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本发明涉及控制在衬底上形成的膜的面内膜厚分布的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质，具有通过将非同时地进行对衬底供给原料而形成第一层的工序(a)和对衬底供给反应体将第一层改质而形成第二层的工序(b)的循环进行规定次数从而在衬底上形成...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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