一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法技术

一种超声释放式Micro‑LED巨量转移方法包括如下步骤，A、转移准备，转移基板水平放置，转移基板的下表面富有弹性膜，晶片粘附在弹性膜的表面，在平放转移基板的上表面的位置设有超声发生单元，在该超声发生单元表面安装有超声换能器；B、选择对齐，超声发生单元与转移基板上某处晶片对齐，通过超声换能器实现直接接触；C、形变释放，超声作用在某些特定位置时，该处的弹性膜产生变形，在晶片背面拱起，使晶片脱离转移基板，在重力作用下落到目标衬底上；该方法可实现激光透明与非透明转移基板上的晶片的有效释放，避免常规激光剥离/激光加热剥离等方法对晶片和转移基板不利的热影响。

A Massive Transfer Method of Micro-LED with Ultrasound Release

A supersonic release micro-LED giant transfer method includes the following steps: A, transfer preparation, horizontal placement of transfer substrate, elastic film on the lower surface of transfer substrate, wafer adhering to the surface of elastic film, ultrasonic generating unit at the upper surface of flat transfer substrate, ultrasonic transducer installed on the surface of the ultrasonic generating unit; B, select alignment, ultrasonic generating unit. The generating unit aligns with a wafer on the transfer substrate and contacts directly through the ultrasonic transducer. C. Deformation releases. When the ultrasound acts on a certain position, the elastic film at the location deforms, and arches on the back of the wafer, leaving the wafer off the transfer substrate and falling on the target substrate under gravity. This method can realize the existence of wafers on the laser transparent and non-transparent transfer substrate. Effective release, avoiding adverse thermal effects of conventional laser peeling/laser heating peeling on wafers and transfer substrates.

【技术实现步骤摘要】
一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法
本专利技术涉及半导体光电
，特别是一种Micro-LED巨量转移方法。
技术介绍
LED(发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件，具有能量转换效率高，反应时间短，使用寿命长等优点；Micro-LED(微发光二极管)是将传统的LED结构进行薄膜化、微小化、阵列化所得，尺寸仅在1～10μm。由于LED显示技术的优点，Micro-LED越来越多地被用到显示的场合，如：微型投影(虚拟现实设备)、小屏显示(智能可穿戴设备)、中大屏显示(电视)、超大屏显示(户外显示屏)等。但是，超高分辨率的Micro-LED显示屏制造工艺难题仍制约着Micro-LED应用到上述用途。相比OLED(有机发光二极管)可以采用印刷等廉价的生产方法轻易制造出大面积的发光面，制成一块大尺寸、高分辨率的Micro-LED显示屏需要对百万或千万片微米级尺寸的Micro-LED晶片排列组装(巨量转移)，因此带来巨大的制造成本消耗。巨量转移要求把微米级大小的Micro-LED晶片从施主晶圆上精准抓取，扩大阵列距离，妥善安放固定到目标衬底(如显示器背板)上，以现有的主流LED固本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超声释放式Micro‑LED巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤，A、转移准备，转移基板水平放置，转移基板的下表面富有弹性膜，Micro‑LED晶片粘附在弹性膜的表面，在平放转移基板的上表面的位置设有超声发生单元，在该超声发生单元表面安装有超声换能器；B、选择对齐，超声发生单元与转移基板上某处Micro‑LED晶片对齐，通过超声换能器实现直接接触；C、形变释放，超声作用在某些特定位置时，该处的弹性膜产生变形，在Micro‑LED晶片背面拱起，使晶片脱离转移基板，在重力作用下落到目标衬底上；D、持续释放，释放转移基板某处Micro‑LED晶片后，超声发生单元移动到下一释放位置，与该位置...

【技术特征摘要】
1.一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤，A、转移准备，转移基板水平放置，转移基板的下表面富有弹性膜，Micro-LED晶片粘附在弹性膜的表面，在平放转移基板的上表面的位置设有超声发生单元，在该超声发生单元表面安装有超声换能器；B、选择对齐，超声发生单元与转移基板上某处Micro-LED晶片对齐，通过超声换能器实现直接接触；C、形变释放，超声作用在某些特定位置时，该处的弹性膜产生变形，在Micro-LED晶片背面拱起，使晶片脱离转移基板，在重力作用下落到目标衬底上；D、持续释放，释放转移基板某处Micro-LED晶片后，超声发生单元移动到下一释放位置，与该位置上的Micro-LED晶片对齐，释放该处Micro-LED晶片。2.根据权利要求1所述的超声释放式Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述转移基板是激光透明或非透明基板，所述转移基板为刚性基板。3.根据权利要求1所述的超声释放式Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，所述步骤A中，超声发生单元的功...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈云，施达创，陈新，刘强，高健，汪正平，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44