手动贴膜边缘去氧化层的制程方法技术

本发明专利技术提供一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，适用于去除晶片边缘氧化层的工艺。制程方法包括下列步骤：使用吸笔垂直将晶片从专用篮中取出，放置在治具上；抽取篮膜，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，用滚轴压平篮膜；确认蓝膜平坦，边缘无气泡，使用吸笔将晶片放置于专用篮；开始边缘氧化层去除；边缘氧化层去除完成的晶片转移至清洗专用篮，按顺序在药剂槽中浸泡，使蓝膜脱落，完成后将晶片旋干。

Processing Method of Manual Layering Edge Deoxidizing Layer

The invention provides a process method for removing the oxide layer on the edge of a wafer manually, which is suitable for the process of removing the oxide layer on the edge of a wafer. The process includes the following steps: using suction pen to remove wafers vertically from the special basket and place them on the fixture; extracting the basket film, aligning the positioning hole of the blue film to the positioning needle on the fixture, and pressing the basket film with a roller; confirming that the blue film is flat and the edge is free of bubbles, using suction pen to place the wafer in the special basket; starting the removal of the edge oxide layer; the wafer transfer completed by the removal of the edge oxide layer; To clean the special basket, soak in the medicine tank in order to make the blue film fall off, and then dry the wafer.

