一种发光二极管外延片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述多个InGaN量子阱层包括靠近所述P型层的多个第一InGaN量子阱层，从所述N型层到所述P型层方向上，所述多个第一InGaN量子阱层的厚度逐层递减，且所述多个第一InGaN量子阱层中In的含量逐层递减，可以降低多量子阱层中InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间的极化效应，从而提高LED的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。外延片是LED中的主要构成部分，现有的GaN基LED外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层。其中N型层中掺有Si，提供电子，P型层中掺有Mg，提供空穴。当电流注入GaN基LED外延片中时，N型层提供的电子和P型层提供的空穴在电流的驱动下，向多量子阱层迁移，并在多量子阱层中辐射复合发光。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：由于多量子阱层是由多个周期交替设置的InGaN量子阱层和GaN量子垒层组成，InGaN量子阱层和GaN量子垒层因晶格失配会产生应力，随着量子阱层和量子垒层的周期不断增多，量子阱层和量子垒层之间的应力会不断积聚，InGaN量子阱层和GaN量子垒层间的极化效应也会本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，其特征在于，所述多个InGaN量子阱层包括靠近所述P型层的多个第一InGaN量子阱层，从所述N型层到所述P型层方向上，所述多个第一InGaN量子阱层的厚度逐层递减，且所述多个第一InGaN量子阱层中In的含量逐层递减。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，其特征在于，所述多个InGaN量子阱层包括靠近所述P型层的多个第一InGaN量子阱层，从所述N型层到所述P型层方向上，所述多个第一InGaN量子阱层的厚度逐层递减，且所述多个第一InGaN量子阱层中In的含量逐层递减。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个第一InGaN量子阱层的个数为n，2≤n≤5。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个第一InGaN量子阱层中相邻的两个第一InGaN量子阱层的厚度相差0.2～0.5nm。4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述多个第一InGaN量子阱层中最靠近所述N型层的第一InGaN量子阱层的厚度为3～4nm。5.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层；在所述N型层上生长多量子阱层，所述多量子...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振，从颖，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32