闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形制造技术

本发明专利技术涉及一种闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，涉及半导体集成电路，通过将控制栅极板设计为U形控制栅，同一行的每个漏区或同一行的每个源区两侧的控制栅连接在一起实现等电位；通过将第一金属线单元与第一焊盘设计为U形结构，将第二金属线单元与第二焊盘设计为U形结构，并将第一金属线单元和第二金属线单元设计为其长度方向与控制栅极板的长度方向垂直，第一金属线单元将奇数控制栅极板并联在一起连接到第一焊盘,第二金属线单元将偶数控制栅极板并联在一起连接到第二焊盘，使得控制栅极板间的电容测试更加准确，并可监控工艺中控制栅与控制栅之间的填充情况。

Wafer Acceptance Test Graphics of Flash Memory Controlled Intergrid Capacitance

The invention relates to a wafer acceptance test pattern of capacitance between flash memory control grids, which relates to semiconductor integrated circuits. The control grids are designed as U-shaped control grids, and the control grids on each leakage area of the same row or on both sides of each source area of the same row are connected together to realize equal potential. The second metal wire is designed by the U-shaped structure of the first metal wire unit and the first welding pad. The unit and the second pad are designed as U-shaped structure, and the first metal wire unit and the second metal wire unit are designed as their length direction perpendicular to the length direction of the control grid plate. The first metal wire unit connects odd control grid plate in parallel to the first pad, and the second metal wire unit connects the dual control grid plate in parallel to the second welding pad, so that the control grid plate can be connected to the second welding pad. The capacitance test between the two grids is more accurate, and the filling between the control grids and the control grids in the process can be monitored.

【技术实现步骤摘要】
闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形
本专利技术涉及半导体集成电路，尤其涉及一种闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形。
技术介绍
在半导体集成电路中，随着半导体技术的发展，非易失性闪存市场占有率越来越高。为了满足高密度、高性能、低成本的市场需求，技术节点越做越小。对于非易失性闪存的电性参数监测要求更加全面，要求测试更加准确，进而更好的反应工艺制程情况，如对闪存浮栅极板间电容或对控制栅极板件电容的监测。但目前的电性参数监测方法存在诸多缺陷，导致对于电性参数监测不够准确。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，使控制栅极板间的电容测试更加准确，并可监控工艺中控制栅与控制栅之间的填充情况。本专利技术提供的闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，包括多个有源区，多个有源区呈条形结构排列在衬底中，多个有源区通过场氧隔离衬底形成；浮栅和控制栅，控制栅呈条形结构且与有源区互相垂直，浮栅位于控制栅跨越有源区的底部，同一行的各控制栅连接在一起构成控制栅极，且控制栅极的长度方向与有源区互相垂直，并且源区和漏区分别位于控制栅极两侧的有源区中，在有源区上形成控制栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，其特征在于，包括：多个有源区，多个有源区呈条形结构排列在衬底中，多个有源区通过场氧隔离衬底形成；浮栅和控制栅，控制栅呈条形结构且与有源区互相垂直，浮栅位于控制栅跨越有源区的底部，同一行的各控制栅连接在一起构成控制栅极，且控制栅极的长度方向与有源区互相垂直，并且源区和漏区分别位于控制栅极两侧的有源区中，在有源区上形成控制栅极‑漏区‑控制栅极‑源区的结构，每一同一行漏区或每一同一行源区两侧的控制栅极的一端连接在一起构成U形控制栅结构，称为控制栅极板，形成奇数控制栅极板与偶数控制栅极板交替排列的方式；第一金属线单元包括第一金属线和第二金属线，第一金属线...

【技术特征摘要】
1.一种闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，其特征在于，包括：多个有源区，多个有源区呈条形结构排列在衬底中，多个有源区通过场氧隔离衬底形成；浮栅和控制栅，控制栅呈条形结构且与有源区互相垂直，浮栅位于控制栅跨越有源区的底部，同一行的各控制栅连接在一起构成控制栅极，且控制栅极的长度方向与有源区互相垂直，并且源区和漏区分别位于控制栅极两侧的有源区中，在有源区上形成控制栅极-漏区-控制栅极-源区的结构，每一同一行漏区或每一同一行源区两侧的控制栅极的一端连接在一起构成U形控制栅结构，称为控制栅极板，形成奇数控制栅极板与偶数控制栅极板交替排列的方式；第一金属线单元包括第一金属线和第二金属线，第一金属线和第二金属线的长度方向与控制栅极的长度方向垂直，其中奇数控制栅极板通过连接孔连接到第一金属线或第二金属线；第一焊盘，连接第一金属线单元的第一金属线和第一金属线单元的第二金属线的短边的一侧，使第一焊盘、第一金属线单元的第一金属线与第一金属线单元的第二金属线构成U形结构；第二金属线单元包括第一金属线和第二金属线，第二金属线单元的第一金属线和第二金属线单元的第二金属线的长度方向与控制栅极的长度方向垂直，其中偶数控制栅极板通过连接孔连接到第二金属线单元的第一金属线或第二金属线单元的第二金属线；以及第二焊盘，连接第二金属线单元的第一金属线和第二金属线单元的第二金属线的短边的一侧，使第二焊盘、第二金属线单元的第一金属线与第二金属线单元的第二金属线构成U形结构。2.根据权利要求1所述的闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，其特征在于，多个有源区等间距的平行排列在衬底中。3.根据权利要求1所述的闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，其特征在于，至少包括四个控制栅极板，依次为奇数控制栅极板、偶数控制栅极板、奇数控制栅极板和偶数控制栅极板。4.根据权利要求1所述的闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，其特征在于，控制栅极的长度方向与有源区的长度方向互相垂直，每一同一行漏区两侧的控制栅极的短边的一侧相互连接在一起构成U形控制栅结构。5.根据权利要求1所述的闪存控制栅极板间电容的晶圆允收测试图形，其特征在于，必有一奇数控制栅极板通过连接孔连接到第一金属线单元的第一金属线，并必有一奇数控制栅极板通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金霜，田志，陈昊瑜，王奇伟，邹荣，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31