扇出型天线封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种扇出型天线封装结构，扇出型天线封装结构包括：重新布线层，重新布线层包括相对的第一面及第二面；堆叠设置的至少两层天线结构，天线结构位于重新布线层的第二面上，与重新布线层中的金属布线层电连接，天线结构的侧面具有同一平面，且天线结构在水平方向上的投影覆盖金属布线层；半导体芯片及金属凸块，位于重新布线层的第一面上，并与金属布线层电连接，且天线结构在水平方向上的投影覆盖半导体芯片及金属凸块。从而形成堆叠设置的具有多层天线结构、高效率天线性能、高整合性的扇出型天线封装结构；通过天线结构在水平方向上的投影覆盖金属布线层、半导体芯片及金属凸块的特性，可提高产品质量。

Fan-out Antenna Packaging Structure

The utility model provides a fan-out antenna encapsulation structure. The fan-out antenna encapsulation structure includes: a re-wiring layer, a re-wiring layer comprising a relative first side and a second side; at least two layers of antenna structures are stacked, and the antenna structure is located on the second side of the re-wiring layer, which is electrically connected with the metal wiring layer in the re-wiring layer, and the side of the antenna structure has the same plane. The projection of the antenna structure in the horizontal direction covers the metal wiring layer; the semiconductor chip and the metal bump are located on the first surface of the re-wiring layer and are electrically connected with the metal wiring layer, and the projection of the antenna structure in the horizontal direction covers the semiconductor chip and the metal bump. Thus, a fan-out antenna packaging structure with multi-layer antenna structure, high efficiency antenna performance and high integration is formed, and the product quality can be improved by covering the metal wiring layer, semiconductor chip and metal bump with the projection of the antenna structure in the horizontal direction.

【技术实现步骤摘要】
扇出型天线封装结构
本技术属于半导体封装
，涉及一种扇出型天线封装结构。
技术介绍
更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，常用的封装方法包括：晶圆级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，WLCSP)，扇出型晶圆级封装(Fan-OutWaferLevelPackage，FOWLP)，倒装芯片(FlipChip)，叠层封装(PackageonPackage，POP)等等。其中，FOWLP由于其输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好，已成为目前较为常用的封装方法之一。随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加，特别是为了配合移动的需求，大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。一般来说，现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面，这种做法会让天线占据额外的电路板面积，整合性较差。对于各种高科技电子产品而言，若将天线直接制作于电路板的表面，将需要具有较大体积的电路板，从而使得高科技电子产品也占据较大的体积，这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背，因此，如何减小天线封装结构的体积及提高天线封装结构的整合性能，将是这些电子装置所需克服的问题。鉴于此，有必要设计一种新型的扇出型天线封装结构，用于解决由于天线封装结构占据体积大、整合性较差，所引起的上述技术问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种扇出型天线封装结构，用于解决现有技术中天线封装结构的封装问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种扇出型天线封装结构，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构位于所述重新布线层的第二面上，与所述重新布线层中的金属布线层电连接，所述天线结构的侧面具有同一平面，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述金属布线层；半导体芯片及金属凸块，位于所述重新布线层的第一面上，并与所述金属布线层电连接，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述半导体芯片及金属凸块。可选地，所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。可选地，所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。可选地，所述半导体芯片与所述重新布线层的第一面之间还包括底部填充层。可选地，所述天线结构包括金属连接柱、封装层及天线金属层。可选地，所述封装层覆盖所述金属连接柱且显漏所述金属连接柱的上表面，所述天线金属层位于所述封装层的上表面与所述金属连接柱电连接。可选地，所述金属连接柱的底部还连接有横截面积大于所述金属连接柱的金属连接块。可选地，所述金属连接柱包括金金属连接柱、银金属连接柱、铜金属连接柱及铝金属连接柱中的一种。可选地，所述封装层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种。可选地，所述金属凸块包括铜金属凸块、镍金属凸块、锡金属凸块及银金属凸块中的一种。如上所述，本技术的扇出型天线封装-结构，可形成堆叠设置的具有多层天线结构、高效率天线性能、高整合性的扇出型天线封装结构；通过天线结构在水平方向上的投影覆盖金属布线层、半导体芯片及金属凸块的特性，可提高产品质量。附图说明图1显示为本技术中的扇出型天线封装方法的流程示意图。图2～图16显示为实施例一中的扇出型天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图。图17～图23显示为实施例二中的扇出型天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图。图24显示为实施例三中的扇出型天线封装结构的结构示意图。元件标号说明101支撑基底102分离层103重新布线层113介质层123金属布线层104第一天线结构114第一金属连接块124第一金属连接柱134第一封装层144第一天线金属层105第二天线结构115第二金属连接块125第二金属连接柱135第二封装层145第二天线金属层106第三天线结构116第三金属连接块126第三金属连接柱136第三封装层146第三天线金属层107半导体芯片108金属凸块109底部填充层具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图24。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1，本实施例提供一种扇出型天线封装方法，包括以下步骤：提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；于所述重新布线层的第二面上形成堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构与所述重新布线层中的金属布线层电连接，所述重新布线层凸出于所述天线结构的侧面；相接的所述天线结构在水平方向上的投影面积不等，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述金属布线层；基于所述分离层，显露所述重新布线层的第一面；提供半导体芯片，将所述半导体芯片接合于所述重新布线层的第一面上；于所述重新布线层的第一面上形成金属凸块；所述半导体芯片及金属凸块与所述金属布线层电连接，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述半导体芯片及金属凸块。本实施例可形成堆叠设置的具有多层天线结构、高效率天线性能、高整合性的扇出型天线封装结构的扇出型天线封装结构；通过相接的天线结构在水平方向上的投影面积不等及天线结构在水平方向上的投影覆盖金属布线层、半导体芯片及金属凸块的特性，可节约成本、提高生产效率、灵活控制扇出型天线封装结构的体积，扩大扇出型天线封装结构的适用范围。如图2～图16，示意了本实施例中扇出型天线封装方法各步骤所呈现的结构示意图。如图2，首先提供支撑基底101，于所述支撑基底101上形成分离层102。具体的，所述支撑基底101包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种，所述分离层102包括胶带及聚合物层中的一种。作为该实施例的进一步实施例，所述支撑基底101优选为玻璃衬底，所述分离层102优选为LTHC光热转换层。所述玻璃衬底成本较低，且容易在其表面形成所述LTHC光热转换层，且能降低后续所述LTHC光热转换层的分离工艺的难度，如基于激光对所述LTHC光热转换层进行加热，使得自所述LTHC光热转换层处进行分离。如图3，于所述分离层102上形成重新布线层103，所述重新布线层103包括与所述分离层102连接的第一面以及相对的第二面。具体的，制作所述重新布线层103包括以下步骤：采用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺于所述分离层102表面形成介质层113，并对所述介质层113进行刻蚀形成图形化的介质层113；采用物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化的介质层113表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型天线封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构位于所述重新布线层的第二面上，与所述重新布线层中的金属布线层电连接，所述天线结构的侧面具有同一平面，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述金属布线层；半导体芯片及金属凸块，位于所述重新布线层的第一面上，并与所述金属布线层电连接，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述半导体芯片及金属凸块。

【技术特征摘要】
1.一种扇出型天线封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构位于所述重新布线层的第二面上，与所述重新布线层中的金属布线层电连接，所述天线结构的侧面具有同一平面，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述金属布线层；半导体芯片及金属凸块，位于所述重新布线层的第一面上，并与所述金属布线层电连接，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述半导体芯片及金属凸块。2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述半导体芯片与所述重新布线层的第一面之间还包括底部填...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕娇，陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32