输入缓冲器中的偏移电压调整的设备制造技术

本发明专利技术描述用于提供半导体装置的外部端子的设备。实例设备包含：输入垫；输入缓冲器，其包含第一输入节点及第二输入节点；开关，其在作用状态中将所述第一输入节点与所述第二输入节点耦合且进一步在非作用状态中将所述第一输入节点与所述第二输入节点解耦；控制电路，其提供引起所述开关处在所述作用状态或非作用状态中的信号。所述输入缓冲器的所述第一输入节点通过导电布线耦合到所述输入垫。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】输入缓冲器中的偏移电压调整的设备
技术介绍
高数据可靠性、高速存储器存取、减小的芯片大小及减小的功率消耗是半导体存储器所要求的特征。近年来，已努力通过提供具有降低的电压的输入信号而减小功率消耗。降低的电压确实减小功率消耗。然而，降低的电压可引起输入缓冲器中的电压灵敏度问题。举例来说，输入缓冲器可具有偏移电压(Voff)，所述偏移电压(Voff)是参考电压(VREF)与阈值电压之间的间隙，所述参考电压(VREF)经提供以确定输入信号的逻辑高电平与逻辑低电平之间的反转点(Vx＝对应于在输出节点处的电压从逻辑低电平“L”到逻辑高电平“H”的转变的输入节点的电压)，所述阈值电压是响应于所述参考电压(VREF)而在输入缓冲器中使用。输入缓冲器的偏移电压(Voff)可在装置间略微变化反转点(Vx)，且降低的小电压振幅具有针对小偏移电压的小公差，所述小偏移电压在根据设计基于参考电压(VREF)电压确定反转点时引入非所要误差。为了将每一输入缓冲器的偏移电压(Voff)的效应减轻到优选水平，可提供包含测试输入缓冲器及具有偏移电压(Voff)的主输入缓冲器的偏移电压Voff调整电路。图1A是在正常模式中的半导体装置中的偏移电压(Voff)调整电路的示意图，其包含输入垫、测试输入缓冲器及主输入缓冲器。图1B是在测试模式中的半导体装置中的偏移电压(Voff)调整电路的示意图，其降低偏移电压(Voff)且因此使Vx更接近VREF。偏移(Voff)调整电路可包含用于测试的测试输入缓冲器。举例来说，测试输入缓冲器可为从输入垫接收输入信号的输入缓冲器。举例来说，输入信号可具有适于互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的电压。举例来说，测试输入缓冲器可包含逻辑AND门。偏移(Voff)调整电路可包含输入垫、测试输入缓冲器与主输入缓冲器之间的开关SW1。开关SW1在主输入缓冲器的输入节点与测试输入缓冲器的输入节点之间切换，且因此开关SW1将输入垫耦合到主输入缓冲器的输入节点及测试输入缓冲器的输入节点中的一者。举例来说，通门可用作开关SW1。偏移(Voff)调整电路可包含介于具有参考电压(VREF)的参考节点与主输入缓冲器的输入节点之间的开关SW2。当开关SW2接通(例如，闭合)时，开关SW2将参考电压产生器耦合到主输入缓冲器的输入节点，且可将参考电压(VREF)提供到主输入缓冲器的输入节点。偏移(Voff)调整电路可包含主输入缓冲器，所述主输入缓冲器具有输入节点及耦合到具有参考电压(VREF)的参考节点的参考输入节点。主输入缓冲器检测在输入节点处的输入电压对参考电压(VREF)的相对电压且确定输出信号的输出电压。举例来说，当相对电压为正(其意味着输入电压高于参考电压(VREF))时，主输入缓冲器可提供逻辑高电平的输出信号。如果相对电压为负(其意味着输入电压低于参考电压(VREF))，那么主输入缓冲器可提供逻辑低电平的输出信号。举例来说，主输入缓冲器可包含比较器电路。举例来说，在正常模式中，开关SW1将输入垫耦合到主输入缓冲器的输入节点，如图1A中展示。因此，当开关SW1接通时，可将输入信号的输入电压(VIN)提供到主输入缓冲器的输入节点。开关SW2未接通且断开。图2是展示主输入缓冲器的输出电平与输入电压(VIN)及参考电压(VREF)的组合之间的关系的基于图表的图式。如图2的“输出电平(理想)”中展示且如先前描述，主输入缓冲器经设计以在输入电压(VIN)低于参考电压(VREF)时提供逻辑低电平(“L”)的输出信号。主输入缓冲器经设计以在输入电压(VIN)高于参考电压(VREF)时提供逻辑高电平(“H”)的输出信号。在此情境中，Voff＝0且Vx＝VREF。然而，这是理想情况，实际输入缓冲器的偏移电压(Voff)趋于是非零的，因此反转点Vx不同于参考电压(VREF)。为了调整此误差，已使用测试模式。在测试模式中，开关SW1将输入垫耦合到测试输入缓冲器且开关SW2将参考节点耦合到主输入缓冲器的输入节点，如图1B中展示。因此，将参考电压(VREF)提供到主输入缓冲器的输入节点。主输入缓冲器具有用于基于测试信号(例如，Voff调整控制旗标TVxAdj)调整偏移电压(Voff)的偏移电压(Voff)调整功能性。举例来说，测试信号(例如Voff调整控制旗标TVxAdj)可采用从0到7的八个不同值，然而，值可不限于从0到7的范围。主输入缓冲器可响应于测试信号而改变输出信号的电平。举例来说，如图2中展示的输入缓冲器可具有用以确定主输入缓冲器是否可提供具有逻辑高电平(“H”)或逻辑低电平(“L”)的输出信号的反转点(Vx)，所述反转点(Vx)根据设计响应于Voff调整控制旗标TVxAdj表示等于或小于“2”的值而变得低于参考电压(VREF)。另一方面，如图2中展示的输入缓冲器可具有反转点(Vx)，所述反转点(Vx)根据设计响应于Voff调整控制旗标TVxAdj具有等于或大于“3”的值而变得高于参考电压(VREF)。测试器(未展示)可监测在测试模式中的主输入缓冲器的输出信号的逻辑电平，且可进一步确定具有“2”值的Voff调整控制旗标TVxAdj可用于主输入缓冲器的Voff调整。由于输入缓冲器的偏移电压可归因于MOS装置的变化而变化，因此Voff调整控制旗标TVxAdj的适当值在输入缓冲器间变化。测试器可使用包含输入缓冲器的半导体装置中的熔丝设置Voff调整控制旗标TVxAdj的适当值，以便调整每一输入缓冲器的偏移电压Voff。