整平装置和整平一待整平物的方法制造方法及图纸

一种整平装置包含放置平台、第一温度控制器和形变压制器。所述放置平台用以承接待整平物。所述第一温度控制器用以控制所述放置平台和所述待整平物的温度。所述形变压制器位于所述放置平台和所述待整平物的上方，且提供至少一非接触式的向下推力到所述待整平物。

Leveling device and method of leveling an object to be levelled

A leveling device comprises a placing platform, a first temperature controller and a deformation suppressor. The placing platform is used for receiving leveling objects. The first temperature controller is used to control the temperature of the placing platform and the leveling object. The deformation suppressor is located above the placing platform and the leveling object, and provides at least one non-contact downward thrust to the leveling object.

【技术实现步骤摘要】
整平装置和整平一待整平物的方法
本专利技术涉及一种整平装置和整平一待整平物的方法，特别涉及一种利用气压方式的整平装置和整平方法。
技术介绍
因应市场需求的改变，电子产品除了被要求性能不断提升外，在外观上也被期望能朝向更轻薄短小发展。因此，在半导体工艺中，半导体元件(例如晶片，或包覆多个裸片的封装材料)的厚度首当其冲必须被减薄，最终产品结构的体积才有可能再缩小。然而，所述半导体元件本身已经是非常薄，举例来说，其最大宽度与厚度的比值通常为300、400或500以上。因此，所述半导体元件很容易产生较大的翘曲(warpage)，而不易夹持，且影响工艺的准确性和最终产品的良率。更为甚者，当所述半导体元件被减薄后，其最大宽度与厚度的比值可能会超过1000，因而导致更大的翘曲。因此，如何有效地减少所述半导体元件的翘曲是一重要的课题。
技术实现思路
在一或多个实施例中，一种整平装置包含放置平台、第一温度控制器和形变压制器。所述放置平台用以承接待整平物。所述第一温度控制器用以控制所述放置平台和所述待整平物的温度。所述形变压制器位于所述放置平台和所述待整平物的上方，且提供至少一非接触式的向下推力到所述待整平物。在一或多个实施例中，一种整平待整平物的方法包含下列步骤：(a)提供放置平台；(b)将所述待整平物放置于所述放置平台上；和(c)提供至少一非接触式的向下推力到所述待整平物。附图说明图1描绘根据本专利技术的一些实施例的整平装置的实例的局部立体示意图，其中所述整平装置为打开的状态。图2描绘根据本专利技术的一些实施例的整平装置的实例的剖视示意图，其中所述整平装置为闭合的状态，且所述整平装置承载待整平物。图3描绘根据图1和2的整平装置的放置平台的正视示意图。图4描绘根据图1和2的整平装置的形变压制器的正视示意图。图5描绘根据本专利技术的一些实施例的整平装置的实例的剖视示意图。图6描绘根据本专利技术的一些实施例的放置平台的正视示意图。图7描绘图6的放置平台的剖面示意图。图8描绘根据本专利技术的一些实施例的形变压制器的正视示意图。图9描绘根据本专利技术的一些实施例的放置平台的正视示意图。图10描绘根据本专利技术的一些实施例的形变压制器的正视示意图。图11描绘根据本专利技术的一些实施例的放置平台的正视示意图。图12描绘图11的放置平台的剖面示意图。图13描绘根据本专利技术的一些实施例的待整平物的局部剖面示意图。图14描绘根据本专利技术的一些实施例的待整平物的局部剖面示意图。图15描绘根据本专利技术的一些实施例的待整平物的局部剖面示意图。图16到19描绘根据本专利技术的一些实施例的整平待整平物的方法。具体实施方式在半导体领域中，芯片(die)的取得方式通常是将一整片晶片(wafer)进行薄化处理后才切割成一片片独立的薄化芯片，而在薄化晶片过程中，有一道必须的晶背研磨工艺(backsidegrindingproess)。为确保研磨过程中，晶片均是平整的(使研磨过程中的各施力点一致，方不会造成晶片破裂或厚薄不均)，会先透过接合胶材将晶片与一载体(carrier)进行接合(其中晶片的正面(activesurface)朝向载体；且载体可为硅衬底、玻璃衬底或不锈钢)，然后才开始晶背的粗磨/细磨作业，直到将晶片厚度减到所需求规格，才将载体从晶片正面去除(de-carrier)以取得经薄化晶片，接着切割成芯片。一般来说，晶片与载体接合的方式不外乎有以下两种。第一种是在晶片和载体中间设置一种具有加热解粘效果的双面胶来提供暂时粘着力，所述双面胶于常温下可提供晶片和载体之间的粘着力，待晶背研磨作业完成后，再通过升温加热或紫外线照射来解除所述双面胶的粘性，即可顺利将晶片与载体分离，但后续的降温过程时常造成晶片翘曲变形。第二种则是使用另一种中间胶材来提供晶片和载体之间的结合力。此方式需要加热到中间胶材的Tg点(以中间胶材TZNR-A4012为例，其Tg点约是220℃)来使中间胶材软化以产生粘着力(后续的解粘则是使用所述中间胶材专用的稀释剂来除胶)，但热压合后的降温过程(研磨晶背是在常温下进行)，如果未对晶片施以一连续的整平力道，也将导致晶片逐渐发生翘曲变形而无法确实与载体贴合，于后续在研磨时会有晶片破裂的风险。如上所述，无论是使用加热解粘的双面胶或加热增粘的中间胶材来将晶片与载体结合，在加热胶体的同时，势必会将晶片一并加热到高温，只要晶片历经升降温过程，便很可能发生翘曲变形，一般来说，尺寸(直径)介于约200mm到约300mm的晶片(厚度约150μm到约850μm)，其翘曲程度(晶片的最高点与最低点间的距离)常介于400μm到800μm之间不等。下文所论述的整平装置和整平待整平物的方法利用非接触式的向下推力压制所述待整平物，以减少所述待整平物翘曲和变形等问题。图1描绘根据本专利技术的一些实施例的整平装置1的实例的局部立体示意图，其中所述整平装置1为打开的状态。所述整平装置1包含放置平台2和形变压制器(例如：吹气装置5)。所述放置平台2和所述形变压制器(例如：所述吹气装置5)大致上分别呈现扁平状，且所述形变压制器(例如：所述吹气装置5)的一端枢接于所述放置平台2的一端，使得所述形变压制器(例如：所述吹气装置5)可相对于所述放置平台2转动。在一实施例中，所述形变压制器(例如：所述吹气装置5)平行所述放置平台2，且通过移动装置而靠近或远离所述放置平台2，即，所述形变压制器(例如：所述吹气装置5)可相对于所述放置平台2升降。在一实施例中，所述放置平台2和所述形变压制器(例如：所述吹气装置5)为金属材质。在另一实施例中，所述放置平台2和所述形变压制器(例如：所述吹气装置5)可为陶瓷材料或塑料材质。图2描绘根据本专利技术的一些实施例的整平装置1的实例的剖视示意图，其中所述整平装置1为闭合的状态，且所述整平装置1承载待整平物3。所述整平装置1包含所述放置平台2、所述形变压制器(例如：吹气装置5)、第一温度控制器41、第一气体控制器42、第二温度控制器61、第二气体控制器62。所述放置平台2大致上呈现矩形盘状，其用以承接待整平物3。所述放置平台2具有第一表面21(承接表面)、第二表面22、至少一吸附孔23、至少一第一气体通道24和至少一第一进气/排气孔25。所述第二表面22相对所述第一表面21。在一实施例中，所述第二表面22大致平行所述第一表面21。所述吸附孔23开口于所述放置平台2的所述第一表面21(所述承接表面)，用以吸住所述待整平物3的下表面32。所述第一气体通道24为所述放置平台2内部的气体通道，可供气体流动。所述第一气体通道24与所述至少一吸附孔23相连通。在一实施例中，所述放置平台2具有多个吸附孔23，且所述吸附孔23皆与所述第一气体通道24相连通。所述第一进气/排气孔25开口于所述放置平台2的所述第二表面22，用以供气体流动。所述第一气体通道24与所述至少第一进气/排气孔25相连通。所述第一气体控制器42(例如：空气帮浦)连接到所述第一进气/排气孔25，以连通所述第一气体通道24，用以对所述第一气体通道24内的气体提供抽气力或是吹气力。因此，所述第一气体控制器42可将所述吸附孔23上方的气体经由所述吸附孔23、所述第一气体通道24和所述第一进气/排气孔25抽离或吸收到所述第一气体控制器42，使得所述吸附孔2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种整平装置，包含：放置平台，用以承接待整平物；第一温度控制器，用以控制所述放置平台和所述待整平物的温度；和形变压制器，位于所述放置平台和所述待整平物的上方，且提供至少一非接触式的向下推力到所述待整平物。

