以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备技术

本申请案是针对以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备。描述用于以堆叠存储器裸片传送数据的方法、系统和装置。第一半导体裸片可使用包含表示一个数据位的两个信号电平的二进制符号信号与外部计算装置通信。半导体裸片可堆叠在彼此之上且包含内部互连件(例如，硅穿孔)以中继基于所述二进制符号信号产生的内部信号。所述内部信号可为使用包含三个或更多个电平来表示多于一个数据位的调制方案调制的多符号信号。所述多电平符号信号可简化所述内部互连件。第二半导体裸片可经配置以接收且重新发射所述多电平符号信号到定位于所述第二半导体裸片上方的半导体裸片。

【技术实现步骤摘要】
以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备交叉参考本专利申请案要求由哈斯本(Hasbun)等在2018年5月11日提交的标题为“以堆叠存储器裸片传送数据(CommunicatingDatawithStackedMemoryDies)”的第15/977,818号美国专利申请案的优先权，以上申请案又要求由哈斯本等在2017年10月2日提交的标题为“包含堆叠裸片的简化封装(SimplifiedPackagingIncludingStackedDies)”的第62/567,021号美国临时专利申请案的权益和优先权，以上申请案中的每一个转让给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。

涉及以堆叠存储器裸片传送数据的方法和设备。
技术介绍
下文大体上涉及在存储器装置中使用信令。存储器装置广泛用于存储与例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物等各种电子装置有关的信息。通过编程存储器单元的不同状态来存储信息。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。易失性存储器装置(例如，DRAM)除非被外部电源周期性地刷新，否则可随时间推移而丢失其存储的状态。FeRAM可使用与易失性存储器类似的装置架构，但归因于使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性性质。一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本以及其它度量。
技术实现思路
描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：从主机装置接收使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号；在存储器控制器处且至少部分地基于接收到所述第一信号而产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号；以及将所述第二信号发射到与所述存储器控制器耦合的多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片。描述一种方法。在一些实例中，所述方法可包含：在存储器控制器处且至少部分地基于从主机装置接收的信息而产生使用包含三个或更多个电平的第一调制方案调制的第一信号；在所述存储器控制器处至少部分地基于产生所述第一信号而产生第二信号；以及至少部分地基于产生所述第二信号而同时将所述第一信号和所述第二信号发射到与所述存储器控制器耦合的多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片。描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：第一多个存储器裸片，所述第一多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片包括第一硅穿孔(TSV)；以及控制器，其与所述第一多个存储器裸片耦合。在一些实例中，所述控制器可以可操作以：至少部分地基于使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号；以及将所述第二信号发射到所述第一多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片。描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含存储器控制器，其与主机装置和多个存储器裸片耦合。在一些实例中，所述控制器可以可操作以：从所述主机装置接收使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号；至少部分地基于接收到所述第一信号而产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号；以及将所述第二信号发射到所述多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片。描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：用于从主机装置接收使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号的构件；用于在存储器控制器处且至少部分地基于接收到所述第一信号而产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号的构件；以及用于将所述第二信号发射到与所述存储器控制器耦合的多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片的构件。描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：用于在存储器控制器处且至少部分地基于从主机装置接收到的信息而产生使用包含三个或更多个电平的第一调制方案调制的第一信号的构件；用于在所述存储器控制器处至少部分地基于产生所述第一信号而产生第二信号的构件；以及用于至少部分地基于产生所述第二信号而同时将所述第一信号和所述第二信号发射到与所述存储器控制器耦合的多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片的构件。描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含第一多个存储器裸片，所述第一多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片包括第一TSV。在一些实例中，所述设备可包含：用于至少部分地基于使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号而产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号的构件；以及用于将所述第二信号发射到所述第一多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片的构件。描述一种设备。在一些实例中，所述设备可包含：用于从主机装置接收使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号的构件；用于至少部分地基于接收到所述第一信号而产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号的构件；以及用于将所述第二信号发射到多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片的构件。附图说明图1说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的存储器装置的实例。图2说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的电路的实例。图3说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的电路的实例。图4说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的图的实例。图5说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的图的实例。图6说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的存储器装置的实例。图7说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的存储器装置的实例。图8说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的过程流程图的实例。图9说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的电路的实例。图10说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的电路的实例。图11说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的电路的实例。图12说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的电路的实例。图13说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的电路的实例。图14说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的电路的实例。图15说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的波形的图的实例。图16说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的波形的图的实例。图17说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的波形的图的实例。图18说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的过程流程图的实例。图19说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的过程流程图的实例。图20说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的存储器装置的实例。图21说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的过程流程图的实例。图22说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的过程流程图的实例。图23说明根据本专利技术的实例的支持以堆叠存储器裸片传送数据的装置的图。图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包括：从主机装置接收使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号；在存储器控制器处且至少部分地基于接收到所述第一信号而产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号；以及将所述第二信号发射到与所述存储器控制器耦合的多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片。

