基板蚀刻设备及其处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种基板蚀刻设备及其处理系统，其中基板蚀刻设备包括承载机台、多个第二组滚轮及调节控制装置。承载机台包括运送所述基板的多个第一组滚轮、容纳有蚀刻液的蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽上方的喷管及设置于所述蚀刻槽一端的液刀。多个第二组滚轮分别设置于所述蚀刻槽内并对应各所述第一组滚轮设置，以水平通过所述蚀刻槽的进入口和排出口。调节控制装置设置在所述蚀刻槽下方，包括排放所述蚀刻液和供给所述喷管蚀刻液的连接管路，以及保持所述第一组滚轮或所述第二组滚轮温度的温控调节单元。借此，提升各所述第一组滚轮的温度，以防止条纹(Mura)的产生。

Substrate Etching Equipment and Its Processing System

The invention provides a substrate etching device and a processing system thereof, in which the substrate etching device comprises a bearing platform, a plurality of second sets of rollers and a regulating control device. The bearing platform comprises a plurality of first sets of rollers for transporting the substrate, an etching groove containing etching liquid, a nozzle arranged above the etching groove and a liquid knife arranged at one end of the etching groove. A plurality of second sets of rollers are respectively arranged in the etching groove and corresponding to the first set of rollers to pass horizontally through the inlet and outlet of the etching groove. The adjusting control device is arranged below the etching groove, including a connecting pipeline for discharging the etching fluid and supplying the nozzle etching fluid, and a temperature control adjusting unit for maintaining the temperature of the first group of rollers or the second group of rollers. In this way, the temperature of the first group of rollers is raised to prevent the generation of fringes (Mura).

【技术实现步骤摘要】
基板蚀刻设备及其处理系统
本专利技术涉及一种显示面板的制程领域，尤指一种基板蚀刻设备及其处理系统。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板(arraysubstrate)是目前LCD装置和AM0LED装置中的主要组成部件，并影响高性能显示面板的显示品质。以现有LCD的制程而言，包括前段阵列制程、中段成盒(Cell)制程以及后段模组组装制程。前段阵列制程又包括玻璃基板的清洗与干燥、镀膜、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、去除光刻胶等制程，其中蚀刻又分为湿法蚀刻(WETetching)和干法蚀刻(DRYetching)。湿法蚀刻的效果对于布线的精细程度具有二个重要特征值，即尺寸偏差(CDBias)和蚀刻尺寸(CD，CriticalDimension)的均一性。目前TFT制程中，最后的蚀刻室(FinalEtcherChamber)已将之后制程的风刀移至其内装配。当最后蚀刻室内无喷洒(或喷洒关闭)时，风刀所提供的压缩干燥空气(CDA，compresseddryair)容易造成蚀刻室内部温度过低，进而使基板产生条纹(Mura)或缺陷(Defect)等缺陷，而使面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板蚀刻设备，包括:承载机台，包括运送所述基板的多个第一组滚轮、沉浸各所述第一组滚轮并容纳有蚀刻液的蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽上方的喷管及设置于所述蚀刻槽一端且位于各所述第一组滚轮上方的液刀；多个第二组滚轮，分别设置于所述蚀刻槽内并对应各所述第一组滚轮设置，各所述第二组滚轮和各所述第一组滚轮分别夹持所述基板，以水平通过所述蚀刻槽的进入口和排出口；及调节控制装置，设置在所述蚀刻槽下方，所述调节控制装置包括排放容纳于所述蚀刻槽的所述蚀刻液和供给所述喷管的所述蚀刻液的连接管路，以及保持所述第一组滚轮或所述第二组滚轮温度的温控调节单元。

【技术特征摘要】
1.一种基板蚀刻设备，包括:承载机台，包括运送所述基板的多个第一组滚轮、沉浸各所述第一组滚轮并容纳有蚀刻液的蚀刻槽、设置于所述蚀刻槽上方的喷管及设置于所述蚀刻槽一端且位于各所述第一组滚轮上方的液刀；多个第二组滚轮，分别设置于所述蚀刻槽内并对应各所述第一组滚轮设置，各所述第二组滚轮和各所述第一组滚轮分别夹持所述基板，以水平通过所述蚀刻槽的进入口和排出口；及调节控制装置，设置在所述蚀刻槽下方，所述调节控制装置包括排放容纳于所述蚀刻槽的所述蚀刻液和供给所述喷管的所述蚀刻液的连接管路，以及保持所述第一组滚轮或所述第二组滚轮温度的温控调节单元。2.如权利要求1所述的基板蚀刻设备，其特征在于，所述调节控制装置还包括多个侦测单元、手动调节阀和流量阀，各所述侦测单元分别布设于所述蚀刻槽内，各所述侦测单元用以侦测所述基板位置及所述蚀刻液水位，所述手动调节阀和所述流量阀分别与所述连接管路连接。3.如权利要求2所述的基板蚀刻设备，其特征在于，侦测所述蚀刻液水位的所述侦测单元用以侦测所述蚀刻液水位是否低于各所述第二组滚轮，使各所述第一组滚轮或各所述第二组滚轮浸没于所述蚀刻液中。4.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建锋，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42