【技术实现步骤摘要】
手动贴膜边缘去氧化层的制程方法
本专利技术是有关于一种制程方法，且特别涉及可运用于去除晶片边缘氧化层的制程方法。
技术介绍
在全球信息化和经济全球化的进程中，以通信业、计算器业、网络业、家电业为代表的信息技术，获得了飞速发展，信息产业已经成为每一个发达国家的第一大产业。半导体工业，特别是集成电路工业是信息产业的基础和核心，是国民经济现代化舆信息化建设的先导和支柱产业，是改造和提升传统产业及众多高新技术产业的核心技术.半导体工业的主要物质基础是半导体材料。半导体材料制造技术的不断进步，推动了超大规模，超高速集成电路的迅速发展，带来了现代电子计算器的更新时代。半导体硅材料是重要的半导体材料，其用量约占半导体材料总用量的95％以上。半导体硅材料包括：硅多晶、硅单晶、硅单芯片、硅外延片、非晶硅和微晶硅、多孔硅以及硅基材料。硅材料已成为制造现代半导体器件不可缺少的重要的基础材料。半导体工艺制作出的晶片可广泛地应用于上述各种应用领域中，晶片的良率可说是直接决定了终端产品的质量，因此，在晶片的材料以及制作方式上各界均投入大量研究以确保其质量。不论其为何种应用领域的晶片，均须经过多道加工工艺，例如，晶圆切割、刻蚀、表面处理、封装、IC测试等程序，才能获得实际应用的电子组件或光电组件。在上述各种处理晶片的工艺中，晶片常会受到程度不同的外力作用。一般而言，晶片上各种功能结构通常设置于晶片具有最大面积的主要表面上，并且各结构常会在晶片上造成材料上的缺陷，而容易在这些缺陷上产生应力集中的现象。当所受到的外力逐渐增加时，这些区域上的应力集中现象会更加剧烈。由于目前的晶片材料都是使用脆性的材质，例如，硅晶圆，因此上述应力集中现象容易使得晶片应力集中处产生裂痕甚至导致晶片破裂，进而降低晶片良率同时提高其生产成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，可以在去除晶片边缘氧化层的过程之中，保护晶片需保留氧化层膜的区域，满足不同客户的不同要求，提高产品的附加值。本专利技术实施例所提出的一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，适用于去除晶片边缘氧化层的工艺，其特征在于，所述制程方法包括：(a)使用吸笔垂直将晶片从专用篮中取出，放置在治具上；(b)抽取篮膜，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，用滚轴压平篮膜；(c)确认蓝膜平坦，边缘无气泡，使用吸笔将晶片放置于专用篮；(d)开始边缘氧化层去除；(e)边缘氧化层去除完成的晶片转移至清洗专用篮，按顺序在药剂槽中浸泡，使蓝膜脱落，完成后将晶片旋干。在本专利技术的一实施例中，每篮贴膜前用旋边器旋转使晶片平口朝下。在本专利技术的一实施例中，晶片转换时，氧化层膜面一律朝上，且不得有晶片插斜、叠片、破片的情形；若晶片不满一篮时，须将晶片靠专用篮上摆放。在本专利技术的一实施例中，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，用滚轴横向、纵向压平篮膜；在本专利技术的一实施例中，将篮膜与晶片贴合时，要确保篮膜平坦，晶片边缘无气泡。在本专利技术的一实施例中，晶片气相边缘氧化层去除，需检查机台陶瓷盘温度、压力、CDA空压、氢氟酸流量及风速是否在规定范围内。在本专利技术的一实施例中，晶片在清洗槽中浸泡280sec，QDR清洗280sec，旋干280sec，使得晶片篮膜脱落。基于上述，本专利技术实施例所提供的一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，通过对晶片背面贴上篮膜，保护已经在晶片背面生长的氧化层。接着，在贴篮膜的过程中，通过滚轴压平来确保篮膜平坦，晶片边缘无气泡。可以进一步地使用气相蚀刻去除晶片表面氧化层。因此，手动贴膜边缘去氧化层的制程方法可保护晶片需保留氧化层膜的区域，满足不同客户对晶片的要求，提高产品的附加值。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1所示为根据本专利技术一具体实施例手动贴膜边缘去氧化层的制程方法的步骤流程图。图2所示为边缘去氧化层宽度五点测量的示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术提供的手动贴膜边缘去氧化层的制程方法的具体实施方式做详细说明。现将详细参考本专利技术的示范性实施例，在附图中说明所述示范性实施例的实例。另外，凡可能之处，在图式及实施方式中使用相同标号的组件/构件代表相同或类似部分。一般而言，在多晶硅长晶工艺的熔化过程之中，随着未熔化硅熔料的高度变化(亦即硅本专利技术提供一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，可以在去除晶片边缘氧化层的过程之中，保护晶片需保留氧化层膜的区域，满足不同客户的不同要求，提高产品的附加值。本专利技术实施例所提出的一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，适用于去除晶片边缘氧化层的工艺，其特征在于，所述制程方法包括：(a)使用吸笔垂直将晶片从专用篮中取出，放置在治具上；(b)抽取篮膜，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，用滚轴压平篮膜；(c)确认蓝膜平坦，边缘无气泡，使用吸笔将晶片放置于专用篮；(d)开始边缘氧化层去除；(e)边缘氧化层去除完成的晶片转移至清洗专用篮，按顺序在药剂槽中浸泡，使蓝膜脱落，完成后将晶片旋干。所述专利技术的一实施例中，每篮贴膜前用旋边器旋转使晶片平口朝下。所述专利技术的一实施例中，晶片转换时，氧化层膜面一律朝上，且不得有晶片插斜、叠片、破片的情形；若晶片不满一篮时，须将晶片靠专用篮上摆放。所述专利技术的一实施例中，作案过程中需要取放晶片时，必须使用吸笔；取片时正常晶片篮从H-bar开始取片，禁止介于晶片中间进行取片进行操作。所述专利技术的一实施例中，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，用滚轴横向、纵向压平篮膜；将篮膜与晶片贴合时，要确保篮膜平坦，晶片边缘无气泡。所述专利技术的一实施例中，针对客户要求预留晶片边缘宽度，使用倒角镜对晶片的五个点进行测量(图2)，测量宽度精确到0.1mm。所述专利技术的一实施例中，对于晶片边缘窄边宽度小于等于1.0mm，单片晶片范围五点max-min小于等于0.3mm；对于晶片边缘宽边宽度大于1.0mm，单片晶片范围五点max-min小于等于0.5mm。所诉专利技术的一实施例中，综上所述，本专利技术实施例所提供的一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，通过对晶片背面贴上篮膜，保护已经在晶片背面生长的氧化层。接着，在贴篮膜的过程中，通过滚轴压平来确保篮膜平坦，晶片边缘无气泡。可以进一步地使用气相蚀刻去除晶片表面氧化层。因此，手动贴膜边缘去氧化层的制程方法可保护晶片需保留氧化层膜的区域，满足不同客户对晶片的要求，提高产品的附加值。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，适用于去除晶片边缘氧化层的工艺，其特征在于，所述制程方法包括：(a)使用吸笔将晶片从晶片篮中取出，放置在治具上；(b)抽取篮膜，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，自然放下，再用滚轴压平篮膜；(c)确认边缘无气泡，使用吸笔将晶片拿起，放回晶片篮中；(d)开始边缘氧化层去除；(e)边缘氧化层去除完成的晶片转移至脫膜站，在藥液槽中浸泡，使蓝膜自然脱落，完成后将晶片旋干。

【技术特征摘要】
1.一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，适用于去除晶片边缘氧化层的工艺，其特征在于，所述制程方法包括：(a)使用吸笔将晶片从晶片篮中取出，放置在治具上；(b)抽取篮膜，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，自然放下，再用滚轴压平篮膜；(c)确认边缘无气泡，使用吸笔将晶片拿起，放回晶片篮中；(d)开始边缘氧化层去除；(e)边缘氧化层去除完成的晶片转移至脫膜站，在藥液槽中浸泡，使蓝膜自然脱落，完成后将晶片旋干。2.根据权利要求1所述的手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，其特征在于，所述晶片从晶片篮取出需使用吸笔，使用吸笔并需垂直取出晶片，放置在贴膜定位治具上。3.根据权利要求1所述的手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，其特征在于，所述蓝膜的定位孔与治具的定位针对准，用滚轴横向、纵向压平篮膜。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李汉生，蔡雪良，曹杰，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32