一种发光二极管外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。一种发光二极管外延片，该外延片包括：衬底、以及顺次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层、及P型接触层，该外延片还包括BGaN插入层，BGaN插入层位于多量子阱层和电子阻挡层之间，多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，阱垒层包括InGaN量子阱和AlGaN量子垒，靠近N型掺杂GaN层的阱垒层中的InGaN量子阱与N型掺杂GaN层接触，靠近电子阻挡层的阱垒层中的AlGaN量子垒与BGaN插入层接触，电子阻挡层包括多个层叠的复合层，复合层包括第一复合子层，第一复合子层包括第一AlGaN层，靠近多量子阱层的复合层中的第一AlGaN层与BGaN插入层接触。

A Light Emitting Diode Epitaxy Sheet and Its Preparation Method

The invention discloses a light-emitting diode epitaxy sheet and a preparation method thereof, belonging to the technical field of light-emitting diodes. A light emitting diode (LED) epitaxy sheet consists of a substrate, a buffer layer, an undoped GaN layer, a N-type doped GaN layer, a multi-quantum well layer, an electronic barrier layer, a P-type doped GaN layer, and a P-type contact layer. The epitaxy sheet also includes a BGaN insertion layer, a BGaN insertion layer between a multi-quantum well layer and an electronic barrier layer, and a multi-quantum well layer consists of several layers. The well barrier layer consists of InGaN quantum well and AlGaN quantum barrier, InGaN quantum well in the well barrier layer near N-type doped GaN layer contacts with N-type doped GaN layer, AlGaN quantum barrier in the well barrier layer near the electronic barrier layer contacts with BGaN insertion layer, and the electronic barrier layer consists of multiple overlapping composite layers, including the first composite sub-layer and the first composite sub-layer including the first AlGaN layer. The first AlGaN layer in the composite layer near the MQW layer contacts the BGaN insertion layer.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管
，特别涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。
技术介绍
GaN(氮化镓)基LED(LightEmittingDiode，发光二极管)一般包括外延片和在外延片上制备的电极。外延片通常包括：衬底、以及顺次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂层、MQW(MultipleQuantumWell，多量子阱)层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。当有电流通过时，N型掺杂层等N型区的电子和P型GaN层等P型区的空穴进入MQW有源区并且复合，发出可见光。常规的MQW层由InGaN量子阱/AlGaN量子垒超晶格组成。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：MQW层中靠近电子阻挡层的AlGaN量子垒与电子阻挡层之间存在较大的晶格失配，导致AlGaN量子垒与电子阻挡层之间产生较多界面极化物，界面极化物将降低LED的发光效率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，能够减少MQW层中靠近电子阻挡层的AlGaN量子垒与电子阻挡层之间存在的晶格失配。所述技术方案如下：第一方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括：衬底、以及顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层、及P型接触层，其特征在于，所述外延片还包括BGaN插入层，所述BGaN插入层位于所述多量子阱层和所述电子阻挡层之间，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括InGaN量子阱和AlGaN量子垒，靠近所述N型掺杂GaN层的阱垒层中的InGaN量子阱与所述N型掺杂GaN层接触，靠近所述电子阻挡层的阱垒层中的AlGaN量子垒与所述BGaN插入层接触，所述电子阻挡层包括多个层叠的复合层，所述复合层包括第一复合子层，所述第一复合子层包括第一...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括：衬底、以及顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层、及P型接触层，其特征在于，所述外延片还包括BGaN插入层，所述BGaN插入层位于所述多量子阱层和所述电子阻挡层之间，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括InGaN量子阱和AlGaN量子垒，靠近所述N型掺杂GaN层的阱垒层中的InGaN量子阱与所述N型掺杂GaN层接触，靠近所述电子阻挡层的阱垒层中的AlGaN量子垒与所述BGaN插入层接触，所述电子阻挡层包括多个层叠的复合层，所述复合层包括第一复合子层，所述第一复合子层包括第一AlGaN层，靠近所述多量子阱层的复合层中的第一AlGaN层与所述BGaN插入层接触。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述BGaN插入层的厚度为2.0～4.0nm。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述BGaN插入层包括层叠在所述多量子阱层上的第一BGaN层、第二BGaN层和第三BGaN层，所述第一BGaN层、所述第二BGaN层和所述第三BGaN层中的B组分含量逐渐递增。4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一BGaN层、所述第二BGaN层和所述第三BGaN层分别为Bx1Ga1-x1N层、Bx2Ga1-x2N层、以及Bx3Ga1-x3N层，0<x1<x2<x3<0.5。5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一BGaN层和所述第二BGaN层的厚度相同，所述第三BGaN层的厚度是所述第一BGaN层的厚度的2倍。6.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述BGaN插入层为ByGa1-yN层，0<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旺平，乔楠，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32