基板处理方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供了一种用于对基板进行热处理的装置和方法。该方法包括：第一处理操作，即在供处理基板的处理空间被关闭的状态下将基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热基板；在第一处理操作之后的第二处理操作，即降低基板使得基板位于第二高度并加热基板；在第二处理操作之后的第三处理操作，即升高基板使得基板与支撑板间隔开以位于第三高度并加热基板；以及在第三处理操作之后的第四处理操作，即降低基板使得基板位于第四高度并加热基板。因此，通过调节处理空间的气流速度，可以使中心区域与边缘的温差最小化，并且可以迅速地排出工艺副产物。

Substrate treatment method and device

The invention provides a device and a method for heat treatment of a substrate. The method includes: the first processing operation, that is, to separate the substrate from the supporting plate with heater at the first height when the processing space for the processing substrate is closed, and to heat the substrate; the second processing operation after the first processing operation, that is, to reduce the substrate so that the substrate is at the second height and to heat the substrate; and the third processing operation after the second processing operation, that is, to heat the substrate. The raised substrate separates the substrate from the support plate to locate at the third height and heats the substrate; and the fourth processing operation after the third processing operation, i.e. lowering the substrate to locate the substrate at the fourth height and heating the substrate. Therefore, by adjusting the airflow velocity in the treatment space, the temperature difference between the central area and the edge can be minimized, and the by-products of the process can be quickly discharged.

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和装置
本文描述的专利技术构思的实施方式涉及用于对基板进行热处理的方法和装置。
技术介绍
执行诸如清洁、沉积、光刻、蚀刻和离子注入的各种工艺以制造半导体器件。在这些工艺当中，使用涂布工艺作为在基板上形成液膜的工艺。通常，涂布工艺是通过将处理液涂布到基板上来形成液膜的工艺。在基板上形成液膜之前和之后，执行烘烤基板的烘烤工艺。烘烤工艺是在封闭空间中将基板加热到处理温度或更高温度的过程，并通过在液膜上散布有机材料来稳定液膜。在烘烤工艺中，必须根据操作将基板的整个区域在均匀温度下加热。然而，在处理基板的空间中，引入气流的区域和排出气流的区域不同，并且基板的与引入区域相邻的区域和与排出区域相邻的区域的温度不同。因此，对于这些区域，液膜被不均匀地加热，且因此，对于这些区域，液膜的厚度是不同的。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式提供了用于均匀地烘烤基板的整个区域的装置和方法。本专利技术构思的实施方式还提供了用于均匀地调整形成在基板上的液膜的厚度的装置和方法。本专利技术构思的技术目的不限于上述技术目的，并且从以下描述中，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得显而易见。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，所述方法包括：第一处理操作，即在供处理基板的处理空间关闭的状态下，将所述基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热所述基板；在所述第一处理操作之后的第二处理操作，即降低所述基板使得所述基板位于第二高度并加热所述基板；在所述第二处理操作之后的第三处理操作，即升高所述基板使得所述基板与所述支撑板间隔开以位于第三高度并加热所述基板；和在所述第三处理操作之后的第四处理操作，即降低所述基板使得所述基板位于第四高度并加热所述基板。

【技术特征摘要】
2017.10.17 KR 10-2017-01344311.一种基板处理方法，所述方法包括：第一处理操作，即在供处理基板的处理空间关闭的状态下，将所述基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热所述基板；在所述第一处理操作之后的第二处理操作，即降低所述基板使得所述基板位于第二高度并加热所述基板；在所述第二处理操作之后的第三处理操作，即升高所述基板使得所述基板与所述支撑板间隔开以位于第三高度并加热所述基板；和在所述第三处理操作之后的第四处理操作，即降低所述基板使得所述基板位于第四高度并加热所述基板。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二高度和所述第四高度是所述基板位于所述支撑板上的位置。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一高度和所述第三高度是相同的高度。4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述第一处理操作执行持续第一时间段，将所述第二处理操作执行持续第二时间段，将所述第三处理操作执行持续第三时间段，将所述第四处理操作执行持续第四时间段，并且所述第二时间段和所述第三时间段中的每一个都短于所述第一时间段或所述第四时间段。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二时间段短于所述第三时间段。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第四时间段长于所述第一时间段。7.根据权利要求3所述的方法，其中所述基板处理包括加热所述基板的烘烤工艺，所述基板上涂布有光敏液体。8.根据权利要求2至7中任一项所述的方法，其中，所述处理空间设置有引导板，所述引导板位于所述支撑板上方以面向所述支撑板并且被配置为引导所述处理空间中的气流，并且其中，所述引导板的高度在所述第一处理操作、所述第二处理操作、所述第三处理操作和所述第四处理操作中的一些中被不同地设置。9.根据权利要求8所述的方法，其中，当升高所述基板时降低所述引导板，并且当降低所述基板时升高所述引导板。10.一种基板处理装置，包括：腔室，所述腔室在其内部...

【专利技术属性】
技术研发人员：李基胜，曺守铉，闵忠基，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR