【技术实现步骤摘要】
一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法
本专利技术属于选择性发射极电池的制备领域，涉及一种选择性发射极的制备方法、选择性发射极电池的制备方法。
技术介绍
目前，发展高效电池技术是提高太阳能电池效率的关键，如选择性发射极(selectiveemitter,SE)电池。对于选择性发射极电池而言，通过：1）在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2）在光照区域形成低掺杂浅扩散区，对发射区形成选择性掺杂，在栅线接触区域和光照区域实现不同掺杂浓度的效果，降低了金属化接触电阻，减少表面复合，提高电池转换效率。现有选择性发射极电池的制备方法包括以下步骤：制绒-扩散-激光SE-刻蚀-镀膜-印刷-烧结。然而，由于制备工艺中多一道激光选择性掺杂工序，导致工艺复杂程度增加，生产效率降低。另外，采用工艺制备选择性发射极时，为了匹配后序印刷工艺，需要高精度激光器，存在制备成本高、制备效率低等问题。此外，现有的选择性发射极技术，无论哪种都必须在常规产线上引入新的设备，且新投入的设备成本较高，或者对现有设备进行较大程度改造，常规电池产线升级为选择性发射极电池产线设备投入成本增大...
【技术保护点】
1.一种选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，使掩膜板的掩膜与硅片光照区域重合；S2、将掩膜板与硅片一同送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散，在硅片电极区域形成高掺杂深扩散区；S3、步骤S2结束后，在扩散炉中进行低掺杂浅扩散，在硅片非电极区域形成低掺杂浅扩散区；S4、步骤S3结束后，在扩散炉中进行退火处理；S5、步骤S4结束后，去除掩膜板，完成对硅片上选择性发射极的制备。
【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，使掩膜板的掩膜与硅片光照区域重合；S2、将掩膜板与硅片一同送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散，在硅片电极区域形成高掺杂深扩散区；S3、步骤S2结束后，在扩散炉中进行低掺杂浅扩散，在硅片非电极区域形成低掺杂浅扩散区；S4、步骤S3结束后，在扩散炉中进行退火处理；S5、步骤S4结束后，去除掩膜板，完成对硅片上选择性发射极的制备。2.根据权利要求1所述的选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述掩膜板的掩膜与硅片之间的距离为1mm～3mm；所述掩膜板的两个相邻掩膜之间的距离为10μm～30μm。3.根据权利要求2所述的选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述掩膜板为石英掩膜板或耐高温陶瓷掩膜板。4.根据权利要求1～3中任一项所述的选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述高掺杂深扩散的参数为：温度750℃～780℃，扩散小氮流量600mL/min～800mL/min，干氧流量600mL/min～800mL/min，大氮流量200mL/min～600mL/min，时间800s～1000s。5.根据权利要求1～3中任一项所述的选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述低掺杂浅扩散的参数为：温度820℃～850℃，扩散小氮流量100mL/min～300mL/min，干氧流量200mL/min～400mL/min，大氮流量800mL/min～1200mL/min，时间600s～800s。6.根据权利要求1～3中任一项所述的选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述退火处理的参数为：温度680℃～720℃，扩散小氮流量400mL/min～600mL/min，干氧流量500mL/min～700mL/min，大氮流量1200mL/min～1600mL/min，时间200s～400s。7.一种选择性发射极电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）对硅片进行制绒；（2）在制绒后的硅片上制备选择性发射极：（2.1）将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，使掩膜板的掩膜与硅片光照区域重合；（2.2）将掩膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄海龙，赵增超，周子游，刘文峰，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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