举例来说，测试器可定位于半导体装置的外部。在上文的Voff调整电路中，开关SW1串联耦合到输入垫及主输入缓冲器。典型地，包含MOS装置的开关SW1引起输入垫与主输入缓冲器之间的Voff调整电路中的阻抗。Voff调整电路中的阻抗降低半导体装置的操作速度。因此，可期望无输入垫与主输入缓冲器之间的开关SW1的Voff调整电路。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例的实例设备可包含：输入垫；第一输入缓冲器，其可包含第一输入节点及第二输入节点；导电布线，其可永久地耦合于所述输入垫与所述第一输入缓冲器的所述第一输入节点之间；及第一开关，其可将所述输入垫耦合到所述第一输入缓冲器的所述第二输入节点。根据本专利技术的实施例的另一实例设备可包含：输入垫；第一输入缓冲器，其可包含第一输入节点及第二输入节点；及第一开关，其可耦合于所述第一输入缓冲器的所述第一输入节点与所述第二输入节点之间。所述第一输入节点可永久地耦合到所述输入垫。所述设备可在正常模式及测试模式中执行操作，所述测试模式可包含第一阶段及第二阶段。所述第一开关可在所述正常模式中断开，且可在所述测试模式的所述第一阶段中进一步断开且至少部分响应于所述测试模式从所述第一阶段到所述第二阶段的改变而闭合。根据本专利技术的实施例的另一实例设备可包含：输入垫；第一输入缓冲器，其可包含第一输入节点及第二输入节点；第一开关；及控制电路。所述第一开关可在作用状态中将所述第一输入节点与所述第二输入节点耦合且可进一步在非作用状态中将所述第一输入节点与所述第二输入节点解耦。所述控制电路可提供引起所述第一开关处在所述作用状态或非作用状态中的信号。所述第一输入节点可耦合到所述输入垫。附图说明图1A是在正常模式中的半导体装置中的偏移电压(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：输入垫；第一输入缓冲器，其包含第一输入节点及第二输入节点；导电布线，其经配置以永久地耦合于所述输入垫与所述第一输入缓冲器的所述第一输入节点之间；及第一开关，其经配置以将所述输入垫耦合到所述第一输入缓冲器的所述第二输入节点。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.20 US 15/270,9961.一种设备，其包括：输入垫；第一输入缓冲器，其包含第一输入节点及第二输入节点；导电布线，其经配置以永久地耦合于所述输入垫与所述第一输入缓冲器的所述第一输入节点之间；及第一开关，其经配置以将所述输入垫耦合到所述第一输入缓冲器的所述第二输入节点。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：参考电压产生器，其耦合到所述第一输入缓冲器的所述第二输入节点且经配置以产生参考电压。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一输入缓冲器经配置以响应于是所述第一输入节点处的第一电压相对于所述第二输入节点处的第二电压的相对电压而提供信号，且其中所述第一输入缓冲器经配置以接收测试信号且进一步经配置以响应于所述测试信号而调整所述相对电压。4.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括：第二输入缓冲器，其包含第三输入节点及第四输入节点；及第二开关，其经配置以将所述输入垫耦合到所述第二输入缓冲器的所述第三输入节点。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述输入垫经配置以提供命令的至少一部分，且其中所述第二开关经配置以响应于提供到所述输入垫的命令的至少部分而将所述输入垫与所述第二输入缓冲器的所述第三输入节点耦合。6.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括启用输入垫，其中所述第一开关经配置以响应于提供到所述启用输入垫的启用信号而将所述输入垫与所述第二输入节点耦合。7.根据权利要求6所述的设备，其进一步包括参考电压产生器，所述参考电压产生器耦合到所述第一输入缓冲器的所述第二输入节点且经配置以产生参考电压，其中所述参考电压产生器及所述输入垫中的一者经配置以响应于所述启用信号而将所述参考电压提供到所述第一输入节点及所述第二输入节点，且其中所述参考电压产生器及所述输入垫中的另一者响应于所述启用信号而处在浮动状态。8.一种设备，其包括：输入垫；第一输入缓冲器，其包含第一输入节点及第二输入节点，所述第一输入节点永久地耦合到所述输入垫；及第一开关，其耦合于所述第一输入缓冲器的所述第一输入节点与所述第二输入节点之间，其中所述设备经配置以在正常模式及测试模式中执行操作，所述测试模式包括第一阶段及第二阶段，其中所述第一开关在所述正常模式中断开；且其中所述第一开关在所述测试模式的所述第一阶段中断开且所述第一开关至少部分响应于所述测试模式从所述第一阶段到所述第二阶段的改变而闭合。9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：参考电压产生器，其经配置以在所述正常模式及所述测试模式的所述第一阶段中将参考电压提供到所述第一输入缓冲器的所述第二输入节点。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述参考电压产生器进一步经配置以在所述测试模式的所述第二阶段中停止提供所述参考电压。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述输入垫经配置以在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：小隈定行，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US