一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构技术

本发明专利技术涉及一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构，包括如下步骤：(1)蓝宝石衬底置于MOCVD中生长；(2)将温度调节至550°，所述蓝宝石衬底的上表面生长出AlN buffer层；(3)将温度调节至1050～1100°，所述AlN buffer层的上表面由下至上依次生长出高温GaN缓冲层、N‑型AlGaN阻挡层和N‑GaN层；(4)生长超晶格InGaN层，其中，所述超晶格InGaN层的周期数为3～10层；(5)生长Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N/Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层量子阱结构。本发明专利技术提供的一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构，其中，量子阱、垒均为AlInGaN材料生长，减少由材料不同带来的应力影响，从而提高了发光效率。

A Method for Preparing Epitaxy Structure of Purple LED and Its Structure

The invention relates to a preparation method and a structure of a purple LED epitaxy structure, which comprises the following steps: (1) Sapphire substrate is grown in MOCVD; (2) temperature is adjusted to 550 degrees, and the upper surface of the sapphire substrate grows AlN buffer layer; (3) temperature is adjusted to 1050-1100 degrees, and the upper surface of the AlN buffer layer successively grows high temperature GaN buffer layer and N-type AlG buffer layer from bottom to top. AN barrier layer and N GaN layer; (4) growth of superlattice InGaN layer, in which the period of the superlattice InGaN layer is 3-10 layers; (5) growth of Alx1Iny1Ga1 x1 y1N / Alx2Iny2Ga1 x2 y2N layer quantum well structure. The invention provides a preparation method and a structure of a purple LED epitaxy structure, in which the quantum well and barrier are grown by AlInGaN material, reducing the stress effect caused by different materials, thereby improving the luminescence efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构
本专利技术涉及LED外延设计
，具体涉及一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、坚固耐用、发光波段可控性强、光效高、低热损耗、光衰小、节能、环保等优点，受到了广泛应用。近年来，LED在显示屏、仪表背光源、交通信号显示、汽车尾灯及车内仪表显示和装饰、以及照明等领域得到广泛应用。但LED照明的普及，其发光效率有待进一步提高。目前传统紫光LED外延结构，由于阱垒材料不同会产生很大应力，形成的内建电场影响发光效率。
技术实现思路
针对上述技术问题，本专利技术提供了一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构，其中，量子阱、垒均为AlInGaN材料生长，减少由材料不同带来的应力影响，从而提高了发光效率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种紫光LED外延结构的制备方法，包括如下步骤：(1)蓝宝石衬底置于MOCVD中生长；(2)将温度调节至550°，所述蓝宝石衬底的上表面生长出AlNbuffer层；(3)将温度调节至1050～1100°，所述AlNbuffer层的上表面由下至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)蓝宝石衬底置于MOCVD中生长；(2)将温度调节至550°，所述蓝宝石衬底的上表面生长出AlN buffer层；(3)将温度调节至1050～1100°，所述AlN buffer层的上表面由下至上依次生长出高温GaN缓冲层、N‑型AlGaN阻挡层和N‑GaN层；(4)生长超晶格InGaN层，其中，所述超晶格InGaN层的周期数为3～10层；(5)生长Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N/Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N层量子阱结构。

【技术特征摘要】
1.一种紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)蓝宝石衬底置于MOCVD中生长；(2)将温度调节至550°，所述蓝宝石衬底的上表面生长出AlNbuffer层；(3)将温度调节至1050～1100°，所述AlNbuffer层的上表面由下至上依次生长出高温GaN缓冲层、N-型AlGaN阻挡层和N-GaN层；(4)生长超晶格InGaN层，其中，所述超晶格InGaN层的周期数为3～10层；(5)生长Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层量子阱结构。2.根据权利要求1所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层的周期数为5～20层。3.根据权利要求1所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述量子阱结构尺寸如下：厚度为20～40nm，阱宽为3～5nm，垒17～35nm。4.根据权利要求1所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述量子阱结构中Al组分中的X1在0～0.1之间渐变，所述垒中si为delta掺杂。5.根据权利要求1所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，在步骤(5)后还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：武杰，易翰翔，郝锐，李玉珠，吴光芬，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44