半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及控制在衬底上形成的膜的面内膜厚分布的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质，具有通过将非同时地进行对衬底供给原料而形成第一层的工序(a)和对衬底供给反应体将第一层改质而形成第二层的工序(b)的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，在工序(a)中依次实施：工序(a‑1)，对衬底在从第一供给部以第一流量供给非活性气体的同时供给原料，并且从第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a‑2)，对衬底在从第一供给部以第三流量供给非活性气体的同时供给原料，或者，在停止从第一供给部供给非活性气体的状态下从第一供给部供给原料，并且从第二供给部以第四流量供给非活性气体。

Manufacturing method of semiconductor device, substrate processing device and recording medium

The invention relates to a method for manufacturing semiconductor devices, a substrate treatment device and a recording medium for controlling the thickness distribution of the film formed on a substrate. The process (a) for forming the first layer by supplying the substrate to the raw material at different times and the process (b) for modifying the first layer to form the second layer by modifying the substrate supply reactor are provided with a specified number of cycles so as to form the second layer on the substrate. The membrane process is implemented in sequence in process (a): process (a When the supplying part supplies the inactive gas, the raw material is supplied from the first supplying part, and the inactive gas is supplied from the second supplying part with the fourth flow rate.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序中的一个工序，有时进行在衬底上形成膜的处理(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-118462号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供能够控制在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布的技术。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式，提供一种技术，其具有通过将非同时地进行下述工序的循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序：工序(a)，对衬底供给原料而形成第一层；工序(b)，对所述衬底供给反应体将所述第一层改质从而形成第二层，其中，在(a)中，依次实施下述工序(a-1)和(a-2)：工序(a-1)，对所述衬底在从第一供给部以第一流量供给非活性气体的同时供给所述原料，并且从与所述第一供给部相邻地设置的第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a-2)，对所述衬底，从所述第一供给部以比所述第一流量及所述第二流量都小的第三流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从所述第二供给部以第四流量供给非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体器件的制造方法，其具有通过将非同时地进行下述工序(a)和工序(b)的循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序：工序(a)，对衬底供给原料而形成第一层；工序(b)，对所述衬底供给反应体而将所述第一层改质，形成第二层，其中，在工序(a)中，依次进行下述工序(a‑1)和工序(a‑2)：工序(a‑1)，对所述衬底，从第一供给部以第一流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从与所述第一供给部相邻地设置的第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a‑2)，对所述衬底，从所述第一供给部以比所述第一流量及所述第二流量都小的第三流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从所述第二供给部以第四流量供...

【技术特征摘要】
2017.10.13 JP 2017-1995021.半导体器件的制造方法，其具有通过将非同时地进行下述工序(a)和工序(b)的循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序：工序(a)，对衬底供给原料而形成第一层；工序(b)，对所述衬底供给反应体而将所述第一层改质，形成第二层，其中，在工序(a)中，依次进行下述工序(a-1)和工序(a-2)：工序(a-1)，对所述衬底，从第一供给部以第一流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从与所述第一供给部相邻地设置的第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a-2)，对所述衬底，从所述第一供给部以比所述第一流量及所述第二流量都小的第三流量供给非活性气体且同时供给所述原料，并且从所述第二供给部以第四流量供给非活性气体；或者，对所述衬底在停止从所述第一供给部供给非活性气体的状态下从所述第一供给部供给所述原料，并且从所述第二供给部以第四流量供给非活性气体。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使工序(a-1)的实施时间短于工序(a-2)的实施时间。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使工序(a-1)中的所述原料的分压小于工序(a-2)中的所述原料的分压。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述原料中包含的构成所述膜的主元素的吸附状态为伪不饱和状态的期间进行工序(a-1)。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述原料中包含的构成所述膜的主元素的吸附状态为伪饱和状态的期间进行工序(a-2)。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述第一层的形成速率由第一速率向比所述第一速率小的第二速率变化的期间进行工序(a-1)。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述第一层的形成速率由第一速率向比所述第一速率小的第二速率变化后的期间进行工序(a-2)。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使工序(a-1)中的所述原料向所述衬底的中央部的到达量多于工序(a-2)中的所述原料向所述衬底的中央部的到达量。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在工序(a-1)中，使所述原料向所述衬底的中央部的到达量多于所述原料向所述衬底的外周部的到达量。10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使工序(a-1)中的所述衬底的中央部处的所述原料的浓度高于工序(a-2)中的所述衬底的中央部处的所述原料的浓度。11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在工序(a-1)中，使所述衬底的中央部处的所述原料的浓度高于所述衬底的外周部处的所述原料的浓度。12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，通过调节所述第四流量，从而对在所述衬底上形成的所述膜在所述衬底的面内的膜厚分布进行微调。13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在工序(a-1)中，使从所述第一供给部...

【专利技术属性】
技术研发人员：平松宏朗，江端慎也，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP