The utility model discloses a silicon through-hole detection circuit and an integrated circuit chip, which relates to the technical field of integrated circuits. The silicon through-hole detection circuit includes the first silicon through-hole, the second silicon through-hole and the phase detector; the first end of the first silicon through-hole is connected with the output end of the predetermined signal; the second end of the first silicon through-hole is connected with the first end of the second silicon through-hole; the second end of the second silicon through-hole is connected with the first input end of the phase detector; and the second input end of the phase detector is connected with the output end of the predetermined signal. It is used to determine the phase difference between the signal of the first input end and the signal of the second input end of the phase discriminator. The present disclosure can detect failed silicon through holes so as to shield failed silicon through holes based on redundancy of silicon through holes, thereby contributing to effective transmission of signals in integrated circuit chips.
【技术实现步骤摘要】
硅通孔检测电路和集成电路芯片
本公开涉及集成电路
,具体而言,涉及一种硅通孔检测电路和集成电路芯片。
技术介绍
随着集成电路技术的广泛应用,手机、电视、平板、精密仪器等电子设备得到了高速发展。然而,集成电路技术受到元器件尺寸、功能增强、成本效益等方面的严重制约。在这种情况下,三维集成电路(3DIC)的出现可以较好地解决这些问题。基于硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)的三维集成电路(3DIC)通过硅通孔将多层芯片进行堆叠,由于采用了非常短的硅通孔代替平面集成电路中的长互连线,使其具有诸多优点,例如低延迟、低功耗、高性能等,从而使基于硅通孔的三维集成电路具有广阔的应用前景。然而,在硅通孔制造过程以及硅通孔键合的过程中,由于当前工艺和材料的限制,可能会造成硅通孔的缺陷或失效。在整个集成电路中,单个硅通孔的失效通常会导致整个三维集成电路芯片的失效。目前,还没有较好的检测硅通孔是否存在问题的方案。需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在 ...
【技术保护点】
1.一种硅通孔检测电路,其特征在于,包括:第一硅通孔、第二硅通孔和鉴相器;所述第一硅通孔的第一端与预定信号输出端连接,所述第一硅通孔的第二端与所述第二硅通孔的第一端连接;所述第二硅通孔的第二端与所述鉴相器的第一输入端连接;所述鉴相器的第二输入端与所述预定信号输出端连接;其中,所述鉴相器用于确定所述鉴相器的第一输入端的信号与第二输入端的信号之间的相位差。
【技术特征摘要】
1.一种硅通孔检测电路,其特征在于,包括:第一硅通孔、第二硅通孔和鉴相器;所述第一硅通孔的第一端与预定信号输出端连接,所述第一硅通孔的第二端与所述第二硅通孔的第一端连接;所述第二硅通孔的第二端与所述鉴相器的第一输入端连接;所述鉴相器的第二输入端与所述预定信号输出端连接;其中,所述鉴相器用于确定所述鉴相器的第一输入端的信号与第二输入端的信号之间的相位差。2.根据权利要求1所述的硅通孔检测电路,其特征在于,所述第一硅通孔和所述第二硅通孔均连通两个或多个堆叠层。3.根据权利要求1所述的硅通孔检测电路,其特征在于,所述硅通孔检测电路还包括第一选择器和第一分配器;其中,第一选择器具有第一输入端、第二输入端、控制端和输出端,第一分配器具有输入端、控制端、第一输出端和第二输出端;所述第一选择器的第一输入端用于接收待输入所述第一硅通孔的第一工作信号,所述第一选择器的第二输入端与所述预定信号输出端连接,所述第一选择器的控制端用于接收第一检测控制信号,所述第一选择器的输出端与所述第一硅通孔的第一端连接;所述第一分配器的输入端与所述第一硅通孔的第二端连接,所述第一分配器的控制端用于接收所述第一检测控制信号,所述第一分配器的第一输出端与所述第二硅通孔的第一端连接,所述第一分配器的第二输出端与所述第一工作信号对应的工作元件连接。4.根据权利要求3所述的硅通孔检测电路,其特征在于,所述硅通孔检测电路还包括第三硅通孔;其中,第三硅通孔的第一端与所述预定信号输出端连接,所述第三硅通孔的第二端与所述第二硅通孔的第一端连接。5.根据权利要求4所述的硅通孔检测电路,其特征在于,所述硅通孔检测电路还包括第二选择器和第二分配器;其中,第二选择器具有第一输入端、第二输入端、控制端和输出端,第二分配器具有输入端、控制端、第一输出端和第二输出端;所述第二选择器的第一输入端用于接收待输入所述第三硅通孔的第二工作信号,所述第二选择器的第二输入端与所述预定信号输出端连接,所述第二选择器的控制端用于接收第...
【专利技术属性】
技术研发人员:林祐贤,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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