用于基板处理设备的气体喷涂设备及基板处理设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于基板处理设备的气体分配设备以及基板处理设备，所述气体分配设备包括：分配体，向对基板进行支撑的基板支撑单元分配处理气体；第一注入孔，设置在分配体中，向基板支撑单元分配的处理气体经由第一注入孔注入；以及第二注入孔，设置在分配体中在与第一注入孔间隔开的位置处，向基板支撑单元分配的处理气体经由第二注入孔被注入。

Gas Spraying Equipment and Substrate Processing Equipment for Substrate Processing Equipment

The invention relates to a gas distribution device and a substrate processing device for a substrate processing device, which comprises a distributor to distribute processing gas to a substrate support unit supporting the substrate, a first injection hole, which is arranged in the distributor to inject processing gas distributed to the substrate support unit through a first injection hole, and a second injection hole, which is arranged in the distributor to distribute processing gas to the substrate support unit. At the position separated from the first injection hole in the distributor, the processing gas allocated to the substrate support unit is injected through the second injection hole.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板处理设备的气体喷涂设备及基板处理设备
本专利技术涉及一种用于基板处理设备的气体分配设备及基板处理设备，执行诸如将薄膜沉积在基板上的沉积工艺的基板处理工艺。
技术介绍
通常，应该在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学图案，以制造太阳能电池、半导体装置和平板显示装置等。为此，执行半导体制造工艺，半导体制造工艺的示例包括在基板上沉积包括特定材料的薄膜的薄膜沉积工艺(thinfilmdepositionprocess)、通过使用光敏材料来选择性地曝光薄膜的一部分的光学工艺(photoprocess)、以及通过去除与选择性暴露部相对应的薄膜来形成图案的蚀刻工艺(etchingprocess)等。半导体制造工艺在基于用于相应工艺的最佳环境所设计的基板处理设备内部执行，近来，大量使用用于通过使用等离子体执行沉积工艺或蚀刻工艺的基板处理设备。基于等离子体的基板处理设备的示例包括用于通过使用等离子体形成薄膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、用于对薄膜进行蚀刻和图案化的等离子体蚀刻设备等。图1是现有技术的气体分配设备的概念性侧视图。参考图1，现有技术的气体分配设备100设置为位于基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：处理腔室；基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在所述处理腔室中以支撑多个基板；腔室盖，所述腔室盖覆盖所述处理腔室的上部；以及处理气体分配单元，所述处理气体分配单元安装在所述腔室盖中，以向所述基板支撑单元分配处理气体，其中，所述处理气体分配单元包括安装在所述腔室盖中的分配体以及面向所述基板支撑单元的等离子体电极，并且所述等离子体电极包括第一等离子体电极和第二等离子体电极，所述第二等离子体电极比所述第一等离子体电极短。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.06 KR 10-2016-01145151.一种基板处理设备，包括：处理腔室；基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在所述处理腔室中以支撑多个基板；腔室盖，所述腔室盖覆盖所述处理腔室的上部；以及处理气体分配单元，所述处理气体分配单元安装在所述腔室盖中，以向所述基板支撑单元分配处理气体，其中，所述处理气体分配单元包括安装在所述腔室盖中的分配体以及面向所述基板支撑单元的等离子体电极，并且所述等离子体电极包括第一等离子体电极和第二等离子体电极，所述第二等离子体电极比所述第一等离子体电极短。2.一种基板处理设备，包括：处理腔室；基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在所述处理腔室中以支撑多个基板；腔室盖，所述腔室盖覆盖所述处理腔室的上部；以及处理气体分配单元，所述处理气体分配单元安装在所述腔室盖中，以向所述基板支撑单元分配处理气体，其中，所述处理气体分配单元包括：分配体，所述分配体安装在所述腔室盖中；第一注入孔，向所述基板支撑单元分配的处理气体经由所述第一注入孔被注入；以及第二注入孔，向所述基板支撑单元分配的处理气体经由所述第二注入孔被注入，并且所述第一注入孔和所述第二注入孔设置在所述分配体中的不同位置处。3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述处理气体分配单元包括：多个第一分配孔，所述多个第一分配孔设置在所述分配体中；多个第二分配孔，所述多个第二分配孔设置在所述分配体中的与所述第一分配孔间隔开的位置处；第一分支槽，所述第一分支槽将所述第一分配孔和所述第一注入孔连接，使得经由所述第一注入孔注入的所述处理气体经由所述第一分配孔向所述基板支撑单元分配；以及第二分支槽，所述第二分支槽将所述第二分配孔和所述第二注入孔连接，使得经由所述第二注入孔注入的所述处理气体经由所述第二分配孔向所述基板支撑单元分配。4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中，所述第一分配孔沿第一轴线方向设置在所述分配体中并且彼此间隔开，并且所述第二分配孔沿所述第一轴线方向设置在所述分配体中并且彼此间隔开。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述第一分配孔相对于所述第一轴线方向设置在所述第二分配孔之间，并且所述第二分配孔相对于所述第一轴线方向邻近所述第一分配孔的两侧设置，使得设置相同数量的所述第二分配孔和所述第一分配孔。6.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述第一分配孔设置为相对于与所述第一轴线方向垂直的第二轴线方向具有比所述第二分配孔更长的长度，并且所述第一分支槽连接到的第一分配孔的数量比所述第二分支槽连接到的第二分配孔的数量更少。7.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述基板支撑单元围绕所述基板支撑单元的旋转轴旋转，所述第一注入孔设置在所述分配体的面向所述基板支撑单元的所述旋转轴的内表面中，并且所述第二注入孔设置在所述分配体的与所述内表面相对的外表面中。8.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述基板支撑单元围绕旋转轴旋转，所述处理气体分配单元包括：多个第一分配孔，所述多个第一分配孔沿所述第一轴线方向设置并且彼此间隔开；以及多个第二分配孔，所述多个第二分配孔沿所述第一轴线方向设置并且彼此间隔开，所述分配体包括：第一主体，所述第一主体设置有所述第一分配孔；以及第二主体，所述第二主体设置为相对于所述第一轴线方向从所述第一主体突出，所述第二主体包括第一子主体，所述第一子主体设置为在所述第一轴线方向上具有在朝向所述基板支撑单元的所述旋转轴的方向上减小的长度，并且所述第二分配孔设置在所述第二主体中，并且所述第二分配孔中的相对于所述第一轴线方向与所述第一分配孔间隔开长距离的一部分第二分配孔设置为在与所述第一轴线方向垂直的所述第二轴线方向上具有较短的长度。9.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述基板支撑单元围绕旋转轴旋转，所述分配体包括面向所述基板支撑单元的所述旋转轴的内表面以及与所述内表面相对的外表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成培，孙清，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR