闪存器的数据写入方法及装置、存储设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种闪存器的数据写入方法及装置、存储设备及存储介质。所述方法，包括：利用可变脉冲宽度的编程脉冲，对闪存器进行数据写入，其中，所述编程脉冲的脉冲宽度，与编程电压和导通电压之间压差正相关。

Data Writing Method and Device, Storage Device and Storage Medium of Flash Memory

The embodiment of the invention discloses a data writing method and device of a flash memory, a storage device and a storage medium. The method includes: writing data to the flash memory by using programmable pulse with variable pulse width, in which the pulse width of the programmable pulse is positively correlated with the voltage difference between the programmable voltage and the on voltage.

【技术实现步骤摘要】
闪存器的数据写入方法及装置、存储设备及存储介质
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种闪存器的数据写入方法及装置、存储设备及存储介质。
技术介绍
闪存器的写入速度取决于闪存器的编程时间；若编程时间越短，则闪存器的写入速度越快。与此同时，闪存器一旦制作完成，其闪存器耐高压时间限制了最长总编程时间，最长总编程时间确定了，若单次编程时间较长，则闪存器的可编程次数就越少。故如何减少闪存器的编程时间，是现有技术亟待进一步解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种闪存器的数据写入方法及装置、存储设备及存储介质。本专利技术的技术方案是这样实现的：一种闪存器的数据写入方法，包括：利用可变脉冲宽度的编程脉冲，对闪存器进行数据写入，其中，所述编程脉冲的脉冲宽度，与编程电压和导通电压之间压差正相关。基于上述方案，所述利用可变脉冲宽度的编程脉冲，对闪存器进行数据写入，包括：利用台阶型脉冲对所述闪存器进行编程，其中，所述台阶型脉冲包括：M个编程台阶，第P+1个编程台阶的脉冲电压高于第P个编程台阶的脉冲电压，P为小于M的正整数，M为不小于2的正整数。基于上述方案，所述利用台阶型脉冲对所述闪本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存器的数据写入方法，其特征在于，包括：利用可变脉冲宽度的编程脉冲，对闪存器进行数据写入，其中，所述编程脉冲的脉冲宽度，与编程电压和导通电压之间压差正相关。

【技术特征摘要】
1.一种闪存器的数据写入方法，其特征在于，包括：利用可变脉冲宽度的编程脉冲，对闪存器进行数据写入，其中，所述编程脉冲的脉冲宽度，与编程电压和导通电压之间压差正相关。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用可变脉冲宽度的编程脉冲，对闪存器进行数据写入，包括：利用台阶型脉冲对所述闪存器进行编程，其中，所述台阶型脉冲包括：M个编程台阶，第P+1个编程台阶的脉冲电压高于第P个编程台阶的脉冲电压，P为小于M的正整数，M为不小于2的正整数。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用台阶型脉冲对所述闪存器进行编程，包括：根据前一个编程台阶的脉冲电压及编程步长，确定当前编程台阶的脉冲电压，其中，第1个编程台阶的脉冲电压等于所述导通电压及所述编程步长之和；利用当前编程台阶对所述闪存器进行编程；确定当前编程台阶的脉冲电压是否等于所述编程电压，若所述当前编程台阶的脉冲电压小于所述编程电压，重新确定当前编程台阶的脉冲电压；若所述当前编程台阶的脉冲电压等于所述编程电压，验证所述闪存器的编程是否成功。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用台阶型脉冲对所述闪存器进行编程，还包括：根据所述编程脉冲的脉冲宽度，确定台阶型脉冲所包括的编程台阶个数M；利用包含有M个编程台阶的所述台阶型脉冲对所述闪存器进行编程。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用包含有M个编程台阶的所述台阶型脉冲对所述闪存器进行编程，包括：确定当前编程台阶是否为第M个编程台阶；若当前编程台阶不是第M个编程台阶，根据前一个编程台阶的脉冲电压及编程步长，确定当前编程台阶的脉冲电压，其中，第1个编程台阶的脉冲电压为所述导通电压和所述编程步长之和；利用当前编程台阶对所述闪存器进行编程；若当前编程台阶是第M个编程台阶，验证所述闪存器的编程是否成功。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用可变脉冲宽度的编程脉冲，对闪存器进行数据写入，还包括：利用一个斜坡型脉冲，对所述闪存器进行数据写入的编程，其中，所述斜坡型脉冲包括：斜坡区和平坦区，其中，所述斜坡区的最低电压等于所述导通电压；所述斜坡区的最高电压等于所述平坦区的电压，且等于所述编程电压。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在利用所述斜坡型脉冲对所述闪存器进行数据写入的编程之前，确定所述编程脉冲的脉冲宽度。8.一种闪存器的数据写入装置，其特征在于，包括：编程模块，用于利用可变脉冲宽度的编程脉冲，对闪存器进行数据写入，其中，可变脉冲宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王瑜，卫婷婷，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42