用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统技术方案

提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。

Process Control Method and Process Control System for Manufacturing Semiconductor Devices

The process control method and process control system are provided. The method includes: performing a deposition process on a wafer group limited by a plurality of wafers; performing a measurement process on the wafer group to obtain a measurement value for at least one wafer in the plurality of wafers; generating a target value of the factors of the process conditions in the deposition process by using the difference between the measurement value and the reference value; and providing a correlation based on the target value. The input values of the factors described in the subsequent wafer array. The operation of providing input values of the factors includes obtaining a previously generated target value for the factors mentioned in at least one previous chip array, and providing a weighted average of the previous target value and the target value as the input value.

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统相关申请的交叉引用本专利申请要求于2017年10月16日提交的韩国专利申请No.10-2017-0134231的优先权，其全部内容通过引用结合于此。
本专利技术构思涉及用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统，更具体地，涉及用于形成薄膜的沉积工艺控制方法和沉积工艺控制系统。
技术介绍
随着电子产品趋向于高速和/或低功耗，对于结合在电子产品中的半导体存储器件，可能越来越需要高速和低工作电压。已经开发了下一代半导体存储器件(例如磁随机存取存储器(MRAM)和相变随机存取存储器(PRAM))来以满足对半导体存储器件的高性能和低功率的需求。这些半导体存储器件及其他下一代半导体存储器件可以包括具有这样特性的材料：这些材料的电阻根据所施加的电流或电压而变得不同，并且即使它们的电流或电压供应中断，它们的电阻也保持不变。在这种情况下，器件的电/磁特性可能受到用于形成包括构成器件的材料的薄层的沉积工艺的影响。先进工艺控制(advanceprocesscontrol(APC))系统可用于提高半导体制造工艺的加工能力。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体器件的工艺控制方法，所述工艺控制方法包括：对包括多个晶片的晶片组执行第一沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺，以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差，产生所述第一沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值，针对用于后续晶片组的第二沉积工艺提供所述因素的输入值，其中，提供所述因素的输入值包括：获得所述因素的先前目标值，所述先前目标值是关于至少一个先前晶片组在先前产生的；以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。

【技术特征摘要】
2017.10.16 KR 10-2017-01342311.一种用于制造半导体器件的工艺控制方法，所述工艺控制方法包括：对包括多个晶片的晶片组执行第一沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺，以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差，产生所述第一沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值，针对用于后续晶片组的第二沉积工艺提供所述因素的输入值，其中，提供所述因素的输入值包括：获得所述因素的先前目标值，所述先前目标值是关于至少一个先前晶片组在先前产生的；以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。2.根据权利要求1所述的工艺控制方法，其中，产生所述因素的目标值包括：从对所述晶片组执行的第一沉积工艺中的工艺条件获得所述因素的输出值；以及基于所述测量值与所述参考值之间的差来校正所述输出值。3.根据权利要求1所述的工艺控制方法，其中，执行所述第一沉积工艺包括：在所述多个晶片中的每个晶片上形成磁隧道结层，其中，所述测量值包括形成在所述多个晶片中的至少一个晶片上的所述磁隧道结层的电特性或磁特性，其中，所述参考值是关于所述磁隧道结层的电特性或磁特性的期望值。4.根据权利要求3所述的工艺控制方法，其中所述第一沉积工艺包括溅射沉积工艺，并且所述工艺条件的因素包括预溅射时间、沉积时间、离子入射角、离子能量或离子流中的一个。5.根据权利要求3所述的工艺控制方法，其中所述磁隧道结层包括隧道势垒层和被所述隧道势垒层分离开的多个磁性层，所述第一沉积工艺包括在所述多个晶片中的每个晶片上形成所述隧道势垒层的子沉积工艺，所述子沉积工艺包括溅射沉积工艺，所述测量值包括所述磁隧道结层的电阻RA的测量值，所述参考值包括所述磁隧道结层的电阻RA的参考值，并且所述工艺条件的所述因素包括所述子沉积工艺的预溅射时间。6.根据权利要求5所述的工艺控制方法，其中产生所述因素的目标值包括：从对所述晶片组执行的子沉积工艺中的工艺条件获得所述预溅射时间的输出值；以及基于所述测量值与所述参考值之间的差来校正所述输出值，以产生所述预溅射时间的目标值。7.根据权利要求6所述的工艺控制方法，其中，校正所述输出值以产生所述预溅射时间的目标值是基于：Tc＝To+(Rf–Rm)/ΔR，其中，To表示所述预溅射时间的输出值，Rf表示所述参考值，Rm表示所述测量值，ΔR表示每单位所述预溅射时间所述磁隧道结层的电阻变化，Tc表示所述预溅射时间的目标值。8.一种用于制造半导体器件的工艺控制方法，所述工艺控制方法包括：对包括多个晶片的晶片组执行第一沉积工艺，以在所述多个晶片中的每个晶片上形成磁隧道结层；对所述晶片组执行测量工艺，以获得关于在所述多个晶片中的至少一个晶片上形成的所述磁隧道结层的特性的测量值；通过使用所述测量值与关于所述磁隧道结层的特性的参考值之间的差，产生所述第一沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；基于所述目标值提供所述因素的输入值以改变所述工艺条件；以及基于改变后的所述工艺条件对后续晶片组执行第二沉积工艺。9.根据权利要求8所述的工艺控制方法，其中，产生所述因素的目标值包括：从对所述晶片组执行的第一沉积工艺中的工艺条件获得所述因素的输出值；以及基于所述测量值与所述参考值之间的差来校正所述输出值。10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴正宪，朴容星，李俊明，赵显，吴世忠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR