对准标记清洗方法以及半导体制造方法技术

技术编号:20973352 阅读:54 留言:0更新日期:2019-04-29 17:56
本发明专利技术揭示了一种对准标记清洗方法,本发明专利技术提供的对准标记清洗方法中,所述对准标记清洗方法包括:提供一基底,所述基底上具有对准标记,所述对准标记被杂质覆盖;提供反应器皿,使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记;向所述反应器皿中注入药液,与所述杂质反应;排出反应器皿中反应后的产物;以及移除所述反应器皿。由此,通过药液定向的进行清洗,即可使得对准标记上的杂质去除,操作过程简单,效果良好,不易对基底产生其他影响,降低生产成本。

Alignment mark cleaning method and semiconductor manufacturing method

The invention discloses an alignment label cleaning method. The alignment label cleaning method provided by the invention includes: providing a substrate with alignment labels on which the alignment labels are covered by impurities; providing a reactor dish so that the reactor dish is covered by the alignment labels covered by impurities; injecting medicinal liquid into the reactor dish. The reactor reacts with the impurities, discharges the reacted products from the reactor dish, and removes the reactor dish. As a result, the impurities on the alignment mark can be removed by directional cleaning of liquid medicine. The operation process is simple and the effect is good. It is not easy to have other effects on the substrate and reduce the production cost.

【技术实现步骤摘要】
对准标记清洗方法以及半导体制造方法
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种对准标记清洗方法以及半导体制造方法。
技术介绍
对准过程是半导体制造加工过程中经常遇到的,且是对产品质量产生重大影响的因素之一。于是,在晶圆上存在各种对准标记,用以进行需要时的对准。对准标记分为多类,例如存在一种被称为零层对准标记(zeromark)的对准标记,其制备在晶圆上,可以在后续加工过程中多次使用。但是,多次使用容易导致这种对准标记被后续过程中的杂质(例如膜层残留等)遮挡,透光性逐渐变差;或者是杂质填充了对准标记之间的间隙,使得对准标记变得平坦,难以侦测到高度差,直至影响了对准过程。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种对准标记清洗方法以及半导体制造方法,改善对准标记被杂质遮挡的情况。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种对准标记清洗方法,包括:提供一基底,所述基底上具有对准标记,所述对准标记被杂质覆盖;提供反应器皿,使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记;向所述反应器皿中注入药液,与所述杂质反应;排出反应器皿中反应后的产物;以及移除所述反应器皿。可选的,对于所述的对准标记清洗方法,执行多次向所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对准标记清洗方法,其特征在于,包括:提供一基底,所述基底上具有对准标记,所述对准标记被杂质覆盖;提供反应器皿,使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记;向所述反应器皿中注入药液,与所述杂质反应;排出反应器皿中反应后的产物;以及移除所述反应器皿。

【技术特征摘要】
1.一种对准标记清洗方法,其特征在于,包括:提供一基底,所述基底上具有对准标记,所述对准标记被杂质覆盖;提供反应器皿,使得所述反应器皿罩住被杂质覆盖的对准标记;向所述反应器皿中注入药液,与所述杂质反应;排出反应器皿中反应后的产物;以及移除所述反应器皿。2.如权利要求1所述的对准标记清洗方法,其特征在于,执行多次向所述反应器皿中注入药液以及排出反应器皿中反应后的产物的循环过程。3.如权利要求1所述的对准标记清洗方法,其特征在于,所述对准标记的材质为硅。4.如权利要求1所述的对准标记清洗方法,其特征在于,所述杂质为不透光杂质。5.如权利要求4所述的对准标记清洗方法,其特征在于,所述杂质包括氧化物,所述药液包括浓度为40%~50%的氢氟酸溶液。6.如权利要求4所述的对准标记清洗方法,其特征在于,所述杂质包括金属及其化合物,所述药液包括NH4OH和H2O2的混合液。7...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋春曾红林仇峰陈文磊游智星
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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