【技术实现步骤摘要】
基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统及其方法
本专利技术涉及一种半导体功率器件动态测试系统及其方法，具体是一种基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统及其方法，用于监测功率器件在测试过程中的发热状况，属于功率半导体器件测试
技术介绍
功率器件的可靠性通常由器件在不失效的前提下能够吸收的最大能量来衡量，该最大能量受到功率器件内部的结构参数的限制，并且该最大能量被器件内部的电热特性严重的影响。举例来说，在功率器件的非钳位感性开关（UIS）测试过程中，电流会向着器件内部耐压最低的击穿薄弱点汇聚，当电流开始汇聚后，击穿薄弱点处的温度迅速上升，由于功率器件的耐压会随着温度的上升而增加，导致击穿薄弱点处的耐压增加，当击穿薄弱点的耐压高于其它位置的耐压时，电流会向着耐压低的位置转移和汇聚，如果击穿薄弱点的耐压始终无法超过其它位置，器件就会在击穿薄弱点处烧毁。如果电流无法从耐压最低的击穿薄弱点处转移走，那么器件在不失效的前提下能够吸收的最大能量就会大大减小，不利于器件的推广使用。目前，功率器件在动态测试过程中（例如UIS测试、短路测试等）经常出现局部烧毁的现象，...
【技术保护点】
1.基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，包括测试电路板（1）、信号发生器（2）和红外热成像仪（3），其特征在于：用于安装被测器件T的测试电路板（1）与信号发生器（2）连接，所述红外热成像仪（3）的观测窗口对准被测器件T，用于拍摄及显示测试过程中被测器件T的温度分布图像。
【技术特征摘要】
1.基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，包括测试电路板（1）、信号发生器（2）和红外热成像仪（3），其特征在于：用于安装被测器件T的测试电路板（1）与信号发生器（2）连接，所述红外热成像仪（3）的观测窗口对准被测器件T，用于拍摄及显示测试过程中被测器件T的温度分布图像。2.根据权利要求1所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述测试电路板（1）包括开关失效测试电路板、非钳位感性测试电路板或短路测试电路板。3.根据权利要求2所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述开关失效测试电路板包括电源S、稳压电容C、开关管T1、被测器件T、控制晶体管T2、电感L及续流二极管D，所述稳压电容C与电源S并联，所述电源S的正极接开关管T1的漏极，所述开关管T1的源极分别与续流二极管D的负极、电感L的一端连接，所述续流二极管D的正极与电感L的另一端连接，所述电感L的另一端分别与被测器件T的漏极、控制晶体管T2的漏极连接，所述被测器件T的源极、控制晶体管T2的源极均与电源S的负极连接。4.根据权利要求2所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述非钳位感性测试电路板包括电源S、稳压电容C、开关管T1、被测器件T、控制晶体管T2、电感L及续流二极管D，所述稳压电容C与电源S并联，所述电源S的正极接开关管T1的漏极，所述开关管T1的源极分别与续流二极管D的负极、电感L的一端连接，所述续流二极管D的正极与被测器件T的源极、控制晶体管T2的源极、电源S的负极连接，所述电感L的另一端分别与被测器件T的漏极、控制晶体管T2的漏极连接。5.根据权利要求3或4所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述信号发生器（2）与被测器件T、开关管T1及控制晶体管T2的栅极连接，用于提供栅极电压使器件导通。6.根据权利要求3或4所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述控制晶体管T2的击穿电压大于被测器件T的击穿电压。7.根据权利要求1所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述被测器件T为未封装的器件，且芯片表面裸露，在芯片表面有打线。8.一种如权利要求1所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一.搭建测试系统：将被测器件T安装在测试电路板（1）上，将信号发生器（2）与测试电路板（1）上的开关管T1、被测器件T及控制晶体管T2的栅极连接，同时将红外热成像仪（3）的观测窗口对准被测器件T；步骤二.开关失效测试：在一个测试周期开始后，信号发生器（2）在t0时刻给开关管T1的栅极输出高电平，开关管...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，周锦程，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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