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本发明涉及一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构，包括如下步骤：(1)蓝宝石衬底置于MOCVD中生长；(2)将温度调节至550°，所述蓝宝石衬底的上表面生长出AlN buffer层；(3)将温度调节至1050～1100°，所述AlN bu...
该专利属于广东德力光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东德力光电有限公司授权不得商用。

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