一种三维存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种三维存储器。上述三维存储器，包括：阵列层、外围器件层和粘结层；上述粘结层中形成有互连阵列层后段金属的第一互连层，上述粘结层在上述三维存储器的高度方向上连接上述阵列层和上述外围器件层；其中上述粘结层的第一粘结表面与上述阵列层粘结，上述粘结层的第二粘结表面与上述外围器件层粘结，上述阵列层与上述外围器件层通过上述粘结层电连接。本发明专利技术能够解决现有技术制造周期长，以及模块化程度低的缺陷。

A Three-Dimensional Memory

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器
本专利技术涉及一种存储器，尤其涉及一种三维存储器。
技术介绍
随着对高度集成电子装置的持续重视，对以更高的速度和更低的功率运行并具有增大的器件密度的半导体存储器件存在持续的需求。为达到这一目的，已经发展了具有更小尺寸的器件和具有以水平和垂直阵列布置的晶体管单元的多层器件。三维存储器是业界所研发的一种新兴的闪存类型，通过垂直堆叠多层数据存储单元来解决二维或者平面闪存带来的限制，其具备卓越的精度，支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，可打造出存储容量比同类闪存技术高达数倍的存储设备，进而有效降低成本和能耗，能全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。如图1A-图1B所示，现有的三维存储器的制造方法主要包括：(1)在第一个晶圆形成带有位线/字线触点的阵列层；(2)在第二个晶圆形成CMOS外围器件；(3)将阵列晶圆和CMOS晶圆混合粘结在一起。现有的三维存储器存在如下缺陷：1、制造周期时间长：形成阵列晶圆的处理时间远比形成CMOS晶圆的处理时间长得多，导致制造三维存储器的总周期时间过长。2、模块化程度低：阵列晶圆形成工艺和CMOS晶圆形成工艺之间高度交互干扰，难本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括阵列层，外围器件层和粘结层；所述粘结层中形成有互连阵列层后段金属的第一互连层，所述粘结层在所述三维存储器的高度方向上连接所述阵列层和所述外围器件层；其中所述粘结层的第一粘结表面与所述阵列层粘结，所述粘结层的第二粘结表面与所述外围器件层粘结，所述阵列层与所述外围器件层通过所述粘结层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括阵列层，外围器件层和粘结层；所述粘结层中形成有互连阵列层后段金属的第一互连层，所述粘结层在所述三维存储器的高度方向上连接所述阵列层和所述外围器件层；其中所述粘结层的第一粘结表面与所述阵列层粘结，所述粘结层的第二粘结表面与所述外围器件层粘结，所述阵列层与所述外围器件层通过所述粘结层电连接。2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一互连层包括所述阵列层的位线和位线触点，所述位线触点电连接所述位线和所述阵列层，所述位线触点暴露于所述第一粘结表面。3.如权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述阵列层包括等级层堆栈、沿所述高度方向贯穿所述等级层堆栈的沟道孔、位于所述沟道孔内的沟道层以及接触所述沟道层的漏极，所述漏极与所述位线触点电连接。4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一互连层包括共源触点和字...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡斌，肖莉红，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42