【技术特征摘要】
2017.10.16 TW 1061352681.一种整平装置，包含：放置平台，用以承接待整平物；第一温度控制器，用以控制所述放置平台和所述待整平物的温度；和形变压制器，位于所述放置平台和所述待整平物的上方，且提供至少一非接触式的向下推力到所述待整平物。2.根据权利要求1所述的整平装置，其中所述放置平台具有至少一吸附孔，以吸住所述待整平物。3.根据权利要求2所述的整平装置，其中所述放置平台更具有至少一第一气体通道，所述至少一第一气体通道与所述至少一吸附孔相连通。4.根据权利要求3所述的整平装置，更包含第一气体控制器，连通所述第一气体通道，用以对所述第一气体通道内的气体提供抽气力或是吹气力。5.根据权利要求4所述的整平装置，其中所述第一气体控制器为空气帮浦。6.根据权利要求1所述的整平装置，其中所述形变压制器具有至少一吹气孔，所述非接触式的向下推力为吹气力。7.根据权利要求6所述的整平装置，其中所述形变压制器更具有至少一第二气体通道，所述至少一第二气体通道与所述至少一吹气孔相连通。8.根据权利要求7所述的整平装置，更包含第二气体控制器，连通所述第二气体通道，用以提供被加压气体到所述第二气体通道。9.根据权利要求8所述的整平装置，其中所述第二气体控制器为空气帮浦。10.根据权利要求6所述的整平装置，更包含第二温度控制器，用以控制所述吹气孔的气体的温度。11.根据权利要求6所述的整平装置，其中所述形变压制器具有多个吹气孔，所述吹气孔开口于所述形变压制器的表面，且由所述形变压制器的中心到所述形变压制器的外围呈现放射状分布。12.根据权利要求6所述的整平装置，其中所述吹气孔的孔径小于或等于2mm。13.根据权利要求6所述的整平装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕铭汉，黄正维，王昱祺，黄泰源，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71