集成电路器件结构和双侧制造技术制造技术

集成电路单元架构包括前侧和背侧结构二者。背侧注入、半导体沉积、电介质沉积、金属化、膜图案化和晶片层级层转移中的一种或多种与前侧处理集成。这种双侧处理可能需要显露从衬底的前侧制造的结构的背侧。可以构建宿主‑施主衬底组件以在背侧处理期间支撑并保护前侧结构。可以在背侧处理期间修改和/或互连前侧器件，例如FET。可以将诸如FET的背侧器件与前侧器件集成以扩展器件功能、改善性能或增大器件密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成电路器件结构和双侧制造技术优先权要求本申请要求享有2016年8月26日提交的题为“IntegratedCircuitDeviceStructuresandFabricationTechniqueswithaBack-sideRevealofFront-SideStructures”的美国临时申请62/380,316的优先权。相关申请本申请涉及如下国际专利申请：2015年10月1日提交的题为“MethodsofFormingBacksideSelf-AlignedViasandStructuresFormedThereby”的US2015/052033；2015年9月25日提交的题为“BacksideContactStructuresandFabricationForMetalonBothSidesofDevices”的US2015/052440；以及2015年9月25日提交的题为“BacksideFinRecessControlWithMulti-HsiOption”的US2015/052288；2016年4月1日提交的题为“LayerTransferredFerroelectri本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件结构，包括：主体，所述主体包括单晶半导体材料、与隔离电介质相邻；与所述主体的侧壁相邻的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括通过栅极电介质与所述侧壁分开的栅极电极；在所述栅极堆叠体的相对侧上耦合到所述主体的源极和漏极；耦合到所述源极、所述漏极或所述栅极电极中的至少一个的前侧互连金属化层；以及处于所述主体的与所述前侧互连金属化层相对的背侧表面之上的背侧器件层，其中，所述背侧器件层包括具有与所述主体的组分不同的组分的第二半导体材料；以及电耦合到所述背侧器件层的背侧器件端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.26 US 62/380,316;2016.12.23 US PCT/US16/681.一种器件结构，包括：主体，所述主体包括单晶半导体材料、与隔离电介质相邻；与所述主体的侧壁相邻的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括通过栅极电介质与所述侧壁分开的栅极电极；在所述栅极堆叠体的相对侧上耦合到所述主体的源极和漏极；耦合到所述源极、所述漏极或所述栅极电极中的至少一个的前侧互连金属化层；以及处于所述主体的与所述前侧互连金属化层相对的背侧表面之上的背侧器件层，其中，所述背侧器件层包括具有与所述主体的组分不同的组分的第二半导体材料；以及电耦合到所述背侧器件层的背侧器件端子。2.根据权利要求1所述的结构，其中：所述结构包括第一场效应晶体管(FET)，所述第一场效应晶体管(FET)堆叠于第二FET之上；所述第二半导体材料是单晶；第二栅极堆叠体耦合到所述第二半导体材料；并且所述背侧器件端子还包括耦合到所述第二半导体材料的所述第二FET的源极或漏极。3.根据权利要求2所述的结构，其中：所述单晶半导体材料包括第一IV族或III-V族半导体；并且所述第二半导体材料包括第二IV族或III-V族半导体。4.根据权利要求2所述的结构，还包括：耦合到所述背侧器件端子的背侧互连金属化层，其中，所述主体和所述背侧器件层位于所述前侧互连金属化层和所述背侧互连金属化层之间。5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述背侧器件端子与所述FET的源极或漏极之一接触。6.根据权利要求1所述的结构，其中：所述结构包括堆叠于薄膜晶体管(TFT)之上的场效应晶体管(FET)；所述第二半导体材料是多晶的或非晶的；第二栅极堆叠体耦合到所述第二半导体材料；并且所述背侧器件端子还包括耦合到所述第二半导体材料的FET的源极或漏极。7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述背侧器件端子与所述FET的源极或漏极之一接触。8.一种集成电路(IC)结构，包括：与场隔离电介质相邻的晶体管主体，所述晶体管主体包括单晶半导体材料；与所述主体的侧壁相邻的栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括通过栅极电介质与所述侧壁分隔的栅极电极；在所述栅极堆叠体的相对侧上耦合到所述晶体管主体的源极和漏极；处于所述晶体管主体和所述场隔离电介质的第一侧之上的前侧互连金属化层，所述前侧互连金属化层耦合到所述源极、所述漏极或所述栅极电极中的第一个；以及处于所述主体和所述场隔离电介质的第二侧之上的背侧互连金属化层，所述背侧互连金属化层耦合到所述源极、所述漏极或所述栅极电极中的第二个，并且其中，所述背侧互连金属化层具有与所述前侧互连金属化层不同的组分。9.根据权利要求8所述的IC结构，其中：所述前侧互连金属化层包括具有比所述背侧互连金属化层的任何金属合金更多的Cu的合金，或者所述背侧互连金属化层包括具有比所述前侧互连金属化层的任何金属合金更多的Cu的合金。10.根据权利要求9所述的IC结构，其中，所述前侧互连金属化层包括Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Au、W、Cr或Co中的一种或多种，并且所述背侧互连金属化层包括Cu。11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·布洛克，V·R·拉奥，R·米恩德鲁，D·因格利，K·俊，K·奥布莱恩，P·莫罗，P·菲舍尔，S·S·廖，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US