【技术特征摘要】
2017.10.02 US 62/567,021;2018.05.11 US 15/977,8181.一种方法，其包括：从主机装置接收使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号；在存储器控制器处且至少部分地基于接收到所述第一信号而产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号；以及将所述第二信号发射到与所述存储器控制器耦合的多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一信号是以包括两个电平的调制方案进行编码；且所述第二信号是以包括三个或更多个电平的脉冲振幅调制PAM方案进行编码。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在接收到所述第一信号之后将所述第一信号去串行化，其中产生所述第二信号是至少部分地基于将所述第一信号去串行化。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述多个存储器裸片中的一个存储器裸片处对所述第二信号进行解码，其中所述多个存储器裸片中的每一存储器裸片包括经配置以对所述第二信号进行解码的接收器。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：使用第一时钟信号从所述第一信号捕获第一信息子集；使用第二时钟信号从所述第一信号捕获第二信息子集；以及在时间上对准所述第一信息子集和所述第二信息子集，其中产生所述第二信号是至少部分地基于对准所述第一信息子集和所述第二信息子集。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片经配置以中继所述第二信号。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个存储器裸片堆叠在彼此之上，且其中所述多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片包括硅穿孔TSV，所述第二信号通过所述硅穿孔进行中继。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于产生所述第二信号而产生第三信号；以及与发射所述第二信号同时地将所述第三信号发射到所述多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第三信号包括芯片启用CE信号。10.一种方法，其包括：在存储器控制器处且至少部分地基于从主机装置接收的信息而产生使用包含三个或更多个电平的第一调制方案调制的第一信号；在所述存储器控制器处至少部分地基于产生所述第一信号而产生第二信号；以及至少部分地基于产生所述第二信号而同时将所述第一信号和所述第二信号发射到与所述存储器控制器耦合的多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片。11.根据权利要求10所述的方法，其中产生所述第二信号包括：以脉冲振幅调制PAM方案对所述第二信号进行编码。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二信号包括以接收所述第一信号为目标的指定存储器裸片的指示符。13.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：在所述多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片处对所述第二信号进行解码。14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于对所述第二信号进行解码而激活所述一或多个存储器裸片的第一接收器，其中所述第一接收器经配置以对所述第一信号进行解码。15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：至少部分地基于激活所述第一接收器而在所述一或多个存储器裸片处对所述第一信号进行解码。16.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：配置所述多个存储器裸片中的存储器裸片内的内部数据总线以运载使用包含三个或更多个电平的调制方案调制的信号。17.一种设备，其包括：第一多个存储器裸片，所述第一多个存储器裸片中的一或多个存储器裸片包括第一硅穿孔TSV；以及控制器，其与所述第一多个存储器裸片耦合，所述控制器可操作以：至少部分地基于使用包含两个电平的第一调制方案调制的第一信号产生使用包含三个或更多个电平的第二调制方案调制的第二信号；以及将所述第二信号发射到所述第一多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片。18.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括：第二多个存储器裸片，其中所述第二多个存储器裸片中的至少一个存储器裸片包括第二TSV；以及第二控制器，其通过所述第一TSV与所述第一多个存储器裸片耦合且通过所述第二TSV与所述第二多个存储器裸片耦合，所述第二控制器可操作以：通过所述第一TSV接收所述第二信号；以及至少部分地基于接收到所述第二信号而将所述第二信号重新发射到所述第二多个存储器裸片中的所述至少一个存储器裸片。19.根据权利要求18所述的设备，其中：所述控制器在第一持续时间期间可操作以将所述第二信号发射到所述第一多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片；以及所述控制器在所述第一持续时间之后的第二持续时间期间可操作以：与在所述第二控制器处重新发射所述第二信号相结合，通过所述第一TSV将所述第二信号发射到所述第二多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片。20.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括：第三TSV，其与所述控制器和所述第二控制器耦合，所述第三TSV经配置以旁路所述第一多个存储器裸片。21.根据权利要求20所述的设备，其中：所述控制器可操作以：将所述第二信号通过所述第一TSV发射到所述第一多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片且通过所述第三TSV发射到所述第二多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片，其中发射到所述第二多个存储器裸片中的所述一或多个存储器裸片与在所述第二控制器处重新发射所述第二信号相结合。22.根据权利要求18所述的设备，其中所述设备以包括以下各项的叠层封装堆叠来配置：所述第一多个存储器裸片定位于所述控制器上方；所述第二控制器定位于所述第一多个存储器裸片上方；且所述第二多个存储器裸片定位于所述第二控制器上方。23.根据权利要求18所述的设备，其中所述第二控制器不同于所述控制器。24.一种设备，其包括：存储器控制器，其与主机装置和多个存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·N·哈斯布恩，T·M·霍利斯，J·P·莱特，D·D·甘斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US