发光二极管的外延片及其制作方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法、发光二极管，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、缺陷阻断层、n型层、应力释放层、发光层和p型层，缺陷阻断层为InxAlyGa1‑x‑yN层。由于GaN的晶格常数介于AlN晶格常数与InN晶格常数之间，InxAlyGa1‑x‑yN的晶格常数也介于AlN晶格常数与InN晶格常数之间，因此采用InxAlyGa1‑x‑yN制作缺陷阻断层，可以降低缺陷阻断层与n型层之间的晶格失配，缺陷密度也会随之减少，从而减少因缺陷在发光层产生的非辐射复合中心，提高了发光效率。

Epitaxy Wafer of Light Emitting Diode and Its Fabrication Method and Light Emitting Diode

The invention discloses an epitaxial sheet of light-emitting diode, a manufacturing method thereof and a light-emitting diode, belonging to the field of photoelectronics manufacturing technology. The epitaxial wafer consists of the substrate and AlN buffer layer, u-GaN layer, defect resistance fault, n-layer, stress release layer, luminescent layer and p-layer formed successively on the substrate. The defect resistance fault is InxAlyGa1 x yN layer. Since the lattice constant of GaN is between that of AlN and InN, and that of InxAlyGa1 x yN is between that of AlN and InN, the lattice constant of InxAlyGa1 x yN is also between that of InxAlyGa1 x yN. Therefore, the lattice mismatch between defect resistance faults and n-type layers can be reduced, and the defect density can also be reduced, thus the non-emission layer caused by defects can be reduced. The radiation recombination center improves the luminous efficiency.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管的外延片及其制作方法、发光二极管
本专利技术涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管的外延片及其制作方法、发光二极管。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。目前GaN基LED外延片通常包括衬底和在衬底上依次生长的AlN缓冲层、u型GaN层、缺陷阻断层、n型层、应力释放层、发光层和p型层。LED通电后，载流子(包括n型层的电子和p型层的空穴)会向发光层迁移，并在发光层中复合发光。缺陷阻断层为AlGaN层，可以阻断底层缺陷向上延伸。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：由于制作材料存在晶格失配，在AlGaN层和n型层的界面会产生新的缺陷，这些缺陷会一直延伸到发光层，形成非辐射复合中心，降低发光层的发光效率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片及其制作方法、发光二极管，能够提高发光层的发光效率。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、缺陷阻断层、n型层、应力释放层、发光层和p型层，所述缺陷阻断层为InxAlyGa1‑x‑yN层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，x+y＜1。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、缺陷阻断层、n型层、应力释放层、发光层和p型层，所述缺陷阻断层为InxAlyGa1-x-yN层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，x+y＜1。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述缺陷阻断层的厚度为7.5nm～8.5nm。3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，x和y满足以下条件中的一种：x和y均为定值；x和y中的一个为定值，x和y中的另一个沿所述缺陷阻断层的厚度方向渐变；x和y均沿所述缺陷阻断层的厚度方向渐变。4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，0.01＜x＜0.05，0.05＜y＜0.25。5.根据权利要求1～4任一项所述的外延片，其特征在于，还包括p型电子阻挡层，所述p型电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：张武斌，王坤，周盈盈，曹阳，乔楠，吕蒙普，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33