一种IGBT基板制造技术

本实用新型专利技术提供的一种IGBT基板，包括IGBT基板本体，IGBT基板本体上划分有若干个喷涂区域，若干个喷涂区域呈矩阵式结构布置，其中，每个喷涂区域上依次设置有Al2O3‑3％TiO2镀层和铜镀层；本实用新型专利技术提供的该基板结构有效的提高了使用效率，同时，使IGBT基板的结合力更高，有效的节约了生产成本，生产简便。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT基板
本技术属于铝碳化硅复合材料
，具体涉及一种IGBT基板。
技术介绍
以铝碳化硅新型高导热复合材料为原料制成的基板，其热导率可高达200W/(m·K)，膨胀系数可通过碳化硅体积分数(50-80％)调整，具有密度小、重量轻，抗弯强度高等优点，是航空航天、功率器件、高铁及微波等领域首选采用的新材料。目前市场上的制备方法大多采用焊接的方法使芯片与基板进行连接，这种方法制备出的IGBT基板结合效果较差，极少数的采用镀膜的方式在铝碳化硅基板上创建芯片，但都只是创建一个芯片，这样使得基板的利用效率大大降低，造成资源的浪费。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种IGBT基板,解决了现有的IGBT基板利用效率低,造成资源浪费的缺陷.为了达到上述目的，本技术采用的技术方案是：本技术提供的一种IGBT基板，包括IGBT基板本体，IGBT基板本体上划分有若干个喷涂区域，其中，每个喷涂区域上依次设置有Al2O3-3％TiO2镀层和铜镀层。优选地，IGBT基板本体的长度为150-200mm、宽度为100-170mm、厚度为3-10mm。优选地，每个喷涂区域上的Al2O3-3％TiO2镀层的厚度为250-600μm；铜镀层的厚度为200-500μm。优选地，喷涂区域呈矩阵式结构布置。优选地，每个喷涂区域的长度为40-50mm、宽度为35-45mm。优选地，两个相邻的喷涂区域之间的间距为5-10mm。优选地，最外层的喷涂区域边缘与IGBT基板本体边缘之间的间距为5-10mm。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术提供的一种IGBT基板，将IGBT基板本体划分为若干个喷涂区域，每个喷涂区域上焊接封装有一个芯片，同时，在每个喷涂区域上依次设置有Al2O3-3％TiO2镀层和铜镀层，提高芯片与基板之间的结合度，本技术提供的该基板结构有效的提高了使用效率，同时，使IGBT基板的结合力更高，有效的节约了生产成本，生产简便。附图说明图1是IGBT基板结构主视图；图2是IGBT基板的侧视图；其中，1、IGBT基板本体2、Al2O3-3％TiO2镀层3、铜镀层101、喷涂区域。具体实施方式下面结合附图,对本技术进一步详细说明。如图1、图2所示，本技术提供的一种IGBT基板，包括IGBT基板本体1，IGBT基板本体1上划分有若干个喷涂区域101，若干个喷涂区域呈矩阵式结构布置，其中，每个喷涂区域上依次设置有Al2O3-3％TiO2镀层2和铜镀层3。具体地：IGBT基板本体1的长度为150-200mm、宽度为100-170mm、厚度为3-10mm；每个喷涂区域的长度为40-50mm、宽度为35-45mm；两个相邻的喷涂区域之间的间距为5-10mm，同时，最外层的喷涂区域边缘与IGBT基板本体1边缘之间的间距为5-10mm。每个喷涂区域上的Al2O3-3％TiO2镀层2的厚度为250-600μm；铜镀层的厚度为200-500μm。以上内容仅为说明本技术的技术思想，不能以此限定本技术的保护范围，凡是按照本技术提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本技术权利要求书的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT基板，其特征在于，包括IGBT基板本体(1)，IGBT基板本体(1)上划分有若干个喷涂区域，其中，每个喷涂区域上依次设置有Al2O3‑3％TiO2镀层(2)和铜镀层(3)。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT基板，其特征在于，包括IGBT基板本体(1)，IGBT基板本体(1)上划分有若干个喷涂区域，其中，每个喷涂区域上依次设置有Al2O3-3％TiO2镀层(2)和铜镀层(3)。2.根据权利要求1所述的一种IGBT基板，其特征在于，IGBT基板本体(1)的长度为150-200mm、宽度为100-170mm、厚度为3-10mm。3.根据权利要求1所述的一种IGBT基板，其特征在于，每个喷涂区域上的Al2O3-3％TiO2镀层(2)的厚度为250-600μm；...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐健江，王鹏冲，
申请(专利权)人：西安航空学院，
类型：新型
国别省市：陕西,61