衬底
本技术属于GaN基LED生产领域，具体涉及一种蓝宝石复合衬底。
技术介绍
GaN基LED相比于传统光源具有光电转换效率高、寿命长、损耗低、无污染等显著优势，现在已经广泛用于通用照明、交通信号指示、显示屏和背光源等领域。提高发光效率是大规模生产中的重要目标，提高GaN材料晶体质量是提高发光效率的关键。GaN材料的晶体质量主要取决于两个方面，一是衬底材料，二是外延生长技术，针对不同的衬底材料，必须采用与之对应的外延生长技术。目前的外延生产主要采用蓝宝石衬底，但由于GaN材料与蓝宝石衬底之间晶格失配较大，大规模生产中主要采用两步生长工艺以减小材料应力。为进一步提高材料质量减小应力，中国专利CN105719946A公开了一种利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法高速生长GaN制作复合衬底制备方法，并通过在蓝宝石衬底上生长低温和高温GaN薄膜交替层，对生长完毕的交替层进行高温热处理，随后通过高速外延生长较厚GaN薄膜，能提高晶体质量，获得低缺陷密度的GaN复合衬底。该技术提供的GaN复合衬底制备方法能够显著降低GaN外延薄膜材料的缺陷密度，但工艺复...
【技术保护点】
1.一种蓝宝石复合衬底，其特征在于，该复合衬底包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN三明治结构，所述AlN三明治结构包括沉积于所述蓝宝石衬底上的第一Al2O3层、沉积于所述第一Al2O3层上的AlN层以及沉积于所述AlN层上的第二Al2O3层，且所述的AlN三明治结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合。
【技术特征摘要】
1.一种蓝宝石复合衬底，其特征在于，该复合衬底包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN三明治结构，所述AlN三明治结构包括沉积于所述蓝宝石衬底上的第一Al2O3层、沉积于所述第一Al2O3层上的AlN层以及沉积于所述AlN层上的第二Al2O3层，且所述的AlN三明治结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合。2.根据权利要求1所述的蓝宝石复合衬底，...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙一军，程志渊，盛况，周强，孙颖，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：新型
国别省市：浙江,33
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