在敷金属系统中具有优越抗裂性的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及在敷金属系统中具有优越抗裂性的半导体装置，其中，半导体装置包含位在最后敷金属层中的非四边形金属区及/或非四边形接触垫，其中，在一些说明性具体实施例中，可获得指叉式横向组态，及/或可提供接触垫与下伏金属区的重叠。所以，可增加接触垫及下伏层间介电材料底下的钝化材料的机械稳建性，由此抑制裂纹形成及裂纹传播。

Semiconductor Device with Superior Crack Resistance in Metal Layering System

The present invention relates to a semiconductor device with superior crack resistance in a metal coating system, in which a semiconductor device comprises a non-quadrilateral metal area and/or a non-quadrilateral contact pad located in the final metal coating layer, in which a finger-fork transverse configuration can be obtained in some illustrative specific embodiments, and/or overlap between the contact pad and the underlying metal area can be provided. Therefore, the mechanical stability of the passivation material under the contact pad and underlying interlayer dielectric material can be increased, thus the crack formation and propagation can be inhibited.

【技术实现步骤摘要】
在敷金属系统中具有优越抗裂性的半导体装置
大体上，本申请关于包括敷金属(metallization)系统的半导体装置的技术及用于连接至封装件的接垫结构的技术。
技术介绍
取决于复杂程度，半导体装置一般包括更多或更少数量的半导体基础电路组件，诸如场效晶体管、双极晶体管及类似者，一般与电阻器、电容器及类似者组合。在大部分方法中，这些电路组件可在对应的半导体层中及上形成，诸如硅层、硅/锗层或任何其它适当的半导体材料层，其中，可通过使用建置良好且又尖端的制造技术，诸如光刻(photolithography)、蚀刻、离子布植及类似者，根据指定设计及相关设计规则，一层接着一层地形成及/或处理相应装置图案。取决于所思半导体装置的总体复杂度，可能需要相对大量的程序步骤才能完成功能装置。举例而言，在所谓的“前段制程”(frontendofline；FEOL)中，进行相应程序步骤以完成实际的半导体基础电路组件，诸如晶体管及类似者，其中，在尖端应用中，可制造30nm或更小关键尺寸的晶体管组件，由此为实施非常大量电路组件提供可能性，并因此在单芯片中组配整个系统。之后，可钝化先前形成的半导体基础电路组件，诸如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包含：包括最后敷金属层的敷金属系统，该最后敷金属层包含第一金属区、及与该第一金属区横向分开并相邻于该第一金属区的第二金属区；在该最后敷金属层上面形成的钝化层；为了与该第一金属区接触而在该钝化层中形成的第一接触垫，以及为了与该第二金属区接触并与该第一金属区的一部分重叠而在相邻于该第一接触垫的该钝化层中形成的第二接触垫。

【技术特征摘要】
2017.10.11 US 15/729,7741.一种半导体装置，其包含：包括最后敷金属层的敷金属系统，该最后敷金属层包含第一金属区、及与该第一金属区横向分开并相邻于该第一金属区的第二金属区；在该最后敷金属层上面形成的钝化层；为了与该第一金属区接触而在该钝化层中形成的第一接触垫，以及为了与该第二金属区接触并与该第一金属区的一部分重叠而在相邻于该第一接触垫的该钝化层中形成的第二接触垫。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一金属区与第二金属区其中至少一者具有非四边形横向形状。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一金属区与第二金属区其中至少该者的该非四边形横向形状由该第一金属区及该第二金属区其中至少该者的边缘所界定，该边缘面向该第一金属区与该第二金属区其中至少另一该者的边缘。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一金属区与第二金属区各具有非四边形横向形状。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，该第一金属区与第二金属区的对向边缘具有互补横向形状，以便形成指叉式横向组态。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一接触垫与第二接触垫其中至少一者具有非四边形形状。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，该第一接触垫与第二接触垫其中至少该者的该非四边形横向形状由该第一接触垫及该第二接触垫其中至少该者的边缘所界定，该边缘面向该第一接触垫与该第二接触垫其中至少另一该者的边缘。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，该第一接触垫与第二接触垫各具有非四边形横向形状。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，该第一接触垫与第二接触垫的对向边缘具有互补横向形状，以便形成指叉式横向组态。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一金属区与第二金属区其中至少一者具有非四边形横向形状，并且该第一接触垫与第二接触垫其中至少一者具有非四边形横向形状。11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，该第一金属区与第二金属区其中至少该者的该非四边形横向形状由在该第一金属区与...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪克·彼尔，格奥尔格·塔卢特，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY